公开(公告)号：CN102964119A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210470746.X

申请日：2012-11-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  冯琴 ,  刘心宇 ,  陈国华 ,  洛颖 ,  周昌荣

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法，它是先合成(1-x)BiFeO3-xMeMO3粉体，再不掺入或掺入少量SiO2，经压制成型、烧结制成掺SiO2的(1-x)BiFeO3-xMeMO3热敏陶瓷材料。本发明制备的可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料，烧结温度低于950℃且性能稳定，性能测试表明能够获得较好的综合热敏性能：热敏常数β25/85大于5000K，室温电阻率ρ25小于106Ω·cm，老化率η低于5%。制备过程采用传统的陶瓷固相烧结制备工艺，采用工艺相对简单、稳定，因而具有较高的实用性和推广应用前景。

公开(公告)号：CN104944944B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201510301889.1

申请日：2015-06-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 冯琴 ,  袁昌来 ,  周星星 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，0≤y≤0.1，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er中的一种，Me为Zr、Sn中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3粉体，然后用放电等离子烧结（SPS）技术制备Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备方法简单高效，基于电滞回线计算的储能密度介于0.7~1.6 J/cm3之间。

公开(公告)号：CN103864412A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410063590.2

申请日：2014-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  杨涛 ,  刘心宇 ,  冯琴 ,  陈国华 ,  黎清宁 ,  杨云

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料及其制备方法，主要成分为BaMIIxBi1-xO3热敏相粉体，其中0.01≤x≤0.05，符号MII为Co、Mn、Ni、Cu、Zn的正二价氧化物中的一种。将BaMIIxBi1-xO3热敏相粉体与有机载体按质量比74：26混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将电阻浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在700~900℃烧结下，保温120分钟即可得到低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在20～80μm内，热敏常数值介于1000~4000K之间，室温电阻率处于0.7Ω·cm~20kΩ·cm范围内，150℃下保温650小时的老化率低于2%。