公开(公告)号：CN115240941A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210929600.0

申请日：2022-08-04

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 马垒 ,  李志坤 ,  饶光辉 ,  何木芬 ,  袁昌来 ,  王治群 ,  李林 ,  赵景泰

IPC分类号： H01F1/055 ,  H01F41/02

摘要： 本发明公开了一种零场冷室温交换偏置永磁材料，由两种稀土元素Pr和Gd，以及Co元素组成，先经过熔炼得到铸态Pr‑Gd‑Co化合物，再经甩带处理得到Pr‑Gd‑Co薄带，即零场冷室温交换偏置永磁材料；原子配比满足1:3，化学式为Pr1‑xGdxCo3，x的取值范围为0.2≤x≤0.8；居里温度的范围为‑400 K‑550 K之间；相结构为菱方相的PuNi3型的晶体结构。其制备方法包括：1，铸态Pr‑Gd‑Co化合物的制备；2，零场冷室温交换偏置永磁材料的制备。作为永磁材料的应用，在室温条件下，当外磁场为2 T时，矫顽力为1.37‑12.88 kOe；交换偏置场为0.2‑5.38 kOe；在10 K条件下，当外磁场为5 T时，矫顽力为16.47‑36.23 kOe；交换偏置场为2.73‑14.92 kOe。本发明的优点为，具有矫顽力大，零场冷条件下交换偏置场强，温度稳定性好，工艺简单的特点。

公开(公告)号：CN113174098A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110437007.X

申请日：2021-04-22

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 刘飞 ,  丁国安 ,  屈婧婧 ,  袁昌来 ,  苏琪 ,  李海林

IPC分类号： C08L23/06 ,  C08K3/38 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01P1/20 ,  H01P5/12 ,  H01P7/10

摘要： 本发明公开了一种防水解硼酸基微波介质聚合物陶瓷材料及其制备方法，按照质量比称量H3BO3和PE，并将得到的粗粉、镐球和无水乙醇按照预设的质量比置于行星球磨机进行湿法球磨，得浆料；将所述浆料置于预设恒温烘箱中进行烘干，并将得到的混合料通过设定规格的网筛进行分离，得到(1‑x)H3BO3‑xPE粉体；将所述粉体放置玛瑙研钵中细磨，并将研磨后的粉体置于模具中，在设定的加压环境下压制成型，随后，将得到的圆柱体胚体置于马弗炉中进行烧结，得到硼酸基微波介质聚合物陶瓷，有效的提升了纯硼酸陶瓷材料的综合性能。

公开(公告)号：CN108623302B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201810670156.9

申请日：2018-06-26

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 周昌荣 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  C04B41/00

摘要： 本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法，材料组成为：0.9Bi0.5Na0.5TiO3‑0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6铁电体复合，结合固相烧结及热处理技术，生长纳米阵列，其中纳米线长度在2‑10μm，直径为60‑800nm，工艺简单，产率高，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN107010947B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710302249.1

申请日：2017-05-02

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/49

摘要： 本发明公开了一种具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.85(Li1/4Nb3/4)0.05(Zr1/2Zn1/2)0.10O3；通过B位与Ti4+离子相同化合价的复合离子(Li1/4Nb3/4)4+，以及不同化合价复合离子(Zr1/2Zn1/2)3+，严格以1:2的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生电子和空穴补偿型的带电电畴(非空位或者离子补偿效应)，因而出现特殊的临界开关效应的电场诱导巨应变行为。制得产品经实验测量具有电场诱导的巨应变性能，应变量可达S%=0.47%，同时具有在临界开关电场EC=56kV/cm巨应变发生，并且在很窄的电场范围内ΔE=2kV/cm发生完全应变，在临界区域，应变变化率α可达2.8×103。这些性能目前还未见报道，可以在特殊的场合应用。

公开(公告)号：CN107010941B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710302248.7

申请日：2017-05-02

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/462

摘要： 本发明公开了一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.88(Li1/3W2/3)0.06(Hf1/2In1/2)0.06O3；通过B位与Ti4+离子不同化合价的复合离子(Li1/3W2/3)13/3+，以及不同化合价复合离子(Hf1/2In1/2)7/2+，严格以1:1的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生非空位补偿，而是电子和空穴非平衡补偿型的带电电畴，进而产生纳米级非均匀电子相，结合热处理，因而出现特殊的巨电致阻变行为。产品经实验测量，具有优良的电致阻变性能，ΩHRS/ΩLRS=3.0×103，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN106747440B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201611201094.4

申请日：2016-12-22

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 刘国保 ,  王华 ,  许积文 ,  周昌荣 ,  杨玲 ,  袁昌来

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

摘要： 本发明公开了一种可见光透明储能陶瓷及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式用(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(Me0.5Nb0.5)O3所表示，其中A为Ca、Sr、Ba中的一种或两种，Me为Al、In、Yb或两种，x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.6。所述制备方法采用固相法制备粉体，不添加任何粘结剂，低压成型。产品同时具有高的可见光透光率和优良的电储能性能，以及介电损耗低、制备成本低、无铅环保、实用性好。

公开(公告)号：CN108689703A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810668019.1

申请日：2018-06-26

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 周昌荣 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/72

摘要： 本发明公开了一种具有巨介电常数及电调特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：(1‑x)BaTi0.90Sn0.10O3‑xCa2LaMn2O7；其中x表示摩尔分数，0.01

公开(公告)号：CN104944944B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201510301889.1

申请日：2015-06-05

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 冯琴 ,  袁昌来 ,  周星星 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，0≤y≤0.1，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er中的一种，Me为Zr、Sn中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3粉体，然后用放电等离子烧结（SPS）技术制备Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备方法简单高效，基于电滞回线计算的储能密度介于0.7~1.6 J/cm3之间。

公开(公告)号：CN107010947A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710302249.1

申请日：2017-05-02

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/49

摘要： 本发明公开了一种具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.85(Li1/4Nb3/4)0.05(Zr1/2Zn1/2)0.10O3；通过B位与Ti4+离子相同化合价的复合离子(Li1/4Nb3/4)4+，以及不同化合价复合离子(Zr1/2Zn1/2)3+，严格以1:2的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生电子和空穴补偿型的带电电畴(非空位或者离子补偿效应)，因而出现特殊的临界开关效应的电场诱导巨应变行为。制得产品经实验测量具有电场诱导的巨应变性能，应变量可达S%=0.47%，同时具有在临界开关电场EC=56kV/cm巨应变发生，并且在很窄的电场范围内ΔE=2kV/cm发生完全应变，在临界区域，应变变化率α可达2.8×103。这些性能目前还未见报道，可以在特殊的场合应用。

公开(公告)号：CN106747440A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611201094.4

申请日：2016-12-22

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 刘国保 ,  王华 ,  许积文 ,  周昌荣 ,  杨玲 ,  袁昌来

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

CPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/9653

摘要： 本发明公开了一种可见光透明储能陶瓷及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式用(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(Me0.5Nb0.5)O3所表示，其中A为Ca、Sr、Ba中的一种或两种，Me为Al、In、Yb或两种，x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.6。所述制备方法采用固相法制备粉体，不添加任何粘结剂，低压成型。产品同时具有高的可见光透光率和优良的电储能性能，以及介电损耗低、制备成本低、无铅环保、实用性好。