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公开(公告)号：CN118276710B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410713695.1
申请日：2024-06-04
申请人： 浙江大华技术股份有限公司
IPC分类号： G06F3/041 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B3/08 , B32B33/00 , B32B37/00 , B32B38/00 , B32B38/10 , B32B37/24
摘要： 本申请提出一种银纳米线触控电极单元及其制备方法、触控面板。所述制备方法包括：在聚二甲基硅氧烷表面制备疏水层，将所述疏水层进行刻蚀，得到刻蚀阵列；在所述疏水层表面制备亲水层；将所述聚二甲基硅氧烷安装到基板表面，以使所述亲水层与所述基板表面结合；剥离所述聚二甲基硅氧烷，在所述基板表面的疏水层加入银前驱体反应溶液，得到纳米银阵列；在所述纳米银阵列表面溅射巯基硅氧烷，得到纳米银触控电极。通过上述制备方法，亲疏水沟道的构建，制备得到无刻蚀触控阵列，减少了断差，同时疏水层作为保护层和介质层，整体提高银纳米线触控电极单元的隔水汽性能。
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公开(公告)号：CN118244924B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410676016.8
申请日：2024-05-29
申请人： 浙江大华技术股份有限公司
IPC分类号： G06F3/042
摘要： 本发明涉及电极制作技术领域，公开了一种电极结构的制作方法、电极结构及触控装置，该电极结构的制作方法包括：在基底上印刷形成电极层，所述电极层包括功能电极图案以及导电电极图案；测量所述电极层的初始厚度值和初始电阻值，通过所述初始厚度值和初始电阻值，得出所述功能电极图案减薄到目标厚度值时所述电极层对应的目标电阻值；通过研磨方式对所述功能电极图案进行减薄，并在研磨过程中实时测量所述电极层的电阻值；当所述电极层的电阻值达到目标电阻值时停止研磨，形成目标电极层图案。该制作方法能够减少电极层材料的所用含量，并且可以使得电极结构具有高稳定性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN118244924A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410676016.8
申请日：2024-05-29
申请人： 浙江大华技术股份有限公司
IPC分类号： G06F3/042
摘要： 本发明涉及电极制作技术领域，公开了一种电极结构的制作方法、电极结构及触控装置，该电极结构的制作方法包括：在基底上印刷形成电极层，所述电极层包括功能电极图案以及导电电极图案；测量所述电极层的初始厚度值和初始电阻值，通过所述初始厚度值和初始电阻值，得出所述功能电极图案减薄到目标厚度值时所述电极层对应的目标电阻值；通过研磨方式对所述功能电极图案进行减薄，并在研磨过程中实时测量所述电极层的电阻值；当所述电极层的电阻值达到目标电阻值时停止研磨，形成目标电极层图案。该制作方法能够减少电极层材料的所用含量，并且可以使得电极结构具有高稳定性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN117819020B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410241130.8
申请日：2024-03-04
申请人： 浙江大华技术股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种托盘，托盘包括支撑基板和围设在支撑基板周缘的多个辅助支撑部，支撑基板具有支撑面，托盘具有相对设置的初始状态和下沉状态，当托盘处于初始状态时，支撑面与多个辅助支撑部的顶部处于同一水平面，支撑基板与辅助支撑部共同承受货物载荷，当托盘处于下沉状态时，支撑基板受到货物载荷下沉至托盘的底部，多个辅助支撑部与支撑基板配合形成限位凹槽，支撑基板用于支撑货物，多个辅助支撑部相互配合以围设在货物外周。通过本申请的技术方案，能够解决现有技术中的托盘承载窄高的纸箱时，纸箱容易倾倒的问题。
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公开(公告)号：CN117819020A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410241130.8
申请日：2024-03-04
申请人： 浙江大华技术股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种托盘，托盘包括支撑基板和围设在支撑基板周缘的多个辅助支撑部，支撑基板具有支撑面，托盘具有相对设置的初始状态和下沉状态，当托盘处于初始状态时，支撑面与多个辅助支撑部的顶部处于同一水平面，支撑基板与辅助支撑部共同承受货物载荷，当托盘处于下沉状态时，支撑基板受到货物载荷下沉至托盘的底部，多个辅助支撑部与支撑基板配合形成限位凹槽，支撑基板用于支撑货物，多个辅助支撑部相互配合以围设在货物外周。通过本申请的技术方案，能够解决现有技术中的托盘承载窄高的纸箱时，纸箱容易倾倒的问题。
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公开(公告)号：CN115236684B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211165737.X
申请日：2022-09-23
申请人： 浙江大华技术股份有限公司
摘要： 本申请涉及一种激光雷达扫描方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：通过响应于扫描指令，确定扫描参数，所述扫描参数包括扫描周期以及振镜驱动波形，所述扫描周期包括正扫描周期以及逆扫描周期，所述振镜驱动波形还包括快轴驱动波形以及慢轴驱动波形；基于所述扫描参数进行正扫描以及逆扫描，获取正扫描数据以及逆扫描数据；基于所述正扫描数据以及逆扫描数据得到目标扫描数据。本方法通过在激光雷达的去程的正扫描完成之后，利用回程的时间和路径完成逆扫描，并基于正扫描数据和逆扫描数据得到目标扫描数据，解决了激光雷达扫描分辨率不高的问题，达到了提高激光雷达扫描效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN118276710A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410713695.1
申请日：2024-06-04
申请人： 浙江大华技术股份有限公司
IPC分类号： G06F3/041 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B3/08 , B32B33/00 , B32B37/00 , B32B38/00 , B32B38/10 , B32B37/24
摘要： 本申请提出一种银纳米线触控电极单元及其制备方法、触控面板。所述制备方法包括：在聚二甲基硅氧烷表面制备疏水层，将所述疏水层进行刻蚀，得到刻蚀阵列；在所述疏水层表面制备亲水层；将所述聚二甲基硅氧烷安装到基板表面，以使所述亲水层与所述基板表面结合；剥离所述聚二甲基硅氧烷，在所述基板表面的疏水层加入银前驱体反应溶液，得到纳米银阵列；在所述纳米银阵列表面溅射巯基硅氧烷，得到纳米银触控电极。通过上述制备方法，亲疏水沟道的构建，制备得到无刻蚀触控阵列，减少了断差，同时疏水层作为保护层和介质层，整体提高银纳米线触控电极单元的隔水汽性能。
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公开(公告)号：CN117735063B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410184776.7
申请日：2024-02-19
申请人： 浙江大华技术股份有限公司
IPC分类号： B65D19/38 , B65D21/028
摘要： 本申请公开了一种拼装装置及托盘装置，包括：移动板组件，沿拼装方向移动于第一待拼装部；插接件，设置在移动板组件的移动轨迹上；支撑组件，设置于第二待拼装部；其中，移动板组件在外力作用下沿拼装方向移动，以使插接件与支撑组件的一端抵接，支撑组件在插接件的抵接力下其另一端运动至第一待拼装部。本申请拼装装置能够支撑第一待拼装部以及第二待拼装部，减少第一待拼装部以及第二待拼装部拼装后前后翻转、向第一待拼装部以及第二待拼装部边缘两侧弯曲的现象，从而提升第一待拼装部和第二待拼装部拼装后的可靠性。
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公开(公告)号：CN117800615A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311763776.4
申请日：2023-12-20
申请人： 浙江大华技术股份有限公司
摘要： 本申请公开一种自清洁涂层、自清洁结构、制作方法、玻璃幕墙及监控设备，该自清洁涂层包括：导电层；胶柱阵列层，设于导电层的至少一侧表面，胶柱阵列层包括多个纳米胶柱，每个纳米胶柱的一端与导电层连接；其中，每个纳米胶柱的侧面设有至少一个电致变形结构件，每个纳米胶柱的至少一个电致变形结构件与导电层间隔设置。本申请的自清洁涂层通过在基底表面设置导电层，以保证基底表面的导电性，并在导电层的表面设置胶柱阵列层，胶柱阵列层的每个纳米胶柱上设置至少一个电致变形结构件，且至少一个电致变形结构件与导电层间隔设置，以使电致变形结构件在交变电场作用下产生变形，从而使胶柱阵列层进行振动，实现机械主动除尘。
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公开(公告)号：CN117735063A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410184776.7
申请日：2024-02-19
申请人： 浙江大华技术股份有限公司
IPC分类号： B65D19/38 , B65D21/028
摘要： 本申请公开了一种拼装装置及托盘装置，包括：移动板组件，沿拼装方向移动于第一待拼装部；插接件，设置在移动板组件的移动轨迹上；支撑组件，设置于第二待拼装部；其中，移动板组件在外力作用下沿拼装方向移动，以使插接件与支撑组件的一端抵接，支撑组件在插接件的抵接力下其另一端运动至第一待拼装部。本申请拼装装置能够支撑第一待拼装部以及第二待拼装部，减少第一待拼装部以及第二待拼装部拼装后前后翻转、向第一待拼装部以及第二待拼装部边缘两侧弯曲的现象，从而提升第一待拼装部和第二待拼装部拼装后的可靠性。
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