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发明公开
具有能够防止热扩散的电熔丝的半导体集成电路失效

公开(公告)号：CN102142424A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010237546.0

申请日：2010-07-27

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 尹英熙 , 崔俊基 , 辛尚勋

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/525 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体集成电路。半导体集成电路包括：一对互连结构；熔丝，所述熔丝与一对互连结构相连接；以及一个或更多个散热图案，所述一个或更多个散热图案与一对互连结构相连接，并位于熔丝周围。