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公开(公告)号：CN111628034B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202010471029.3
申请日：2020-05-28
申请人： 湖北京邦科技有限公司
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本申请公开了一种光电探测装置的制造方法，其包括：在所制备的衬底上生长出外延层，其中，外延层和衬底均呈第一导电类型；在外延层中的远离衬底的一侧形成呈与第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区和第二掺杂区以及呈第一导电类型的第三掺杂区，其中，第二掺杂区位于第一掺杂区与所述第三掺杂区之间；在外延层的一侧上方形成分别与第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区连接的第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘以获得对应的电极。通过利用本申请提供的技术方案，可以提供适合于对波长较长的光子进行探测的装置。
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公开(公告)号：CN109151345B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201811052632.7
申请日：2018-09-10
申请人： 湖北京邦科技有限公司
摘要： 本申请揭示了一种成像装置的数据读出方法，该方法包括以下步骤：按照预设顺序对成像装置中的N个像素单元进行排序；以及按照所述N个像素单元的排序顺序依次对所述N个像素单元进行数据读出操作，并且在对每个像素单元进行数据读出操作时，同时对排序紧邻其之前的像素单元进行计数重置操作、对排序紧邻其之后的像素单元进行探测关闭操作、以及对剩余的N‑3个像素单元进行电信号计数操作。通过应用本申请所揭示的数据读出方法，可以准确地确定成像装置所探测到的光子数，并且可以提高成像装置的光子计数动态范围。
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公开(公告)号：CN111540804A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010470256.4
申请日：2020-05-28
申请人： 湖北京邦科技有限公司
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本申请公开了一种半导体装置和光电探测系统，该半导体装置可以包括：外延层，其包括呈第一导电类型的第一部分和第二部分，并且在第一部分中的远离第二部分的一侧形成有呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、以及呈第一导电类型的第三掺杂区，其中，第二掺杂区位于第一掺杂区与第三掺杂区之间，并且第二部分、第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区的掺杂浓度均大于第一部分的掺杂浓度，并且通过第一掺杂区形成该半导体装置的输出端；钝化层，其位于第一部分的一侧上方，并且其内部形成有与第一掺杂区对应的反射区。通过利用本申请提供的技术方案，可以提高对波长较长的光子的探测效率。
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公开(公告)号：CN110086463A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910415211.4
申请日：2019-05-17
申请人： 湖北京邦科技有限公司
摘要： 本申请公开了延迟电路和包括该延迟电路的半导体装置。该延迟电路包括：第一延迟锁定环，其包括与时钟信号输入端连接的且包含第一组延迟单元的第一延迟链，并且第一组延迟单元中的一个第一延迟单元被配置为向外部输出第一延迟信号；第二延迟锁定环，其包括与时钟信号输入端连接的且包含相互连接的第二组延迟单元和第三组延迟单元的第二延迟链，并且第二组延迟单元中的与上述第一延迟单元对应的一个第二延迟单元被配置为向外部输出第二延迟信号，这三组延迟单元的延迟时间各不相同，并且第一组延迟单元的延迟时间大于第三组延迟单元的延迟时间。通过本申请提供的技术方案，可以减小不同延迟锁定环所输出的延迟信号之间的延迟时间差。
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公开(公告)号：CN110045592A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910413451.0
申请日：2019-05-17
申请人： 湖北京邦科技有限公司
摘要： 本申请实施例公开了时间校正方法、装置、系统及计算机存储介质，该方法包括：剔除所获取的第一计数集合中的符合第一预设条件的第一计数，并且剔除第二计数集合中的与所剔除的第一计数对应的第二计数，其中，第一计数和第二计数分别是TDC产生的粗计数和细计数中的一种和另一种；当所剔除的第二计数不符合第二预设条件时，剔除第二计数集合中的符合第二预设条件的第二计数；根据第一计数集合中剩余的第一计数计算第一时间单位；根据第二计数集合中剩余的第二计数计算第二时间单位；利用所得到的第一时间单位和第二时间单位对这两个触发信号的时间差进行校正。通过利用本申请实施例提供的技术方案可以提高TDC的时间测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN109151345A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811052632.7
申请日：2018-09-10
申请人： 湖北京邦科技有限公司
摘要： 本申请揭示了一种成像装置的数据读出方法，该方法包括以下步骤：按照预设顺序对成像装置中的N个像素单元进行排序；以及按照所述N个像素单元的排序顺序依次对所述N个像素单元进行数据读出操作，并且在对每个像素单元进行数据读出操作时，同时对排序紧邻其之前的像素单元进行计数重置操作、对排序紧邻其之后的像素单元进行探测关闭操作、以及对剩余的N‑3个像素单元进行电信号计数操作。通过应用本申请所揭示的数据读出方法，可以准确地确定成像装置所探测到的光子数，并且可以提高成像装置的光子计数动态范围。
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公开(公告)号：CN110045592B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910413451.0
申请日：2019-05-17
申请人： 湖北京邦科技有限公司
摘要： 本申请实施例公开了时间校正方法、装置、系统及计算机存储介质，该方法包括：剔除所获取的第一计数集合中的符合第一预设条件的第一计数，并且剔除第二计数集合中的与所剔除的第一计数对应的第二计数，其中，第一计数和第二计数分别是TDC产生的粗计数和细计数中的一种和另一种；当所剔除的第二计数不符合第二预设条件时，剔除第二计数集合中的符合第二预设条件的第二计数；根据第一计数集合中剩余的第一计数计算第一时间单位；根据第二计数集合中剩余的第二计数计算第二时间单位；利用所得到的第一时间单位和第二时间单位对这两个触发信号的时间差进行校正。通过利用本申请实施例提供的技术方案可以提高TDC的时间测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN111628033A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010471023.6
申请日：2020-05-28
申请人： 湖北京邦科技有限公司
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本申请公开了一种光电探测装置的制造方法，包括：在所制备的第一衬底上生长出外延层，在外延层中的远离第一衬底的一侧形成第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，其中，第二掺杂区位于第一掺杂区与第三掺杂区之间；在外延层的一侧上方形成反射结构；对第一衬底进行处理以露出外延层中的另一侧；对另一侧进行掺杂处理以形成第四掺杂区；在第四掺杂区下方制备与第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区分别连接的第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘以获得对应的电极。通过利用本申请提供的技术方案，可以提供适合于对波长较长的光子进行探测的装置。
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公开(公告)号：CN107830939B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201711029961.5
申请日：2017-10-30
申请人： 湖北京邦科技有限公司
IPC分类号： G01J11/00
摘要： 本发明公开了一种彩色数字硅光电倍增器像素单元，自上而下依次由对蓝光、绿光和红光敏感的三层探测器及位于探测器层下方的信号处理电路层构成。本发明的有益效果是，1、在单个像素单元内即可探测到红、绿、蓝三基色，利用一个像素就能感应全部色彩信息；2、由于探测单元位于表面而处理电路位于探测单元下方，处理电路并未占用光敏感区域的面积，所以像素单元具有较高的填充因子，因而具有较高的灵敏度，可以方便地应用于较低光通量探测领域；3、得益于单光子雪崩光电二极管的高内部增益，像素数据读出并不需要复杂的读出电路；4、由于在像素级别即实现了输出信号的数字化，从而也大大简化了后续信号处理电路的复杂程度。
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公开(公告)号：CN111540805A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010470264.9
申请日：2020-05-28
申请人： 湖北京邦科技有限公司
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本申请公开了一种半导体装置和光电探测系统，该半导体装置可以包括：衬底；外延层，其位于所述衬底的上方，并且与所述衬底均呈第一导电类型；第一掺杂区，其形成于所述外延层中的远离所述衬底的一侧，呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且通过所述第一掺杂区形成所述半导体装置的输出端；第二掺杂区，其形成于所述一侧并呈所述第二导电类型；第三掺杂区，其形成于所述一侧并呈所述第一导电类型，其中，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间，并且所述衬底、所述第一掺杂区至所述第三掺杂区的掺杂浓度均大于所述外延层的掺杂浓度。通过利用本申请提供的技术方案，可以提高对波长较长的光子的探测效率。
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