-
公开(公告)号：CN112743603A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911036355.5
申请日：2019-10-29
申请人： 湘潭芯力特电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种PVC透底镂空自排水地垫生产线。其包括地垫裁切机，地垫裁切机包括置于其内部的支撑面板、导向辊组、裁切平台、划割装置和压紧装置，支撑面板内设有容纳划割装置的矩形通孔，矩形通孔内置有支撑板；导向辊组将地垫水平输送至裁切平台上；裁切平台正上方设有划割装置；划割装置包括用于推动刀片沿着地垫径向进行直线移动的电动滑轨；压紧装置包括做竖直方向移动的压块。有益效果为：本发明采用划割的方式对辊压成型后的地垫进行切割，切割时地垫变形小，切割口平整，结构简单，操作方便，刀片相比传统剁刀，材料用量小，造价低廉，可运用于各类热塑性塑料成型生产中。
-
公开(公告)号：CN103066972B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310027886.4
申请日：2013-01-25
申请人： 湘潭芯力特电子科技有限公司
IPC分类号： H03K17/22
摘要： 本发明公开了一种带有全局使能脉冲控制自动复位功能的上电复位电路，包括分压模块，电平检测模块，快速响应模块，延时模块，复位脉冲信号产生模块，波形整形模块。分压模块的输入端接外部使能脉冲信号；分压模块的输出端与电平检测模块的输入端、快速响应模块的输出端连接；电平检测模块的输出端与快速响应模块的输入端、延时模块的输入端连接；延时模块的输出端与复位脉冲信号产生模块的输入端连接；复位脉冲信号产生模块的输出端与波形整形模块的输入端连接；波形整形模块的输出端的电压作为上电复位电路的输出信号。本发明中的上电复位电路能在电源上电过程或是全局复位脉冲信号的控制下产生复位脉冲，对数字电路进行复位并自动启动。
-
公开(公告)号：CN112746281A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911036816.9
申请日：2019-10-29
申请人： 湘潭芯力特电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种机械制品电镀用酸洗装置。包括酸洗池以及设置于酸洗池内壁上的酸洗机构，酸洗机构包括沉降组件和晃动组件，晃动组件设置于沉降组件内侧。本发明通过在酸洗池内壁设置沉降组件，并在沉降组件内侧设置晃动组件，使得将机械制品的电镀件放置在托盘内，驱动沉降组件中的电机A带动托盘下降，从而使电镀件浸没在酸溶液中；随后驱动晃动组件中的电机转动，在弹簧的抵压以及托盘右端受凸轮循环挤压，使得托盘内的电镀件发生小范围晃动并转动，从而使电镀件内部以及背面均得以酸洗。
-
公开(公告)号：CN109714024A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811605614.7
申请日：2018-12-26
申请人： 湘潭芯力特电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种温度补偿的CMOS张弛振荡器电路，包括RC充放电网络、迟滞比较器、PD控制模块、缓冲器、二分频；RC充放电网络包含第一电阻、第二电阻、电容，缓冲器包含第一反相器、第二反相器；第一电阻的一端与PD控制模块的输出端、缓冲器的输入端连接，另一端与电容、迟滞比较器的输入端连接，第二电阻的一端与电容连接,另一端与缓冲器的第一反相器的输出端以及第二反相器的输入端、二分频的输入端连接；迟滞比较器的输出端与PD控制模块的第一输入端连接；PD控制模块的输出端与缓冲器的输入端连接，PD控制模块的第二输入端与外部控制信号PD连接；缓冲器的输出端与二分频的输入端连接。本发明在温度补偿和电源敏感性上均得到了提高，降低了电路关断时的漏电流。
-
公开(公告)号：CN103490729B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310434008.4
申请日：2013-09-23
申请人： 湘潭芯力特电子科技有限公司
IPC分类号： H03B28/00
摘要： 本发明公开了一种低功耗晶体振荡器整形电路，第一PMOS管、第三PMOS管、第一NOMS管、第三NOMS管的栅极连接形成信号输入端，第一PMOS管、第一NMOS管的漏极与第二PMOS管、第二NMOS管的栅极连接，第二PMOS管、第二NMOS管的漏极与第四PMOS管、第四NMOS管的栅极连接形成信号输出端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏极与第一POMS管的源极连接，第三NMOS管、第四NMOS管的漏极与第一NMOS管的源极连接，第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源极连接形成电源端，第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的源极连接形成电源地，第二PMOS管与第二NMOS管形成第一反向器。本发明将正弦波信号整形为上升沿和下降沿都非常陡的方波信号，不仅整形电路自身消耗的功率小，而且能够减小后续时钟信号使用电路的功耗。
-
公开(公告)号：CN103490729A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310434008.4
申请日：2013-09-23
申请人： 湘潭芯力特电子科技有限公司
IPC分类号： H03B28/00
摘要： 本发明公开了一种低功耗晶体振荡器整形电路，第一PMOS管、第三PMOS管、第一NOMS管、第三NOMS管的栅极连接形成信号输入端，第一PMOS管、第一NMOS管的漏极与第二PMOS管、第二NMOS管的栅极连接，第二PMOS管、第二NMOS管的漏极与第四PMOS管、第四NMOS管的栅极连接形成信号输出端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏极与第一POMS管的源极连接，第三NMOS管、第四NMOS管的漏极与第一NMOS管的源极连接，第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源极连接形成电源端，第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的源极连接形成电源地，第二PMOS管与第二NMOS管形成第一反向器。本发明将正弦波信号整形为上升沿和下降沿都非常陡的方波信号，不仅整形电路自身消耗的功率小，而且能够减小后续时钟信号使用电路的功耗。
-
公开(公告)号：CN112743698A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911036352.1
申请日：2019-10-29
申请人： 湘潭芯力特电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种甩出式塑料颗粒生产设备。其包括收集箱，收集箱的上端固定连接有控制筒，控制筒中设置有两个定向板和剪切装置，定向板一端和控制筒的内壁固定连接，另一端端部位置开设有圆柱通孔，塑料柱从通孔中穿过，收集箱的内腔顶部位置设置有甩飞装置，甩飞装置和剪切装置相连接，本发明通过简单的构造设计使初步固定的塑料柱从挤出头中挤出来向下移动，塑料柱在两个定向板之间受到刀片的快速切割，产生的塑料颗粒掉落在甩飞装置上，最后被甩飞装置甩飞，落进甩飞装置中，实现塑料颗粒的快速降温，提高了整个生产设备的实用性。
-
公开(公告)号：CN109491447A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811605162.2
申请日：2018-12-26
申请人： 湘潭芯力特电子科技有限公司
IPC分类号： G05F3/24
摘要： 本发明公开一种应用于带隙基准电路的启动电路，包括启动电路模块和带隙基准电路模块，其中启动电路模块由偏置电流产生电路和启动电路构成；所述启动电路用于产生启动电压信号使带隙基准电路工作在稳定态；所述偏置电流产生电路用于产生偏置电流将启动电路关闭。其中偏置电流产生电路的偏置电压是由启动完成后的带隙基准电路提供的。本发明公开的一种应用于带隙基准电路的启动电路，仅采用MOS管和电容两类器件，具有以下优点：可靠性高、器件少、结构简单、芯片占用面积小，且带隙基准电路启动完成后可自行关断，静态功耗极低。
-
公开(公告)号：CN109412594A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811602901.2
申请日：2018-12-26
申请人： 湘潭芯力特电子科技有限公司
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 本发明公开了一种应用于单端逐次逼近型模数转换器的数字自校准方法，主DAC采用两段式结构，校准DAC为单个串联三段式（M+1）位电容阵列，采用“双寄存器”预判的方式实现校准码的回补，包括：校准DAC设计、获取误差码逻辑设计、获取校准码逻辑设计，工作模式分为校准模式和正常转换模式，校准模式测量出待校准位的误差电压，正常转换模式则相应的去补偿测量出的误差电压，以解决由于工艺制造误差引入的电容失配问题，有效的减小整体面积，且能够扩大校准范围，简化校准逻辑控制过程，提高回补校准码的效率。
-
公开(公告)号：CN108134367A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711448593.8
申请日：2017-12-27
申请人： 湘潭芯力特电子科技有限公司
IPC分类号： H02H3/253
摘要： 本发明公开了一种防止芯片掉电后漏电电路，其具有电源端、地、控制端和输出端，所述防漏电电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一二极管、控制电路，第一晶体管的漏极与电源端相连接，源极与输出端VOUT连接，栅极与控制端连接，第二晶体管的源极与输出端相连接，漏极与第一晶体管的栅极相连接，栅极与电源端相连接，衬底与输出端相连接，第三晶体管的漏极与第一晶体管的栅极相连接，源极与地连接，栅极与控制电路相连接，衬底与地连接，第一二极管的阳极与电源端连接，阴极与输出端连接；控制电路与第三晶体管的栅极相连接。本发明结构简单、无静态功耗、器件数量少、便于集成、面积开销小，能够有效的解决芯片在掉电后漏电问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
44 条记录 (耗时 0.043 秒)