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公开(公告)号：CN112824943B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201911140954.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/036
Abstract: 本发明公开了一种辐射不敏感单模光纤，涉及耐辐射光纤领域，该光纤由内至外依次包括：纤芯、过渡包层、下陷包层和外包层；其中，所述纤芯和所述过渡包层均包含掺氟元素的石英材料；所述下陷包层和所述外包层均包含氟元素与耐辐射金属离子共掺的石英材料。本发明提供的辐射不敏感单模光纤不仅具有较低的本征损耗，并且对于总剂量为2MGy内的稳态γ辐射具有良好的辐射耐受性。此外，本发明提供的辐射不敏感单模光纤对85℃温度下的干热老化环境或湿度为85％、温度为85℃下的湿热老化环境具有较强的稳定性，可以克服传统光纤在热核辐射环境下易大幅产生辐致损耗的缺点。
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公开(公告)号：CN113740958A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110996123.5
申请日：2021-08-27
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种高模式数量且弱耦合的少模光纤，其包括由内到外依次设置的椭圆芯层、椭圆环形芯层、椭圆环形下陷包层和外包层；在所述椭圆环形下陷包层上设有两个空气孔，两个所述空气孔关于所述椭圆环形芯层的短轴轴对称；在所述椭圆芯层、椭圆环形芯层和椭圆环形下陷包层中，三者的中心大致重合，三者的长轴位于同一直线上，三者的短轴位于同一直线上；所述椭圆芯层与所述椭圆环形芯层的折射率剖面的形状均为水平直线形；所述椭圆芯层的折射率小于所述椭圆环形芯层的折射率。本申请能够解决相关技术中光纤可用的模式数量较少，远不能满足长距离大容量扩容的需求的问题。
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公开(公告)号：CN112876060A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110145567.8
申请日：2021-02-02
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本申请涉及一种大尺寸光纤预制棒芯棒的制备方法，其包括如下步骤：提供反应管，反应管包括由内到外套设的多个基管；最内侧的基管的内空间，以及任意相邻的两个基管之间的空间，各自形成一个沉积腔；采用PCVD工艺，向各个沉积腔中通入相应的反应气体，并完成沉积工序；执行熔缩工序，得到大尺寸光纤预制棒芯棒。本申请采用多个基管套设形成的反应管，除了最内侧的基管的内壁作为沉积面以外，每增加一个基管，就可以使相邻的两个基管中位于内侧的基管的外表面作为沉积面，从而使得每增加一个基管，就可以多出两个沉积面，这样在进行沉积时，可以大大地提高单位时间内沉积效率。
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公开(公告)号：CN111517634A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010286507.3
申请日：2020-04-13
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本发明公开了一种提高PCVD原料气体沉积均匀性的系统、方法和应用，涉及光纤预制棒生产技术领域。该系统包括衬管、微波发生器和内设测温探头的保温炉；其中，保温炉沿衬管的轴向方向依次设有气端、中间端和泵端区域；微波发生器在各区域的预设输出功率相同；该系统还包括PLC控制单元，其被配置为，根据测温探头反馈的实时位置的设定温度，确定气端区域终止位置或中间端区域起始位置、中间端区域终止位置或泵端区域起始位置，并在气端区域起始位置、泵端区域起始位置改变微波发生器的实际输出功率，且在气端区域和泵端区域维持改变的实际输出功率恒定。本发明操作简单，自动化作业程度高，实现了衬管沉积段整体沉积的均匀性，且有效降低了制棒成本。
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公开(公告)号：CN110357410B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910507965.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 锐光信通科技有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: C03B37/014 , C03B37/025 , C03B37/028
Abstract: 本发明公开了一种用于制造超低衰减光纤的光纤预制棒、方法及光纤，该光纤预制棒包括芯棒和套设在所述芯棒外的套管；所述芯棒包括由内到外依次布置的掺钾芯层和钾氟共掺芯层；所述套管包括由内到外依次布置的内套管和外套管，所述内套管包括由内到外依次布置的深掺氟层和浅掺氟层；所述芯棒与所述内套管之间的间隙形成第一空间。本发明能够解决超低衰减光纤面临的高界面应力引起的衰减，实现超低衰减光纤的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110221382A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910507964.8
申请日：2019-06-12
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 锐光信通科技有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了超低衰减大有效面积的单模光纤，包括由内而外依次布置的芯层、第一包层、第二包层、第三包层和第四包层；第一包层采用掺氟石英；第二包层、第三包层和第四包层采用石英；第三包层上设有由内而外依次布置的至少一层环形微孔层，环形微孔层包括均匀分布的多个微孔，每一环形微孔层中的各微孔的圆心共圆且该圆与芯层同心；芯层采用掺杂有碱金属的石英，芯层包括由内而外依次布置的内芯层和过渡芯层；过渡芯层与第四包层的相对折射率差△n11满足 其中，a为过渡芯层的过度系数，x为过渡芯层内任一点到内芯层边缘的距离。本发明不仅具有超低衰减大有效面积的特性，还可以实现大模场光纤传输，降低大容量传输时的非线性效应。
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公开(公告)号：CN108333671A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810103238.5
申请日：2018-02-01
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抗弯曲多模光纤，涉及光纤领域，包括：芯层，芯层折射率剖面呈抛物线形，且分布指数α为1.95～2.05，芯层的半径R1为8～12μm，芯层的最大相对折射率差Δ1％max为0.8％～1.2％。内包层，其紧密围绕芯层，内包层的半径R2为8～17μm，内包层的相对折射率差Δ2％为-0.1％～0.05％。以及下陷包层，其紧密围绕内包层，下陷包层的半径R3为9～22μm，下陷包层的相对折射率差Δ3％为-0.8％～-0.3％。本发明中的抗弯曲多模光纤抗弯曲性能良好，在受到偶然弯曲后，能够限制信号衰减和信噪比劣化。
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公开(公告)号：CN118621303A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410701216.4
申请日：2024-05-31
Applicant: 烽火藤仓光纤科技有限公司 , 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C23C16/511
Abstract: 本申请公开了一种微波等离子体沉积组件及微波等离子体沉积装置。本申请涉及微波沉积技术领域，所述微波等离子体沉积组件，包括加热炉、玻璃反应管以及谐振腔，所述玻璃反应管，设于所述加热炉内，所述谐振腔，套设于所述玻璃反应管外，呈环状腔体设置，其中，所述谐振腔在所述玻璃反应管的径向上的环状截面中，内环和外环均为方形。通过谐振腔在所述玻璃反应管的径向上呈方形的环状设置，使得微波分布由椭圆形变为方形，激发的等离子体分布的形状也变成方形，等离子体在轴向和径向上分布更均匀，提高了等离子分布的均匀性，减少了多模光纤折射率分布幂指数α值的波动，同时减少了单模光纤预制棒相对折射率的波动。
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公开(公告)号：CN115728863A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211566672.X
申请日：2022-12-07
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种低损耗反谐振空芯光纤，其包括纤芯区域和包层区域；包层区域包括由外到内依次布置的外包层、第一反谐振层和第二反谐振层；第一反谐振层包括多个旋转对称分布的第一椭圆毛细管，且第一椭圆毛细管与外包层相切；第二反谐振层包括多个旋转对称分布的第二椭圆毛细管，且第二椭圆毛细管与第一椭圆毛细管相切，第二椭圆毛细管与第一椭圆毛细管交错排列；以及，第一反谐振层和第二反谐振层的边界围绕而成的区域为纤芯区域。本申请将空芯光纤中的圆型包层管改为椭圆形包层管，通过减小包层管的曲率半径，抑制高阶模的影响，从而可以降低基模限制损耗。而相切的两层椭圆毛细管相互支撑，可以避免其在制备过程中发生形变，提高制备精度。
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公开(公告)号：CN107179579A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710428285.2
申请日：2017-06-08
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/01853 , C03B37/025
Abstract: 本发明公开了一种低损耗光纤及其制造方法，低损耗光纤由内至外依次包括芯层和相邻包层，芯层不含锗，芯层中氟的含量小于或等于0.1wt％，芯层的相对折射率差小于或等于0.05％，相邻包层中氟的含量为1～2wt％，相邻包层的相对折射率差小于或等于‑0.28％；芯层和相邻包层中掺有碱金属卤代物。本发明，在满足芯包折射率设计前提下，在缩棒过程中，通过加入碱金属卤代物，既可以降低1383nm波长处由氢氧根引起的衰减，同时通过优化锗、氟、钾离子掺杂浓度，可以匹配芯层和包层的粘度，从而有效降低了拉丝过程中纤芯应力集中所造成的光纤衰减增加。
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