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发明公开
用于初始化通道的3D半导体装置有权

公开(公告)号：CN104751882A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410342641.5

申请日：2014-07-17

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 高在范

IPC分类号： G11C16/06

摘要： 一种半导体装置包括形成有预定数目个通道的多个层叠裸片。所述半导体装置还包括被配置成将未与层叠裸片电耦接的通道初始化的基底裸片。