一种立体封装SDRAM存储器
    11.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203300643U

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201320230780.X

    申请日:2013-04-30

    Abstract: 本实用新型涉及一种立体封装SDRAM存储器,包括多个SDRAM芯片,还包括从下至上进行堆叠的多个印刷电路板,所述多个印刷电路板包括一引脚印刷电路板及位于所述引脚印刷电路板上方的至少两块置放印刷电路板,引脚印刷电路板上设有用于对外连接的引脚,多个SDRAM芯片设于置放印刷电路板上但不全设于同一置放印刷电路板上;多个印刷电路板经灌封、切割后在周边上露出印刷电路线,并在外表面设有镀金连接线;镀金连接线将所述多个印刷电路板上露出的印刷电路线进行关联连接以形成:多个SDRAM芯片并联连接,引脚作为立体封装SDRAM存储器的对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。

    一种容量为16M×16bit的立体封装NORFLASH存储器

    公开(公告)号:CN203760449U

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201320682874.0

    申请日:2013-10-30

    Abstract: 本实用新型涉及一种容量为16M×16bit的立体封装NOR FLASH存储器,其特征在于,包括四个4Mb×16bit的NOR FLASH芯片,从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层,引线框架层上设有用于对外连接的引脚,四个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于四个芯片层上;所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚,并在外表面设有镀金连接线;镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接,引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。

    一种容量为1M×8bit的立体封装EEPROM存储器

    公开(公告)号:CN203644769U

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201320682922.6

    申请日:2013-10-30

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本实用新型涉及一种容量为1M×8bit的立体封装EEPROM存储器,其特征在于,包括八个128K×8bit的EEPROM芯片,还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层,引线框架层上设有用于对外连接的引脚,八个EEPROM芯片分别分别一一对应地设置八个芯片层上;所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚,并在外表面设有镀金连接线;镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接,引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。

    一种容量为128K×40bit的立体封装EEPROM存储器

    公开(公告)号:CN203644766U

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201320682873.6

    申请日:2013-10-30

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本实用新型涉及一种容量为128K×40bit的立体封装EEPROM存储器,其特征在于,包括五个128K×8bit的EEPROM芯片,还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和五个芯片层,引线框架层上设有用于对外连接的引脚,五个EEPROM芯片分别一一对应地设置在五个芯片层上;所述堆叠的一个引线框架层和五个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚,并在外表面设有镀金连接线;镀金连接线将所述一个引线框架层和五个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接,引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。

    一种1553B总线测试板
    15.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203054826U

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201220620821.1

    申请日:2012-11-21

    Abstract: 本实用新型涉及一种1553B总线测试板,其特征在于,包括:USB驱动模块,其设有与上位机的USB总线连接的USB接口,用于实现设于上位机的检测软件与数据处理模块进行数据交换;1553B电平转换模块,用于转换1553B总线电平以实现所述数据处理模块与1553B总线的数据交换;数据处理模块,其连接USB驱动模块、1553B电平转换模块,接收来自检测软件的控制指令并向1553B总线发出检测数据,然后从1553B总线接收反馈数据并进行分析运算以得出检测结果,再将检测结果发送到上位机的检测软件。本实用新型具有体积和重量相对较小、使用方便的优点。

    一种RS485/RS422总线测试板
    16.
    实用新型

    公开(公告)号:CN202939598U

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201220621497.5

    申请日:2012-11-21

    Abstract: 本实用新型涉及一种RS485/RS422总线测试板,其包括:USB驱动模块,其设有与上位机的USB总线连接的USB接口,用于实现设于上位机的检测软件与数据处理模块进行数据交换;数据处理模块,其设有用于连接RS485总线或RS422总线的通用数据串行接口,其连接USB驱动模块,其接收来自检测软件的控制指令并向RS485总线或RS422总线发出检测数据,然后从RS485总线或RS422总线接收反馈数据并进行分析运算以得出检测结果,再将检测结果发送到上位机的检测软件。本实用新型具有体积和重量相对较小、使用方便的优点。

    一种摄像组件
    17.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207340010U

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:CN201720931055.3

    申请日:2017-07-28

    Abstract: 本实用新型公开一种摄像组件,包括,摄像功能模块;用于安装摄像功能模块的安装基板;通过安装基板与摄像功能模块电连接的连接器;对摄像功能模块、安装基板和连接器实现包裹的安装架;所述摄像功能模块包括从下至上进行堆叠的引脚芯片层、第一功能层和第二功能层,在所述引脚芯片层下部设置有用于对外连接的引脚,在所述第二功能层下部设置有用于电源管理、视频输出的电源管理模块,在所述第二功能层上部设置有用于图像采集的感光CMOS器件。本实用新型通过立体封装技术,从而降低现有机载、箭载摄像组件的不稳定性。

    一种容量为4G×16bit的立体封装NANDFLASH存储器

    公开(公告)号:CN203746837U

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201320682907.1

    申请日:2013-10-30

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本实用新型涉及一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器,其特征在于,包括八个1G×8bit的NAND FLASH芯片,从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层,引线框架层上设有用于对外连接的引脚,八个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于八个芯片层上;所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚,并在外表面设有镀金连接线;镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接,引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。

    一种容量为512K×40bit的立体封装SRAM存储器

    公开(公告)号:CN203644771U

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201320683118.X

    申请日:2013-10-30

    Inventor: 颜军 黄小虎

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本实用新型涉及一种容量为512K×40bit的立体封装SRAM存储器,包括四个容量为256K×16bit的SRAM芯片:第一SRAM芯片、第二SRAM芯片、第三SRAM芯片、第四SRAM芯片,及一个容量为512K×8bit的第五SRAM芯片;还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和五个芯片层,引线框架层上设有用于对外连接的引脚,五个SRAM芯片分别一一对应地设于五个芯片层上;所述堆叠的一个引线框架层和五个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚,并在外表面设有镀金连接线;镀金连接线将所述一个引线框架层和五个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接,引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。

    一种容量为16G×8bit的立体封装NANDFLASH存储器

    公开(公告)号:CN203644767U

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201320682906.7

    申请日:2013-10-30

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本实用新型涉及一种容量为16G×8bit的立体封装NAND?FLASH存储器,其特征在于,包括四个4G×8bit的NAND?FLASH芯片,从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层,引线框架层上设有用于对外连接的引脚,四个NAND?FLASH芯片分别一一对应地设于四个芯片层上;所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚,并在外表面设有镀金连接线;镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接,引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。

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