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公开(公告)号：CN114069206A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010741777.9
申请日：2020-07-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种宽带耦合天线的馈电结构，包括双环耦合天线，半圆环微带馈线端和微带阻抗匹配段；所述双环耦合天线间隔地位于所述半圆环微带馈线端的一侧，所述半圆环微带馈线端的另一侧与所述微带阻抗匹配段直接连接；所述双环耦合天线包括外环和位于所述外环中的内环；所述外环具有第一开口，所述内环具有第二开口，所述微带阻抗匹配段采用微带短截线实现。本发明的宽带耦合天线的馈电结构，采用半圆环耦合形式，并使用双环微带天线的开放式结构，在测量大规格基片上生长的薄膜样品ESR过程中，能提供范围超过2mm2的均匀强磁场区，能够完全覆盖薄膜样品，在放弃部分增益的情况下，拓展了近乎一倍的带宽，提高了ESR的测试灵敏度。
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公开(公告)号：CN109506808B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201811601602.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K11/22
Abstract: 一种具有单调和线性输出特性的SAW温度传感器及其设计方法，属于声表面波传感器技术领域。本发明通过在同一压电基片上设计两个除平行外位置任意的SAW谐振器并进行连接作为SAW温度传感器使用，在设计两个SAW谐振器的结构参数使得二者谐振频率满足TCF21f01＝TCF22f02，进而设计得到一种具有单调线性输出特性的SAW温度传感器。本发明提供的SAW温度传感器在测试时只需两个标定参数，并且其输出随温度变化呈现单调线性变化。相比传统SAW温度传感器，在实现全范围测温的同时明显简化了测试的标定过程，降低了计算复杂度。
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公开(公告)号：CN106501798B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201611245251.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于微波测距技术领域，提供一种带有自校准功能的双探针微波叶尖间隙测试系统，用以克服现有系统中参考信号存在不足以及温度变化引起的谐振频率偏移导致测量误差增大的缺陷。本发明包括：功分器、检测电路、基准电路、数据处理模块，由功分器产生幅度和相位均相同的两路微波信号，分别输入检测电路和基准电路，分别产生检测信号和参考信号输入数据处理模块得到微波叶尖间隙。本发明通过设定固定间距的模拟叶片，检测电路与基准电路为完全对称电路结构，有效避免温度变化引起的谐振频率的偏移带来的影响；参考信号由基准电路产生，包含入射波经过环形器和探针产生的相移；即大大降低测量误差；实现自校准双探针微波叶尖间隙测试。
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公开(公告)号：CN108107383A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711390326.X
申请日：2017-12-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性材料与元器件技术领域，具体为一种线性各向异性磁阻传感器及其制备方法。本发明将互不连通的N个平行四边形磁阻条，互不连通的N‑1～N+1个平行四边形导电层，以互相交错的方式平铺设置于基片上同一水平面，磁阻条通过嵌入的导电层实现电连通；这使所有磁阻部分的电流方向相同且清晰，明显降低输出电信号的噪音；嵌入在磁阻条中的导电层不需要以厚度来实现改变电流方向的作用，降低了整个器件的厚度，提高了结构稳定性。最终本发明在保证电流偏置效果的前提下，实现了导电层更薄和输出信号噪音更少。
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公开(公告)号：CN106443218A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611048902.8
申请日：2016-11-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R29/24
CPC classification number: G01R29/24
Abstract: 本发明属于表面电荷测量技术领域，特别是一种利用开尔文探针力显微镜技术的表面电荷测量方法。本发明利用开尔文探针力显微镜本身自带的光纤干涉仪通过测量干涉激光强度的变化来测量探针的偏移量，完成对针尖到样品的距离修正，利用针尖与样品的实际距离和静电力的关系最终获得可靠的表面电荷密度，对于材料与器件表面电荷的研究具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101667673B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910167733.3
申请日：2009-09-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/387
Abstract: 该发明属于固体电子器件中的集成式微带铁氧体环行器，包括底部设有凹槽的介电质或半导体基片及设于凹槽内的高电导率金属块或接地膜，附着于基片上部的铁氧体膜片，紧贴于铁氧体膜片上的高电导率中心结及其匹配段，位于基片底面的高电导率接地膜。该环行器由于在基片底面增设了凹槽，并在凹槽内置入了与其相同体积的金属块或在其内表面覆盖接地膜，其有效磁导率张量k/μ得到大幅度提高，而结阻抗则大幅度降低，在相同性能的前提下与背景技术相比、环行器的体积、厚度则可有效降低；从而具有在确保铁氧体环行器的性能和可靠性的前提下，可有效减小其体积、厚度；实现小型化、平面化、便于微波电路的集成，促进单片微波集成电路发展等特点。
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公开(公告)号：CN101599364B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910059863.5
申请日：2009-07-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及钡铁氧体薄膜，尤其是c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法。首先将硝酸铁、硝酸钡溶于水和乙二醇的混合溶剂中，得到混合溶液A；然后取一定体积L的混合溶液A，并按0.05~0.20g/ml的比例加入PVP，溶解得到溶胶B；再将步骤2溶胶B旋涂于(001)晶向的蓝宝石基片上，形成薄膜C；再薄膜C进行干燥和热处理，即得到c轴取向钡铁氧体薄膜。本发明具有工艺流程简单、成本低，对生产设备要求不高的特点；并且可实现薄膜的成分的方便调节和膜层厚度的控制。本发明所制备的c轴取向钡铁氧体薄膜具有结构和性能上的各向异性，可用于磁记录介质材料、微波铁氧体器件中。
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公开(公告)号：CN1921164A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510021533.9
申请日：2005-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压控可调薄膜电感，它是在压电陶瓷基底上，制备包含磁性层的薄膜电感，利用压电陶瓷的逆压电效应和磁性薄膜的逆磁致伸缩效应，通过外加电压，调节压电陶瓷基底的形变，改变磁性薄膜的磁导率，最终实现薄膜电感值大小的调节。这种压控可调薄膜电感可广泛应用到移动通讯系统、T/R组件、GPS、滤波器组件、低噪声压控振荡器、网络阻抗匹配等系统。
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公开(公告)号：CN1624846A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200310111073.X
申请日：2003-12-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明提供的一种微波/射频微机械开关，它包括：锚位1，基底2，信号线5，悬臂梁6，接触金属层7，信号线8，外加磁场导线9，磁致伸缩层10，其特征是它还包括磁致伸缩层10；在基底2上为锚位1、外加磁场导线9以及信号线5和8平行排列；悬臂梁6的固定端在锚位1上，悬空部分位于外加磁场导线9以及信号线5和8正上方；磁悬臂梁6上为磁致伸缩层10；接触金属层7位于悬臂梁6悬空部分的正下方。本发明的磁致伸缩型微波/射频微机械开关具有驱动电压低、响应时间短的特点。
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公开(公告)号：CN118705983A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410658626.5
申请日：2024-05-24
Applicant: 中国空间技术研究院 , 贵州航天电器股份有限公司 , 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁传感的高精定位连接器测量方法，具体步骤包括：选取单个磁传感器，对空间中的永磁体的三轴磁场强度进行实时测量，获取实时三轴磁场强度；加载神经网络模型，将所述实时三轴磁场强度输入神经网络模型，获取转换的柱坐标系坐标(r、θ、z)；将所述柱坐标系坐标(r、θ、z)转换为直角坐标系坐标(x、y、z)，获得永磁体的位置信息，实现连接器的空间位置测量。连接器装置所应用的磁传感定位技术是基于磁传感器通过神经网络所建立的拟合函数，利用磁传感器对目标永磁体进行实时磁场测量，并将三轴磁场信息转换为坐标信息，实现了对目标永磁体的实时跟踪定位。
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