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公开(公告)号：CN104789926B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510104491.9
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供了一种金属基薄膜传感器的制备方法，属于传感器生产技术及薄膜科学与技术领域。本发明在电子束蒸发沉积Al2O3绝缘层后，采用高压蒸汽封闭法处理Al2O3绝缘层，即将带Al2O3绝缘层的复合基板放入装有去离子水的反应釜内，在温度为100～200℃、反应釜内气压为1～10atm的条件下处理5～50min，取出并干燥，然后再进行薄膜传感器功能层及Al2O3保护层的制备。本发明通过对Al2O3绝缘层进行高压蒸汽封闭法处理，有效提高了Al2O3绝缘层的致密性和绝缘性能，有效防止了贵金属功能层与合金基板的导通现象，降低了期间的实效几率，有助于延长薄膜传感器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104789926A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510104491.9
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供了一种金属基薄膜传感器的制备方法，属于传感器生产技术及薄膜科学与技术领域。本发明在电子束蒸发沉积Al2O3绝缘层后，采用高压蒸汽封闭法处理Al2O3绝缘层，即将带Al2O3绝缘层的复合基板放入装有去离子水的反应釜内，在温度为100～200℃、反应釜内气压为1～10atm的条件下处理5～50min，取出并干燥，然后再进行薄膜传感器功能层及Al2O3保护层的制备。本发明通过对Al2O3绝缘层进行高压蒸汽封闭法处理，有效提高了Al2O3绝缘层的致密性和绝缘性能，有效防止了贵金属功能层与合金基板的导通现象，降低了期间的实效几率，有助于延长薄膜传感器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104726862A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510104153.5
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、Al2O3热生长层、非晶YAlO过渡层、Al2O3绝缘层、薄膜传感器功能层、Al2O3保护层，其中，非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能，降低器件的失效几率，为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN106370247A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610804131.4
申请日：2016-09-06
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
CPC分类号： G01F1/692 , B81C1/00015 , G01F1/684 , G01F1/6845
摘要： 一种基于聚合物的流量传感器及其制备方法，属于流量传感器技术领域。自下而上依次为支撑层、柔性衬底、薄膜电阻层、柔性覆盖层，所述薄膜电阻层包括加热电阻、下风向测量电阻和上风向测量电阻，所述支撑层面向柔性衬底的一面开有凹槽，凹槽位于加热电阻、下风向测量电阻和上风向测量电阻的正下方。本发明流量传感器采用柔性衬底作为载体，通过位于衬底下方的带凹槽的支撑层减小热传导，柔性衬底作为流量传感器的载体，可有效提高传感器表面薄膜结构的强度，不易破碎塌陷，且耐低温、耐酸，大大提高了流量传感器的适用范围；本发明流量传感器采用聚合物支撑层代替传统的硅基板，省略了氮化硅的生长与刻蚀等过程，减小了工艺难度和成本。
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公开(公告)号：CN106225959A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610545724.3
申请日：2016-07-04
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
CPC分类号： G01K17/08 , G01K7/16 , G01K17/006
摘要： 一种柔性薄膜热流传感器，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。自下而上依次为下封装层、冷端温度敏感薄膜电阻对、柔性衬底、热端温度敏感薄膜电阻对和上封装层，所述柔性衬底中设置贯穿柔性衬底的电极，用于将冷端温度敏感薄膜电阻对和热端温度敏感薄膜电阻对形成一个惠斯通电桥，冷端温度敏感薄膜电阻对和热端温度敏感薄膜电阻对中的电阻的阻值为10-1000Ω。本发明热流传感器中温度敏感薄膜电阻的厚度非常小，具有更快的响应速度，响应时间大约为0.1s；本发明热流传感器采用柔性衬底作为传感器的载体，可以实现与异构件表面的紧密贴合，进而实现对异构件表面热流的精准测量，大大提高了薄膜热流传感器的适用范围。
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公开(公告)号：CN105970168A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610524876.5
申请日：2016-07-04
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 一种薄膜传感器用复合绝缘层，属于薄膜传感器技术领域。包括四层结构，自下而上依次为非晶Al‑O‑N扩散阻挡层、Al‑O‑N至Al2O3过渡层、电子束蒸发Al2O3薄膜层、微晶Al2O3氧扩散阻挡层。本发明复合绝缘层中的非晶Al‑O‑N薄膜致密性好且呈非晶状态，对金属原子具有良好的扩散阻挡效果；过渡层能有效改善非晶Al‑O‑N层与Al2O3层间的附着力；Al2O3薄膜层之上的微晶层在高温下能有效阻止外界氧原子扩散进入Al‑O‑N层，保持了高温富氧环境中Al‑O‑N薄膜的非晶状态，使得复合绝缘层在高温富氧的工作环境中依然具有良好的绝缘性，有效保证了薄膜传感器在高温环境中的稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN105970168B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610524876.5
申请日：2016-07-04
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 一种薄膜传感器用复合绝缘层，属于薄膜传感器技术领域。包括四层结构，自下而上依次为非晶Al‑O‑N扩散阻挡层、Al‑O‑N至Al2O3过渡层、电子束蒸发Al2O3薄膜层、微晶Al2O3氧扩散阻挡层。本发明复合绝缘层中的非晶Al‑O‑N薄膜致密性好且呈非晶状态，对金属原子具有良好的扩散阻挡效果；过渡层能有效改善非晶Al‑O‑N层与Al2O3层间的附着力；Al2O3薄膜层之上的微晶层在高温下能有效阻止外界氧原子扩散进入Al‑O‑N层，保持了高温富氧环境中Al‑O‑N薄膜的非晶状态，使得复合绝缘层在高温富氧的工作环境中依然具有良好的绝缘性，有效保证了薄膜传感器在高温环境中的稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN104726862B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510104153.5
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、Al2O3热生长层、非晶YAlO过渡层、Al2O3绝缘层、薄膜传感器功能层、Al2O3保护层，其中，非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能，降低器件的失效几率，为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN118241270A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410339582.X
申请日：2024-03-22
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于柔性电子领域，具体涉及了一种柔性薄膜结构的制备方法，用于柔性器件研究中实现对柔性薄膜结构的快速、大批量制备。具体为使用电化学沉积法在离子注入晶圆的注入侧沉积一层铜(Cu)或镍(Ni)等常见电化学沉积金属作为薄膜的机械支撑衬底，利用离子注入剥离技术(CIS)将离子注入晶圆上的薄膜剥离，最终获得金属衬底厚度在微米量级，薄膜厚度在微米或者亚微米量级的柔性薄膜结构。本发明使用电化学沉积法生长金属衬底实现耐高温柔性金属衬底与薄膜材料的结合，解决了传统键合方案中键合材料或不耐受高温或键合状态不稳定的问题，可有效增强柔性薄膜结构的可靠性与稳定性。总之，以电化学沉积金属层作为衬底可提升柔性器件的极限工作温度，拓展应用场景，同时在整个工艺过程中，电化学沉积工艺成熟可靠、成本低廉、适合大规模制备柔性薄膜结构。
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公开(公告)号：CN118197997A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410335262.7
申请日：2024-03-22
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/428
摘要： 本发明涉及薄膜器件制造加工领域，具体为一种用于单晶衬底的层分离方法。本发明采用质量小、穿透力强的荷能粒子，将荷能粒子在目标单晶衬底预设的剥离界面进行聚焦从而形成损伤层，该工艺剥离深度范围大且可控，且仅在聚焦点处形成相对较小的损伤、而不影响其它地方晶体；因此经过损伤层分离处理后的衬底仍然具有高的晶体质量，经过热退火、表面平坦化等处理过后可以重复利用。本发明有效解决了现有技术因单晶衬底无法回收利用导致成本较高的问题，为制备特定的薄层单晶衬底提供了一种新的路径。
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