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公开(公告)号：CN104252975A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410474771.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01G11/86
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造扣式超级电容器电极的方法，包括：将活性炭、导电聚合物和乙炔黑的粉末均匀混合，获得混合粉末材料；将粘接剂溶于溶剂中，获得粘接剂溶液；将混合粉末材料加入粘接剂溶液中，形成泥状材料；对泥状材料进行球磨处理；用经过了球磨处理的泥状材料形成薄片，获得所述扣式超级电容器电极。本发明的实施例中的制造扣式超级电容器电极的方法，效率高，过程简单，其制得的扣式超级电容器电极具有比电容高、循环稳定性好等优点，适用于扣式超级电容器电极。
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公开(公告)号：CN104252974A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410474699.5
申请日：2014-09-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造复合薄膜材料的方法，包括：将氧化石墨粉末分散在溶剂中，超声辅助下获得氧化石墨烯分散液；在氧化石墨烯分散液中加入硫酸锰粉末和高锰酸钾水溶液，反应生成二氧化锰，获得混合溶液；将混合溶液涂在基片上并烘干，获得氧化石墨烯/二氧化锰复合薄膜；用激光脉冲对所述氧化石墨烯/二氧化锰复合薄膜进行图形雕刻和还原处理，获得还原氧化石墨烯/二氧化锰复合薄膜。本发明的实施例中的方法，工艺简单，易于操作和控制，原料廉价，对环境友好，获得的复合薄膜具有高的电导率和大的比表面积，适合做电化学电容器电极，还可用于生物传感材料、锂离子电池的电极材料等方面。
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公开(公告)号：CN103972382A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410178882.0
申请日：2014-04-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L43/14
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造半导体材料的方法，包括：对衬底基片进行预处理；将预处理后的衬底基片置于反应室中，在衬底基片上生长形成第一氮化铝层；在第一氮化铝层上生长形成氮化镓层；在氮化镓层上生长形成第二氮化铝层。根据本发明的实施例的方法制造的半导体材料中，形成了AlN/GaN/AlN结构的量子阱。在该量子阱结构中，由于AlN和GaN的自发极化不同，在两个异质结面行成相反的两种极化电荷，进一步的行成强的内建电场，驱使量子阱内能带反转，形成稳定的且低电阻的运输态。这样，不需要额外的外加电场驱使量子阱形成拓扑绝缘态，提高了半导体器件的稳定性和可靠性，降低了器件的能耗。
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公开(公告)号：CN103887075A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410144026.3
申请日：2014-04-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造高比容电极薄膜的方法，包括：采用反向胶束聚合法合成石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构复合溶液，然后制备石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构复合纳米薄膜，接着采用快速升温干燥法制备多孔石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构复合纳米薄膜，最后采用电化学方法制备石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构/金属氧化物复合纳米薄膜，从而获得一种高比容电极薄膜。该方法制备的复合纳米电极为多组份的复合纳米薄膜，在高比容量电化学储能材料上具有广泛的用途。
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公开(公告)号：CN103680994A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310694326.4
申请日：2013-12-18
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造高比容电极薄膜的方法，包括：采用LB膜法沉积氧化石墨烯LB膜，并将其还原为还原氧化石墨烯；然后采用电化学方法在还原氧化石墨烯表面沉积金属氧化物层；最后采用化学气相聚合沉积方法在金属氧化物上沉积导电聚合物层，从而获得一种高比容复合电极薄膜。该方法制备的高比容电极薄膜中，以还原氧化石墨烯为基体，具有较高的比表面积，然后分别沉积金属氧化物和导电聚合物，使得电极薄膜材料同时具有双电层电容和赝电容，从而可以大大增加电极的比容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102623183B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201210112205.X
申请日：2012-04-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电解电容器的制备方法，该电容器采用金属纳米粒子多孔烧结体为阳极基体，首先通过电化学沉积方法在多孔烧结阳极体表面沉积金属氧化物纳米薄膜作为电容器介电材料，然后通过化学溶液自组装方法在介电材料表面制备导电聚合物薄膜，最后在导电聚合物层表面采用原子沉积方法制备阴极引出薄膜，从而形成一种层状的电解电容器结构。该方法所提供的电解电容器制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN103413696A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310384185.6
申请日：2013-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造纳米银胶体修饰的柔性电极的方法，包括：氧化石墨烯分散于去离子水中，获得氧化石墨烯分散液；进行磺化反应，获得磺化氧化石墨烯分散液；进行还原处理，获得磺化石墨烯；将磺化石墨烯研磨成磺化石墨烯粉末并分散于去离子水，获得磺化石墨烯分散液；在磺化石墨烯分散液中加入纳米银胶体并超声分散，获得纳米银胶体修饰的磺化石墨烯分散液；抽滤纳米银胶体修饰的磺化石墨烯分散液，获得纳米银胶体修饰的磺化石墨烯薄膜。根据本发明的上述实施例的方法制造的柔性电极，具有电导率高、机械性能好、比容量高、质量轻等优点。
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公开(公告)号：CN103412001A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310331751.7
申请日：2013-08-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造气体敏感纳米薄膜的方法，包括：将氧化石墨烯分散于第一溶剂中，获得氧化石墨烯分散溶液；将铁基氧化剂溶于第二溶剂中，获得铁基氧化剂溶液；以铁基氧化剂溶液为LB成膜法的亚相，用氧化石墨烯分散溶液在气敏器件上形成氧化石墨烯薄膜；将氧化石墨烯薄膜置于导电聚合物单体气氛中进行聚合反应，然后进行还原处理，获得所述气体敏感纳米薄膜。根据本发明的方法制造的气体敏感纳米薄膜的厚度处于纳米级，由导电聚合物与氧化石墨烯复合而成，并且具有多层膜结构，具有良好的气敏性能。
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公开(公告)号：CN103319736A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310246514.0
申请日：2013-06-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造高介电复合薄膜的方法，包括：将微米钛酸钡、纳米钛酸锶和聚偏氟乙烯粉末均匀混合；将混合材料粉末溶于有机溶剂中；将有机混合溶液在室温下真空静置脱泡；将有机混合溶液在基板上流延刮膜形成平板膜；加热平板膜使有机溶剂挥发，获得聚偏氟乙烯-钛酸钡-钛酸锶复合薄膜。通过本发明的实施例中的方法，可将纳米粒径的钛酸锶粒子填充入微米粒径的钛酸钡粒子之间的空隙之中，可以使钛酸钡粒子的堆积更加的紧密，从而可以较大的提高获得的复合薄膜的介电常数并降低损耗。
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公开(公告)号：CN103310905A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210440876.9
申请日：2012-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了制造纳米复合导电薄膜的方法，包括：在基片上形成第一有机纳米材料薄膜层并还原处理获得第一有机导电薄膜层；在第一有机导电薄膜层上形成导电聚合物薄膜层；在导电聚合物薄膜层上形成第二有机纳米材料薄膜层并还原处理获得第二有机导电薄膜层；从基片剥离各层获得复合导电薄膜。本发明的实施例中，纳米复合导电薄膜的厚度可以通过有机纳米薄膜和/或导电聚合物薄膜的层数来进行调控，并且可以实现薄膜的高比表面积、高机械强度和高电导率等，制备方法合理简单，易于操作。
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