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公开(公告)号：CN109061323A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810813317.5
申请日：2018-07-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R29/10
CPC分类号： G01R29/10
摘要： 本发明属于微波测量技术领域，具体提供一种采用球面幅度扫描的近场天线测量方法，该方法是一种球面近场无相位测量方法，测量包围待测天线的两个球面的电场幅度信息，将电/磁偶极子分布在天线的主辐射面上，建立偶极子的激励与球面电场分布关系的方程，通过两个球面间的迭代计算，从而得到具有与待测天线相同辐射特性的偶极子等效模型，基于该模型，能够计算待测天线在空间中的近远场分布，并且在距离天线的不同球面半径上具有较高的精度。
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公开(公告)号：CN108446437A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810126969.1
申请日：2018-02-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种阵列天线宽波束增益优化方法，属于阵列天线技术领域。本发明的技术方案为：以阵列天线的功率增益表达式为代价函数，构建优化模型，并通过迭代方法对所述优化模型进行求解，得到优化的阵元的权系数，从而完成对阵列天线的功率增益优化。相比较于传统的以天线方向图表达式为代价函数的方法，提高了阵列天线在宽主瓣波束范围内的增益。
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公开(公告)号：CN107315881A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710524322.X
申请日：2017-06-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了用于电磁散射仿真模型的半空间格林函数与射线追踪方法，包括如下步骤：确定电特性为金属属性的目标模型和下方粗糙面，粗糙面位于XOY坐标平面，粗糙面的高度平均值为z＝0，目标模型位于粗糙面上方，根据目标模型剖分得到目标模型几何信息；将雷达照射下的粗糙面移除，采用包围盒对目标模型进行包围，将包围盒向-z方向拉伸至-zmax，采用射线追踪方法对目标模型进行寻迹判定等操作，从而求得电磁感应电流、半空间格林函数以及远场条件下的雷达散射场。本方案采用上述原理求解目标位于随机粗糙面上的差场雷达散射截面回波信息，提高电磁仿真算法的计算精度和效率。
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公开(公告)号：CN118299802A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410369590.9
申请日：2024-03-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种应用于毫米波探测的Ka/V波段双频锥状天线，包括上半部分的方型金属结构、下半部分的方型金属结构、同轴波导、开口圆波导和馈电网络；开口圆波导为主要辐射部分，通过同轴波导过渡到开口圆波导，使开口圆波导工作在TM模式，以产生径向对称的电场分布，通过调整开口圆波导的尺寸，使得开口圆波导中存在TM01模和TM02模，以分别产生Ka/V波段电磁波。本发明利用屏蔽微带线激励起同轴波导的基模TEM模再过渡到圆波导的TM模，能够抑制其他不需要的模式，从而能够使天线的全向辐射更均匀。同轴波导为半径变化的阶梯式同轴波导。波导内径阶梯变化的结构可以很好地实现阻抗匹配。结构简单，易于实现，并且具有双频双倾角的辐射特性。
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公开(公告)号：CN114336074B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210001805.2
申请日：2022-01-04
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明的目的在于提供一种具有独立可开关特性的双频带通型频率选择表面，属于频率选择表面技术领域。该频率选择表面为多层PCB结构，包括两层矩形贴片、两层介质层和一层金属地板；该频率选择表面基于矩形贴片的主模TM010及其第一高次模TM100实现了双频响应；同时，在两层矩形贴片上分别加载PIN二极管，通过直流偏置信号对两层上的加载二极管分别控制，从而实现对两个工作频率的独立可开关控制。并且，FSS单元为对称结构，可选通任意线极化入射的电磁波，具有较强的实用性。
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公开(公告)号：CN116315635A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310255332.3
申请日：2023-03-16
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于可重构天线技术领域，具体提供一种基于共模和差模理论的方向图可重构天线，用以解决现有方向图可重构天线存在的尺寸过大、成本较高、结构复杂及重构状态少等问题，进而满足天线小型化、低成本、多状态方向的发展需求。本发明基于共模/差模原理，多组态方向图共用同一辐射单元，采用双馈电结构，对其一单独馈电时、天线产生正向辐射方向图或锥形方向图，对两个耦合馈电结构等幅同相或反相馈电时、天线产生左倾斜方向图或右倾斜方向图。综上，本发明能够实现正向辐射方向图、锥形方向图和左右两种倾斜方向图之间的重构，重构方式简单且具有普适性；同时，天线具有结构简单、尺寸小与成本低等优点。
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公开(公告)号：CN114448483B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202111305992.5
申请日：2021-11-05
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H04B7/06
摘要： 本发明提供一种基于非均匀子阵结构的低副瓣波束赋形方法，包括：确定子阵类型以及相关参数；建立并求解非凸优化问题的非均匀间距子阵优化模型得到最佳阵列激励与阵元位置；根据得到最佳阵列激励、最佳阵元位置以及确定的子阵类型完成波束赋形。本发明通过联合优化阵元位置、子阵结构和子阵激励值，从而得到满足阵元间距约束的子阵级波束赋形阵列，实现非均匀子阵结构的低副瓣波束赋形。相较于传统子阵级波束赋形方法，本发明在相同子阵个数约束的条件下，能够获得更低的主瓣纹波和副瓣电平，适用于任何波束形式。
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公开(公告)号：CN114883808B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210562233.5
申请日：2022-05-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明的目的在于提供一种基于SIW的单层三通带频率选择表面，属于人工电磁材料技术领域。该频率选择表面仅设置一层介质基板，通过SIW技术与传统方环型FSS相结合，实现三个通带，且该频率选择表面具有对称特征，使得整体具有双极化特性，且在不同极化下可以保持高达40°的高角度稳定性。
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公开(公告)号：CN111262612B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202010047703.5
申请日：2020-01-16
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种基于笔形波束的阵列赋形波束解析合成方法，设计的阵列权系数的计算只与阵列单元个数和角度采样相关，可以对阵列权系数进行直接描述，即通过解析方法来计算阵列权系数以完成波束合成，包括步骤：1)初始化步骤；2)确定笔形波束对应的阵列权系数wPBP；3)根据笔形波束对应的阵列权系数wPBP构造笔形波束；4)利用笔形波束构建主瓣内各采样点对应的阵列波束向量FPBP；5)计算赋形波束对应的加权系数6)得到合成的赋形波束fSBP(θ)与阵列中各个阵元的阵列权系数ωn。本发明大大加快了阵列赋形波束的合成速度，适应于解决大型阵列波束赋形问题。
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公开(公告)号：CN111062142B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201911391940.7
申请日：2019-12-30
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种基于线性规划的阵列天线宽波束增益优化方法，以阵列天线的功率增益为代价函数，构建以阵列权系数为变量的线性规划问题，直接求解阵列权系数，通过阵列单元的优化加权，实现阵列天线宽波束增益优化。相比较于传统以天线方向图为代价函数的方法，本发明提高宽主瓣内的最小增益值，从而在宽主瓣波束范围内，得到比传统方法更高的阵列天线的增益。
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