公开(公告)号：CN102224206A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980147141.3

申请日：2009-11-20

申请人： 花王株式会社

发明人： 平石笃司 ,  成田将之 ,  佐藤孝洋 ,  代田协一 ,  土井康广 ,  吉田宏之 ,  清水祐介

IPC分类号： C09D11/00 ,  B41J2/01 ,  B41M5/00

CPC分类号： C09D11/322 ,  C09D11/326

摘要： 本发明提供：〔1〕一种喷墨记录用水分散体，其含有包含阴离子性有机颜料粒子和阳离子性聚合物的链状粒子，其中，构成该链状粒子的有机颜料一次粒子在全部颜料一次粒子中所占的比例为10个数％以上；〔2〕含有该水分散体的喷墨记录用水性油墨；〔3〕上述〔1〕的喷墨记录用水分散体的制造方法；〔4〕含有通过该方法得到的水分散体的喷墨记录用水性油墨。该喷墨记录用水分散体及水性油墨的打印浓度优异。

公开(公告)号：CN100364061C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200480013411.9

申请日：2004-06-04

申请人： 花王株式会社

发明人： 田村敦司 ,  土井康广

IPC分类号： H01L21/304 ,  G03F7/42

摘要： 本发明涉及一种剥离洗涤半导体基板或半导体元件的方法，其使用剥离剂组合物对含有金属配线的半导体基板或半导体元件进行剥离洗涤，其中所述剥离剂组合物含有由标准试验(A-1)测定的氧化铝溶解量为10ppm或以上的溶解剂以及由标准试验(B-1)测定的铝浸蚀量为7nm或以下的抑制剂，而且实质上不含有含氟化合物；涉及一种半导体基板或半导体元件的制造方法，其中所具有的工序包括该方法；以及涉及一种包含特定的酸以及特定的无机酸盐和/或有机酸盐的剥离剂组合物。本发明的剥离洗涤方法以及剥离剂组合物可以适用于更高速度、更高集成度、品质优良的LCD、存储器、CPU等电子部件的制造，其中尤其适用于使用了含有铝和/或钛的配线材料的半导体基板以及半导体元件的洗涤。

公开(公告)号：CN1791969A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200480013411.9

申请日：2004-06-04

申请人： 花王株式会社

发明人： 田村敦司 ,  土井康广

IPC分类号： H01L21/304 ,  G03F7/42

摘要： 本发明涉及一种剥离洗涤半导体基板或半导体元件的方法，其使用剥离剂组合物对含有金属配线的半导体基板或半导体元件进行剥离洗涤，其中所述剥离剂组合物含有由标准试验(A－1)测定的氧化铝溶解量为10ppm或以上的溶解剂以及由标准试验(B－1)测定的铝浸蚀量为7nm或以下的抑制剂，而且实质上不含有含氟化合物；涉及一种半导体基板或半导体元件的制造方法，其中所具有的工序包括该方法；以及涉及一种包含特定的酸以及特定的无机酸盐和/或有机酸盐的剥离剂组合物。本发明的剥离洗涤方法以及剥离剂组合物可以适用于更高速度、更高集成度、品质优良的LCD、存储器、CPU等电子部件的制造，其中尤其适用于使用了含有铝和/或钛的配线材料的半导体基板以及半导体元件的洗涤。

公开(公告)号：CN1645571A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410103689.7

申请日：2004-12-24

申请人： 花王株式会社

发明人： 田村敦司 ,  土井康广

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/321 ,  C11D7/34 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/423 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/361 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02071

摘要： 本发明提供一种用于清洗具有铝布线的半导体元件的含硫清洗剂组合物，其可以在保护膜形成试验中，在铝膜的表面上形成含有硫原子的保护膜。另外，本发明提供一种在铝布线的表面上具有含有硫原子的保护膜的半导体元件，其在自该保护膜的表面沿其厚度的方向至少5nm以内的区域中含有硫原子。而且，本发明还提供一种半导体元件的制造方法，其具有使半导体元件的铝布线同该含硫清洗剂组合物相接触，从而在该铝布线的表面上形成含硫保护膜的工序。本发明的半导体元件适用于在LCD、存储器、CPU等电子部件的制造中。其中，特别适合制造细微化发展的高集成半导体。