公开(公告)号：CN119563142A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380054011.5

申请日：2023-07-19

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 武田谕 ,  柴山亘

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：[A]成分：聚硅氧烷；[B]成分：硫酸、多官能磺酸、或它们的盐；以及[C]成分：溶剂。

公开(公告)号：CN119356049A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411471483.3

申请日：2019-09-04

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 上村哲也

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  C11D7/26 ,  C11D7/10 ,  C11D7/60 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/42 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明提供一种在用作显影液或冲洗液时，能够形成图案间隔的偏差得到抑制的抗蚀剂图案的药液、药液容纳体、抗蚀剂图案形成方法及半导体芯片的制造方法。本发明的药液含有乙酸正丁酯及乙酸异丁酯，所述药液中，相对于药液总质量，乙酸正丁酯的含量为99.000～99.999质量％，相对于药液总质量，乙酸异丁酯的含量为1.0～1000质量ppm。

公开(公告)号：CN119256273A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380042473.5

申请日：2023-05-23

Applicant: 默克专利有限公司

Inventor： 柳田浩志 ,  山本和磨

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38

Abstract: 本发明提供一种可显影的抗蚀剂上层膜组合物、以及制造抗蚀剂上层膜图案及抗蚀剂图案的方法。

公开(公告)号：CN119173985A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202380039777.6

申请日：2023-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉越大祐 ,  清水祐介 ,  田原慈

IPC: H01L21/3065 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26

Abstract: 提供了在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上准备具有蚀刻对象膜和设置在蚀刻对象膜上的含金属膜的基板的工序，含金属膜具有被曝光的第一区域和未曝光的第二区域；(b)使用由包括含氟气体或含氧气体中的任一种气体的第一处理气体生成的第一等离子体，对含金属膜进行改性的工序；和(c)使用由第二处理气体生成的第二等离子体，相对于第二区域选择性除去改性后的含金属膜的第一区域的工序。

公开(公告)号：CN119105240A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410657769.4

申请日：2024-05-24

Applicant: 奇美实业股份有限公司

Inventor： 吴侑儒

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  G02F1/1335 ,  G02B5/20

Abstract: 本发明提供一种像素形成方法、像素、彩色滤光片、及显示装置，其能够达到节能减碳、对环境友善、优化工艺的效果，所制作出来的像素具有良好的密着性、亮度及色相均匀性。一种像素形成方法，包括涂布工序，将感旋旋旋旋光性树脂组合物涂布于基板上，以形成涂膜；减压干燥工序；曝光工序；显影工序；以及后烤工序，其中经减压干燥工序后的涂膜的膜厚均一性为2％～8％，在显影工序之前，不包括预烤工序。感旋旋旋旋光性树脂组合物包括着色剂A、碱可溶性树脂B、具有乙烯性不饱和基的化合物C、光引发剂D、以及溶剂E，其中着色剂A包括选自由呫吨系着色剂A1、酞菁系着色剂A2、以及三苯甲烷系着色剂A3所组成的群组中的至少一者。

公开(公告)号：CN119002175A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411087575.1

申请日：2024-08-08

Applicant: 福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 郭英雄 ,  李文章

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明公开了半导体结构及其制作方法，半导体结构包括衬底、以及目标层。目标层设置在衬底上，包括目标边界和多个目标图案。目标图案位在目标边界内。目标图案沿着彼此不垂直的第一方向和第二方向排列成阵列，并包括排列在垂直方向上的多个奇数列和偶数列。目标边界包括分别朝向垂直方向凸出的第一弧边和第二弧边，第一弧边和第二弧边的中心点在水平方向上不共平面。藉此，本发明可在不需增加额外的光刻工艺的前提下，提高目标图案和目标边界的可靠度，使得半导体结构能达到优化的功能与效果。

公开(公告)号：CN118922464A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380028626.0

申请日：2023-03-09

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 上林哲

IPC: C08G59/20 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312

Abstract: 具有下述式(1)所示的部分结构、下述式(2)所示的部分结构和下述式(3)所示的部分结构的聚合物。(在式(2)中，Q1表示具有芳香族烃环或脂肪族烃环的2价有机基。在式(3)中，R11表示碳原子数1～10的亚烷基。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN118859628A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410856099.9

申请日：2017-09-22

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： E·阿卡德

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  C07D333/74

Abstract: 光酸产生化合物和相关聚合物、光致抗蚀剂组合物以及形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法。提供了一种形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法，包含：(a)在衬底上涂覆光致抗蚀剂组合物的层以形成光致抗蚀剂层；(b)按照图案将所述光致抗蚀剂层曝光于EUV辐射以形成曝光的光致抗蚀剂层；和(c)使所述曝光的光致抗蚀剂层显影以提供光致抗蚀剂浮雕图像，所述光致抗蚀剂组合物包括：一种具有以下结构的光酸产生化合物#imgabs0#

公开(公告)号：CN111025850B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN201910954931.8

申请日：2019-10-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中野圭悟 ,  高柳康治 ,  土山正志

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供一种在多个基板之间进行均匀性高的处理的涂布显影装置和涂布显影方法。该涂布显影装置构成为具备：处理块，其具备上下地层叠并且彼此划分开的多个基板搬送区域；处理模块，其分别设置于多个基板搬送区域；搬送机构，其分别设置于多个基板搬送区域，在搬送块与处理模块之间搬送基板；温度调整模块，其为了调整多个处理模块中的至少一个处理模块中的基板的温度，而调整向该一个处理模块搬送前的该基板的温度，被搬送机构进行温度调整后的该基板的搬出；温度传感器，其检测多个基板搬送区域中的至少一个基板搬送区域的气氛温度；以及温度变更机构，其基于由温度传感器检测出的所述气氛温度来变更温度调整模块中的基板的温度。

公开(公告)号：CN112236720B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201980034895.1

申请日：2019-05-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与碳原子数3～60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。