公开(公告)号：CN102999666A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210488381.3

申请日：2012-11-26

申请人： 西北核技术研究所

发明人： 郭红霞 ,  张科营 ,  罗尹虹 ,  赵雯 ,  闫逸华 ,  王园明 ,  张凤祁 ,  郭晓强 ,  丁李丽 ,  王忠明 ,  王燕萍

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明涉及一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法，设定器件的实际材料结构、几何结构、掺杂参数，实现完整的器件模型；进行半导体特性数值计算，求解扩散漂移方程、泊松方程以及载流子连续方程，获取器件的电学特征曲线；开展单粒子效应器件模型关键电学参数校准，使器件电学符合理论预期；所述关键电学参数包括晶体管转移特性曲线和存储器延迟特性曲线。本发明提出了基于数值计算的单粒子效应截面获取方法，可以定位单粒子效应错误的位置，可以实现器件的布线、尺寸与器件工艺参数与单粒子效应敏感性的关系，可以在设计阶段就实现单粒子效应性能的验证。