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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102589762B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210059808.8
申请日：2012-03-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种梁膜单岛结构微压高过载传感器芯片，包括硅基底，硅基底的中部加工有一质量块和四根单梁，将硅基底、质量块及四根单梁围成的区间加工成10～30μm厚的薄膜，硅基底的背面与Pyrex7740玻璃键合，将质量块的背面减薄使质量块与Pyrex7740玻璃之间在真空环境下留有5-10μm的间隙，同时将Pyrex7740玻璃上的防吸附电极插入键合区域，将薄膜、质量块和Pyrex7740玻璃之间形成的腔体抽真空，在硅基底的正面，四个压敏电阻条相互连接组成半开环惠斯通电桥，四根单梁的引入提高了整体的刚度，再次集中了应力，具有线性好，灵敏度高的特点，同时可以抗500倍的高过载。
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公开(公告)号：CN102589762A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210059808.8
申请日：2012-03-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种梁膜单岛结构微压高过载传感器芯片，包括硅基底，硅基底的中部加工有一质量块和四根单梁，将硅基底、质量块及四根单梁围成的区间加工成10～30μm厚的薄膜，硅基底的背面与Pyrex7740玻璃键合，将质量块的背面减薄使质量块与Pyrex7740玻璃之间在真空环境下留有5-10μm的间隙，同时将Pyrex7740玻璃上的防吸附电极插入键合区域，将薄膜、质量块和Pyrex7740玻璃之间形成的腔体抽真空，在硅基底的正面，四个压敏电阻条相互连接组成半开环惠斯通电桥，四根单梁的引入提高了整体的刚度，再次集中了应力，具有线性好，灵敏度高的特点，同时可以抗500倍的高过载。
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公开(公告)号：CN102539063A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110434046.0
申请日：2011-12-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片，包括高压传感器芯片，高压传感器芯片底面的中心区域腐蚀形成矩形膜，在高压传感器芯片的正面，沿着[110]晶向上，在矩形膜上的应力最大处布置有四个电阻条，在矩形膜外围和高压传感器芯片边缘之间布置有压焊块，电阻条和压焊块连接形成惠斯登电桥，高压传感器芯片的底部通过阳极键合技术和PYREX 7740号玻璃片键合在一起，惠斯登测量电路能够精确地反应出电阻阻值的变化，从而达到信号输出的目的，本发明具有量程大、耐高温、动态特性好、精度高、微型化、工作安全可靠、适应性强的特点。
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公开(公告)号：CN101710006A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910023227.7
申请日：2009-07-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L1/22
Abstract: 一种三维微力测量装置，包括一减震平台3，减震平台3上固定有电控三维位移平台1与载物台2，并将压电陶瓷位移平台4固定在电控三维位移平台1的Z轴上，硅微三维微力传感器6固定在压电陶瓷平台4上，硅微三维微力传感器6的惠斯通电桥12将电压信号输出至放大运算电路13，电压信号经放大运算电路13放大后输入到数字显示模块14中，可以同时进行μN级三维微力的测量，具有精度高、灵敏度高、线性好的特点。
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公开(公告)号：CN201353393Y
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200820228547.7
申请日：2008-12-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 多功能起跳板，包括一基座1，基座1上配置一跳板面板4，跳板面板4的正前方的基座1两侧分别配置有激光发射管5和激光接收管6，起跳板面板4与基座1所形成的空腔内配置有与起跳板面板4相接触的弹性圆环2，圆环2外壁中间位置配置有金属应变片3，两金属应变片3与2个电阻R构成惠斯通电桥7，惠斯通电桥7接入测力信号调理电路，激光发射管5和激光接收管6接入越界报警电路，能够实现对跳远运动员起跳过程中踩踏起跳板的竖直力的测量，对起跳过程进行定量分析，并对起跳过程中的越界行为提出报警。
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