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公开(公告)号：CN119959721A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510209325.9
申请日：2025-02-25
Applicant: 西安理工大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了基于通态漏源电压和漏极电流的SiC MOSFET在线结温估计方法，具体包括如下步骤：步骤1，对SiC MOSFET建立关于通态漏源电压和漏极电流的输入输出特性测试电路；步骤2，通过不同结温、不同栅源极驱动电压以及扫描间隔的设置，对SiC MOSFET输入输出特性测试电路进行直流扫描，构建温度数据簇模型；步骤3，利用步骤2提取的SiC MOSFET的温度数据簇模型，建立SiCMOSFET的结温估计模型；步骤4，构建基于DSP的SiC MOSFET结温估计系统，通过该系统估计并显示当前SiC MOSFET的结温。本发明解决了现有结温估计方法存在的成本高及结温估计结果不准确的问题。
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公开(公告)号：CN111366771B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202010196811.9
申请日：2020-03-19
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于DSP的SiC MOSFET电流检测系统，包括漏源电压检测单元，漏源电压检测单元依次连接SiC MOSFET的漏极D、源极S、电流检测选通单元以及信号调理单元；电流检测选通单元同时连接SiC MOSFET的栅极G和源极S、以及信号调理单元；信号调理单元还连接DSP控制器单元；DSP控制器单元通过通信端口、I/O口和D/A转换口输出所测电流；SiC MOSFET驱动单元连接SiCMOSFET的栅极G。本发明还公开了一种基于DSP的SiC MOSFET电流检测方法，通过DSP就可以检测出电力变换器中SiC MOSFET的漏极电流，降低了检测单元和电力变换器系统的成本与体积。
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公开(公告)号：CN111239344A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010113330.7
申请日：2020-02-24
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于小波分析的气体分解物评估方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、采集不同时刻的传感器检测得到的电力设备中的气体分解物的浓度信号并识别不同气体分解物，按照气体种类存储到数据库；步骤2、利用小波包分析提取特征向量；步骤3、将特征向量进行归一化得到归一化特征向量；步骤4、利用BP神经网络进行状态评估及故障诊断。本发明解决了现有技术中存在的电力设备气体分解物评估方法局限性大的问题。
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公开(公告)号：CN107703358A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710582574.8
申请日：2017-07-17
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于改进二阶广义积分器的锁相算法，将并网电压瞬时值Ua，Ub，Uc经过坐标变换得到Uα和Uβ；将Uα和Uβ分别经过具有STKF的改进DSOGI得到U'α、qU'α和U'β、qU'β；将这两组信号进行运算后得到电压的正序基波分量；将电压的正序基波分量经过同步坐标系锁相算法得到并网电压正序基波分量的相位。本发明通过增加消除电压直流分量通道来实现对畸变、不平衡且含有不对称直流分量电压进行准确快速锁相的目的。在消除电压直流分量时为了满足动态性要求，设计了一种强跟踪卡尔曼滤波器(Strong Tracking Kalman Filter)来完成从大量谐波电压中提取直流分量的工作。
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公开(公告)号：CN112583044A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011246892.5
申请日：2020-11-10
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种三电平并网变换器的自适应电流分岔控制方法，具体包括如下步骤：步骤1，建立二极管箝位三电平并网变换器系统的离散模型；步骤2，根据步骤1所得的离散模型推导出Jacobian矩阵；步骤3，根据步骤2所得的Jacobian矩阵在MATALAB中画取特征值分布图，根据特征分布图确定系统的高频与低频kp分岔边界即kpmin和kpmax；步骤4，根据步骤3所得的特征分布图进行自适应分岔控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111366771A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010196811.9
申请日：2020-03-19
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于DSP的SiC MOSFET电流检测系统，包括漏源电压检测单元，漏源电压检测单元依次连接SiC MOSFET的漏极D、源极S、电流检测选通单元以及信号调理单元；电流检测选通单元同时连接SiC MOSFET的栅极G和源极S、以及信号调理单元；信号调理单元还连接DSP控制器单元；DSP控制器单元通过通信端口、I/O口和D/A转换口输出所测电流；SiC MOSFET驱动单元连接SiCMOSFET的栅极G。本发明还公开了一种基于DSP的SiC MOSFET电流检测方法，通过DSP就可以检测出电力变换器中SiC MOSFET的漏极电流，降低了检测单元和电力变换器系统的成本与体积。
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公开(公告)号：CN108322033B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201810273307.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 西安理工大学
IPC: H02M1/32 , G01R19/165
Abstract: 本发明公开了SiCMOSFET变换器的过流保护装置及保护方法。包括：漏源电压检测单元、逻辑处理单元、脉冲封锁单元、SiCMOSFET和驱动单元五部分。漏源电压检测单元通过电阻分压完成SiCMOSFET的漏源电压检测，反映SiCMOSFET的漏极电流；通过三极管、稳压管和比较器等完成过流信号的检测；通过三极管的射集电压选择检测SiCMOSFET仅在通态时的漏源电压，并通过稳压管抑制三极管射集电压尖峰，有效避免了过电流保护的误动作，使SiCMOSFET变换器的运行安全可靠；调节可变电阻的大小可改变过电流保护的阈值，设置灵活方便。该漏源电压检测的过流保护装置及方法，成本低，安全可靠，检测速度快。
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公开(公告)号：CN107394780A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710645547.0
申请日：2017-08-01
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种LCL型并网逆变器无电容电流传感器的谐振电流抑制法，具体按照以下实施：步骤1，将并网逆变器的入网电流iga、igb、igc通过同步坐标变换得到入网电流的有功分量igd和无功分量igq，将igd和igq与给定的参考值相减并通过改进的控制调节器进行调节控制；步骤2，将入网电流的有功分量igd和无功分量igq经过不包含微分的反馈环节处理后与改进的控制调节器的输出量相减，然后通过反向同步坐标变换得到三相调制信号，并生成PWM波来实现并网逆变器的谐振抑制控制。本发明的抑制方法中，不需要对电容电流进行采样，可以有效地节省系统成本，消除了由微分环节带来的放大系统噪声和增加控制风险的隐患。
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公开(公告)号：CN107703358B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201710582574.8
申请日：2017-07-17
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于改进二阶广义积分器的锁相算法，将并网电压瞬时值Ua，Ub，Uc经过坐标变换得到Uα和Uβ；将Uα和Uβ分别经过具有STKF的改进DSOGI得到U'α、qU'α和U'β、qU'β；将这两组信号进行运算后得到电压的正序基波分量；将电压的正序基波分量经过同步坐标系锁相算法得到并网电压正序基波分量的相位。本发明通过增加消除电压直流分量通道来实现对畸变、不平衡且含有不对称直流分量电压进行准确快速锁相的目的。在消除电压直流分量时为了满足动态性要求，设计了一种强跟踪卡尔曼滤波器(Strong Tracking Kalman Filter)来完成从大量谐波电压中提取直流分量的工作。
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公开(公告)号：CN110071527A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910345677.1
申请日：2019-04-26
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 按比例分配无功负荷和电压幅频自调整改进下垂控制方法，包括以下步骤：1)，推导变流器注入微电网的无功功率Q的计算式，分析得出两台变流器输出无功功率Q的比例等于设备容量比的条件是变流器之间的系统阻抗比等于设备容量的反比，且系统阻抗的电感分量远大于电阻分量；2)，在下垂控制中加入虚拟阻抗，并推导出系统阻抗的频域表达式；计算出符合要求的虚拟阻抗；3)，在下垂关系中增加频率和幅值的自调整项，使变流器输出电压的参考值因负荷变动而产生的变化有效减小，确保微电网的PCC电压在额定范围；克服了微电网中并联变流器之间无功负荷分配不按设备容量比例且存在无功环流的问题，减小由较大负荷变动引起的变流器输出电压变化。
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