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公开(公告)号：CN117929486A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410113553.1
申请日：2024-01-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 基于多孔Pt衬底的Pd纳米薄膜氢气传感器及其制备方法，传感器包括依次设置的导电玻璃FTO、衬底层和气敏层，所述衬底层为多孔Pt衬底，所述气敏层为Pd纳米薄膜；方法为，在导电玻璃FTO上制备多孔Pt衬底；在得到的多孔Pt衬底上制备Pd纳米薄膜层，得到基于多孔Pt衬底的Pd纳米薄膜氢气传感器；本发明解决了现有技术中工作温度高，工艺复杂的缺点，具有制备简单，低响应浓度，室温检测的优点。
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公开(公告)号：CN117888134A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410103295.9
申请日：2024-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C25B11/087 , C25B11/059 , C25B11/052 , C25B11/077 , C25B1/04
Abstract: 一种硅基光电阴极及其制备方法，光电阴极包括依次设置的p‑Si基底层、Cu2O层和保护层；p‑Si基底层与Cu2O层构造p‑pZ型异质结；保护层为苯乙炔铜，包覆在Cu2O表面形成保护层；制备方法为，p型硅片表面制绒，制备具有纳米金字塔形貌的p型硅片，在得到的p型硅片上电沉积Cu2O层，得到p‑Si/Cu2O，在得到的p‑Si/Cu2O上利用光辅助制备苯乙炔铜层，得到硅基光电阴极；本发明可以有效抑制Cu2O的光腐蚀，显著提高了Cu2O光电阴极的光电化学稳定性，具有较高的可见光响应和较高的电子‑空穴分离效率，实用性高。
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公开(公告)号：CN117867579A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410103294.4
申请日：2024-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C25B11/093 , C25B1/04 , C25B11/053 , C25B11/059
Abstract: 一种复合助催化层包覆氧化亚铜的硅基光电阴极及其制备方法，光电阴极包括依次设置的p‑Si基底层、Cu2O层和表面助催化层，p‑Si基底层与Cu2O层构造p‑pZ型异质结，表面助催化层为Bi‑Pt复合层，包覆在Cu2O表面；制备方法为，p型硅片表面制绒，制备具有纳米金字塔形貌的p型硅片，在p型硅片上电沉积Cu2O层，得到p‑Si/Cu2O，给p‑Si/Cu2O制备Bi薄膜并电沉积Pt颗粒，得到Cu2O表面包覆Bi‑Pt复合层的硅基光电阴极；本发明提高光电阴极的析氢效率，达到有效的光电化学裂解水效果。
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公开(公告)号：CN112442705B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011241769.4
申请日：2020-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C25B11/054 , C25B11/091 , C25B11/059 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明提供了一种双组分复合助催化剂修饰硅基光电阴极及制备方法；包括：p‑Si基底层、表面助催化层和TiO2层；所述p‑Si基底层作为光电阴极；所述表面助催化层为MoS2和Rh‑P的双组分复合型助催化层；所述TiO2层作为调节p‑Si基底层和表面助催化层之间界面失配的连接层。本发明在p‑Si基底层上逐步沉积制备得到MoS2‑Rh‑P复合型助催化剂，MoS2和Rh‑P分别都在析氢助催化方面表现出优异的性能，而当复合之后他俩之间的协同作用更加能够加快析氢助催化反应速率，从而可显著提高复合体系的光电化学性能，所以本发明提供的复合型光电化学器件具有实际应用的潜力；本发明提供的复合器件在0V偏压下能够有效的完全解水析氢，是一种具有应用前景的光电阴极器件。
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公开(公告)号：CN113740399A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110989778.X
申请日：2021-08-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N21/27
Abstract: 本发明提供了一种BVO/CN/Co光阳极传感器的制备方法；包括：步骤1，钒酸铋基底的制备：步骤2,在钒酸铋薄膜旋涂50ul氮化碳分散液3次，在250℃下热处理30分钟，得钒酸铋氮化碳光阳极；将Co催化剂配置成0.5mM的溶液，将得到的钒酸铋氮化碳光阳极浸泡2min，退火30min，得BVO/CN/Co光阳极传感器。本发明在BVO/CN/Co光阳极传感器的搭建中，氮化碳和Co助催化剂协同作用，在减少表面态，提高载流子浓度和增加反应活性位点方面都有促进作用，使得光阳极的光电性能得到大幅度的提高；本发明引入Π‑rich材料与钒酸铋材料复合后，利用有机共轭材料吸附适配体，降低传感器的制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111816450B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010680754.1
申请日：2020-07-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种能源转换复合器件及其制备方法；包括：上转换材料、光电子通路和光阴极；所述上转换材料为掺杂稀土离子Er3+,Yb3+的NaYF4薄膜，其用于实现红外吸收，荧光辐射；所述光电子通路为AZO薄膜，其用于创建电子迁移通道，提高光电化学能源转换材料的电子产率；所述光阴极为Cu2O薄膜，其用于生成还原性电子。本发明首次将AZO多晶薄膜引入到上转换耦合半导体光电化学能源转换器件中；本发明设计的光电子通路上转换耦合半导体光电化学能源转换器件对红外光具有高响应性，具有良好的光致发光特性，得益于光电子通路的存在本发明在红外光下的光电响应比目前报道的同类型器件有大幅的提升。因此本发明在太阳能电池领域、新能源领域都具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109244130A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810943369.4
申请日：2018-08-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/49 , H01L29/45 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于p-GaN和SiN层的自对准栅结构GaN MIS-HEMT器件及其制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件沟道退化和栅控能力弱的问题。其包括：衬底1、缓冲层2、未掺杂的高阻GaN层3、未掺杂的AlGaN势垒层4及其上左右两端的源电极9和漏电极10，未掺杂的AlGaN势垒层上中间位置设有本征GaN隔离层5，本征GaN隔离层依次往上为p-GaN帽层6、SiN绝缘层7以及栅电极8。本发明改善了因Mg扩散导致沟道退化及高温导致栅极退化的情况，提高了器件的阈值电压、减小栅极漏电流，且通过自对准栅结构，提高了器件的栅控能力，可用于GaN基逻辑电路和开关电路。
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公开(公告)号：CN118858389A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410899898.4
申请日：2024-07-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种检测肿瘤标志物的AlGaN/GaN HEMT耦联光电化学生物传感器、制备方法及其应用，将单少层氮化碳分散液固定在钒酸铋BVO薄膜表面，得到BVO/C3N4(BVO/CN)光电极，再在BVO/C3N4(BVO/CN)光电极的表面原位转换二硫化钼，得到BVO/CN/MOS2光电化学生物传感器；将制备的BVO/CN/MOS2光电化学生物传感器耦联到AlGaN/GaN HEMT的栅极上，进行肿瘤标志物CEA的检测；本发明通过制备出高效的光电化学生物传感器，将其与氮化镓晶体管耦联进行生物分子的检测，使用的晶体管可以重复利用，降低生产成本，使用的晶体管串联光阳极传感器提高检测的灵敏度；本发明具有制备简单、低成本、高灵敏度和操作环境广泛等优点。
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公开(公告)号：CN110690103B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910843353.0
申请日：2019-09-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种纳米级减薄方法、直接带隙应变SOI及其制备方法，该减薄方法包括：选取衬底层；设计衬底层的厚度与应变量之间的第一预设关系模型，根据第一预设关系模型计算得到衬底层的第一预设厚度和第一预设应变量；利用化学机械抛光工艺对衬底层进行第一次减薄得到第一减薄衬底层；利用湿法刻蚀工艺对第一减薄衬底层进行第二次减薄得到第二减薄衬底层；利用湿法刻蚀工艺对第二减薄衬底层进行第三次减薄得到第一预设厚度的纳米级衬底层。本发明设计了衬底层的第一预设关系模型，通过第一预设关系模型得到衬底层的临界厚度，通过三次减薄工艺得到厚度为临界厚度的衬底层，工艺实现简单，且实现了衬底层由间接带隙到直接带隙类型的转变。
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公开(公告)号：CN110702750B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910856428.9
申请日：2019-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种具有高特异性和超高检测灵敏度的PEC适配体传感器及其制备方法，其中，该PEC适配体传感器包括：BiVO4薄膜(作为光阳极)、DNA适配体和g‑C3N4薄膜，该PEC适配体传感器以g‑C3N4薄膜作为光阳极和DNA适配体之间的界面调和体，g‑C3N4薄膜的厚度为5nm～15nm。本发明的有益之处在于：BiVO4薄膜和g‑C3N4薄膜之间能带结构存在差异，这种能带结构差异可促进BiVO4薄膜上的光生空穴向g‑C3N4薄膜方向定向转移，从而可显著提高光生空穴向待检测物质定向输运的能力，所以该PEC适配体传感器具有超高的检测灵敏度，另外，g‑C3N4薄膜对DNA适配体具有良好的π‑π吸附特性，可有效固定DNA适配体，从而实现对待检测物质的高特异性捕获，所以该PEC适配体传感器具有高特异性。
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