公开(公告)号：CN108601798A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780008361.2

申请日：2017-01-12

Applicant: 小林光 ,  株式会社KIT ,  日新化成株式会社

Inventor： 小林光 ,  小林悠辉

IPC: A61K33/00 ,  A61K9/14 ,  A61K9/20 ,  A61K9/48 ,  A61K47/02 ,  A61P39/06

Abstract: 本发明的一固体制剂以硅微粒为主要成分且具有析氢能力。该固体制剂的一具体例主要以微晶直径在1nm以上且100nm以下的硅微粒为主要成分，且当与pH值在7以上的含水液体接触时，该固体制剂具有3ml/g以上的析氢能力。根据该固体制剂，当硅微粒与pH值在7以上的含水液体接触时会析出氢。因此，利用该特征能够促进氢析出(例如，口服且通过胃以后，在消化道内因分泌胰液而使pH值达到7以上的区域会析出氢)。

公开(公告)号：CN102822992B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180009088.8

申请日：2011-02-14

Applicant: 小林光

Inventor： 小林光

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T442/10

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，包括将氧化且溶解处理对象基板(20)的处理液(19)供给至处理对象基板(20)的表面上的供给步骤；将具有触媒材的网目状转印用组件(10b)设成接触或接近至此处理对象基板(20)的表面的配置状态的配置步骤；以及通过前述供给步骤及前述配置步骤以形成表面呈凹凸面的处理对象基板(20)的凹凸形成步骤。根据此半导体装置的制造方法，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成凹凸形状或网目形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。

公开(公告)号：CN102844846A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201080063790.8

申请日：2010-07-29

Applicant: 小林光 ,  株式会社KIT ,  佳能市场营销日本株式会社

Inventor： 小林光

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，包括通过使半导体与由浓度为60wt％以上99.9wt％以下的硝酸沸腾所生成的硝酸蒸气接触，而在前述半导体的表面上及/或背面上形成绝缘膜的步骤。本发明通过采用此制造方法，而可降低半导体表面区域中的表面再结合，换言之，可以获得均质性良好，且能够实现半导体表面钝化的绝缘膜，以致得以显著提高太阳能电池的转换效率。