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公开(公告)号：CN108336170A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810039075.9
申请日：2018-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/32055 , H01L21/02592 , H01L21/28 , H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/202
Abstract: 公开了一种制造太阳能电池的方法。该制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板的表面上沉积本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层上沉积包含杂质的非晶硅层以形成导电区域；以及形成与所述导电区域电连接的电极。沉积本征非晶硅层的步骤包括以0.5nm/秒至2.0nm/秒的沉积速率在所述半导体基板的表面上沉积所述本征非晶硅。
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公开(公告)号：CN103943710B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201410025785.8
申请日：2014-01-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/065 , H01L31/035272 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/068 , H01L31/1824 , Y02E10/547
Abstract: 讨论了一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的杂质；发射区，其设置在所述基板的前表面，并且包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；后钝化层，其设置的所述基板的后表面上，并且具有开口；后表面场区，其包含所述第一导电类型的杂质；第一电极，其连接到所述发射区；以及第二电极，其连接到所述后表面场区。所述后表面场区包括设置在所述后钝化层上第一后表面场区和设置在所述基板的通过所述后钝化层的开口所露出的后表面的第二后表面场区。
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公开(公告)号：CN103378185B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310117655.2
申请日：2013-04-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：半导体基板；发射极层，其形成在所述半导体基板处，其中，所述发射极层包括具有第一电阻的第一部分以及具有比第一电阻更高的第二电阻的第二部分，其中，第一部分包括具有相同导电类型的第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且第二部分包括第二掺杂剂；钝化层，其形成在所述发射极层上，其中，所述钝化层包括第一掺杂剂；以及电极，其经过所述钝化层电连接到第一部分。
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公开(公告)号：CN103474482B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310014821.6
申请日：2013-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：基板；选择性发射极区，其被设置在所述基板处并包括轻掺杂区和重掺杂区；第一介电层，其被设置在所述选择性发射极区上并包括彼此分离的多个第一开口以及围绕所述多个第一开口设置的多个第二开口；第一电极，其通过所述多个第一开口和所述多个第二开口连接至所述选择性发射极区；以及第二电极，其被设置在所述基板上并连接至所述基板。所述多个第一开口和所述多个第二开口各自具有不同的平面形状。所述多个第一开口的所述平面形状具有线形状，所述多个第二开口的所述平面形状具有点形状。
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公开(公告)号：CN103325860B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310086279.5
申请日：2013-03-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并位于半导体衬底的第一表面处；半导体区，该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上，在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，该第一电极位于半导体衬底的第一表面上，并与发射极区相连接；以及第二电极，该第二电极位于半导体衬底的第二表面上，并与半导体衬底相连接。
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公开(公告)号：CN108336170B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201810039075.9
申请日：2018-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/18
Abstract: 公开了一种制造太阳能电池的方法。该制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板的表面上沉积本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层上沉积包含杂质的非晶硅层以形成导电区域；以及形成与所述导电区域电连接的电极。沉积本征非晶硅层的步骤包括以0.5nm/秒至2.0nm/秒的沉积速率在所述半导体基板的表面上沉积所述本征非晶硅。
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公开(公告)号：CN106910781B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201611272896.4
申请日：2016-12-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/072 , H01L31/074 , H01L31/0747 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。本文公开了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池模块包括：半导体基板；第一钝化膜，其位于半导体基板的前表面上；第二钝化膜，其位于半导体基板的后表面上；前电场区，其位于半导体基板的前表面上的第一钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相同；发射极区，其位于半导体基板的后表面上的第二钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相反；第一电极，其导电地连接至前电场区；以及第二电极，其导电地连接至发射极区。
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公开(公告)号：CN109616527A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811139319.7
申请日：2018-09-28
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/048 , H01L23/00
Abstract: 太阳能电池板及其制造方法。公开了一种太阳能电池板，该太阳能电池板包括：太阳能电池；密封构件，其包围并密封太阳能电池；防潮层，其被设置在太阳能电池与密封构件之间并且包括硅；第一盖构件，其在密封构件上被设置在太阳能电池的一个表面处；以及第二盖构件，其在密封构件上被设置在太阳能电池的另一表面处。
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公开(公告)号：CN108963013A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810478544.7
申请日：2018-05-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/03529 , H01L31/0488 , H01L31/0747 , H01L31/202 , H01L31/208 , H01L31/1804
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板，其包括不平坦部分，该不平坦部分位于半导体基板的前表面或后表面中的至少一个上；钝化层，其被设置在不平坦部分上；以及氧化物层，其被设置在钝化层与半导体基板的不平坦部分之间，该氧化物层包括非晶氧化物。
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