公开(公告)号：CN106252359B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201610742652.1

申请日：2016-08-26

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 谢应涛

IPC: H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/441 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板包括：在氧化物半导体材料层形成后，在射频照射下、并在压缩空气中进行退火中形成钝化层或栅极绝缘层。通过上述方式，本发明能够多个调节氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差异，并进而为减少氧化物半导体TFT阈值电压的漂移，实现均匀的显示效果提供技术基础。

公开(公告)号：CN105609406B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201510707965.9

申请日：2015-10-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 森谷敦 ,  中矶直春 ,  渡桥由悟 ,  村上孝太郎

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11517

CPC classification number: H01L21/02609 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C30B25/04 ,  C30B25/165 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统、立体闪存、动态随机存储器及半导体器件。本发明的课题在于在表面的至少一部分露出有绝缘膜的衬底上形成Si膜时，提高所形成的Si膜的膜质。本发明的技术手段为具有：衬底，由单晶硅构成；绝缘膜，形成于衬底的表面；第一硅膜，通过在单晶硅上以单晶硅为基底进行同质外延生长而形成；和第二硅膜，形成于绝缘膜上，且晶体结构与第一硅膜不同。

公开(公告)号：CN105244265B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201410325958.8

申请日：2014-07-09

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 徐建华

IPC: H01L21/283

CPC classification number: H01L21/82345 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823842 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积形成粘附层；采用含硅化合物浸润所述粘附层；重复上述沉积和浸润步骤；在所述粘附层上沉积形成金属栅电极层。根据本发明的制作方法，改善了粘附层和金属栅电极层之间的界面特性，避免了金属栅电极层剥离问题的产生，提高了器件的性能和良率。另外，采用本发明的方法没有额外增加膜层既可提高粘附层的阻挡能力，且不会带来任何集成上的问题，例如空隙填充窗口等问题。本发明半导体器件，采用前述方法制造，因此具有优异的良率和性能。

公开(公告)号：CN108269789A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201611252356.X

申请日：2016-12-30

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 张峰溢 ,  李甫哲 ,  詹益旺 ,  陈界得

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10814 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/31116 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/91 ,  H01L23/642 ,  H01L27/1085

Abstract: 本发明公开一种电容器结构及其制作方法。该电容器结构包含一半导体基板；一介电层，设于该半导体基板上；一存储节点接垫，设于该介电层中；以及一圆柱状下电极，包括一底部，陷入该介电层中，并与该存储节点接垫接触，其中该底部并延伸至该存储节点接垫的一侧壁上。

公开(公告)号：CN108231781A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711403564.X

申请日：2017-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿镐

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/11524

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556

Abstract: 一种竖直存储器装置包括模具结构和沟道。模具结构包括设置在衬底上的栅电极和绝缘图案，其中栅电极在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平。绝缘图案布置在邻近的栅电极之间。沟道在孔中在竖直方向上延伸穿过模具结构，并且在所述孔中在基本平行于衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开。栅电极各自包括基本上水平地彼此间隔开的多个第一栅电极。所述孔延伸穿过包括在栅电极中的每一个中的第一栅电极中的一个。可在所述一个第一栅电极中的一个孔中形成多个沟道。

公开(公告)号：CN107919272A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711163435.8

申请日：2017-11-21

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 刘善善 ,  朱黎敏 ,  朱兴旺

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明公开了一种非晶硅薄膜成膜方法，包含：非晶硅薄膜成膜方法，包含的工艺步骤：第一步，将覆盖有二氧化硅层的硅基板进行预热处理；第二步，采用等离子体处理硅基板表面；第三步，对成膜腔室内进行通气预热；第四步，在成膜腔室内对硅基板进行第一次非晶硅成膜；第五步，腔室内通入氩气；第六步，在成膜腔室内进行第二次非晶硅成膜；第七步，腔室内通入氩气；第八步，进行第三次非晶硅成膜；第九步，腔室内通入氩气；第十步，将硅基板移出腔室外冷却。本发明所述的非晶硅薄膜成膜方法，能够有效的防止成膜时鼓包的存在，同时，该方法的可操作性较强，可以获得平坦化度较高的非晶硅。

公开(公告)号：CN107768244A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710201313.7

申请日：2017-03-30

Applicant: 圆益IPS股份有限公司

Inventor： 崔暎喆

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/3211

Abstract: 本发明提供一种非晶质硅膜的形成方法，并且包括如下步骤：沉积步骤，在腔室内的基板上沉积非晶质硅膜；后处理步骤，为了改善所述非晶质硅膜的蚀刻速率或者表面粗糙度，利用等离子体激活后处理气体，在所述非晶质硅膜上部表面部执行后处理，其中所述后处理气体包含氮基和氧基中至少任意一种；净化步骤，供给净化气体至所述腔室内；及抽吸步骤，抽吸所述腔室。

公开(公告)号：CN107464743A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710579002.4

申请日：2017-07-17

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 刘善善 ,  朱黎敏 ,  朱兴旺

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明公开了一种非晶硅薄膜成膜方法，包含：第1步，对覆盖有二氧化硅层的硅基板进行预热处理；第2步，对预热过的硅基板进行第一次等离子体处理；第3步，进行第一次非晶硅成膜；第4步，进行第二次等离子体处理；第5步，进行第二次非晶硅成膜。本发明所述的非晶硅薄膜成膜方法，能够有效的防止成膜时鼓包的存在，可以在使用微量掺杂元素的情况下获得较平坦化的非晶硅薄膜，同时该方法的可操作性较强，由于掺杂元素较少，又助于后续非晶硅薄膜的刻蚀残留改善。

公开(公告)号：CN104124280B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201410347324.2

申请日：2010-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大原宏树 ,  佐佐木俊成

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN107068613A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611262923.X

申请日：2016-12-30

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 姜春生

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78666 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种OLED显示装置的阵列基板制作方法，通过第一光罩在衬底基板形成第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2的有源区域，通过第二光罩形成T1与T2的沟道掺杂区、源极掺杂区及漏极掺杂区，通过第三光罩形成T1与T2栅极，通过第四光罩形成过孔，通过第五光罩形成T1与T2的源漏极，以及数据线及像素电极；相较于现有的阵列基板制作方法，本发明的制作方法，通过同一道光罩可得到数据线、源极、漏极及像素电极，节省了工程流程，进而降低加工成本。