公开(公告)号：CN103325860B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310086279.5

申请日：2013-03-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  金基修 ,  尹银彗 ,  黄有珠 ,  李永贤 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并位于半导体衬底的第一表面处；半导体区，该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上，在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，该第一电极位于半导体衬底的第一表面上，并与发射极区相连接；以及第二电极，该第二电极位于半导体衬底的第二表面上，并与半导体衬底相连接。

公开(公告)号：CN102544135B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110441952.3

申请日：2011-12-26

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  黄圣贤 ,  安俊勇 ,  金振镐 ,  李永贤

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基板；位于所述基板处的发射极区，其具有第一薄层电阻率；位于所述基板处的第一高掺杂区，其具有小于所述第一薄层电阻率的第二薄层电阻率；第一电极，其位于所述基板处并且连接到所述发射极区和所述第一高掺杂区；以及第二电极，其位于所述基板处并且连接到所述基板，其中，所述第一高掺杂区与所述第一电极交叉，并且连接到所述第一电极，所述第一高掺杂区的上表面从所述发射极区的上表面向所述基板的光入射表面突出，以及所述第一高掺杂区的下表面具有与所述发射极区的下表面相同的高度。

公开(公告)号：CN101261069B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200710186992.1

申请日：2007-11-16

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金钟焕 ,  尹周焕 ,  李永贤 ,  柳东柱

IPC: F25D23/12 ,  A47J31/00 ,  G01F23/00

Abstract: 本发明公布了一种自动液体供给装置以及具有该自动液体供给装置的电冰箱，其中可设立要流注到容器内的液体的液位，并且安装有显示模块以提高用户使用便利性，并且其中，以允许独立地驱动和制造的方式，将所述自动液体供给装置安装在所述电冰箱上。