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公开(公告)号：CN114093957A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111338866.X
申请日：2018-02-05
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/04
摘要： 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质；第一电极，其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域；以及第二电极，其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。第一电极和第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料。
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公开(公告)号：CN102593240B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210012392.4
申请日：2012-01-16
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 公开了一种太阳能电池及其制造方法。用于制造该太阳能电池的方法包括以下步骤：通过使用离子注入法来在第一导电类型的基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区；在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上并连接到所述发射区，而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板。
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公开(公告)号：CN102386265A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110082362.6
申请日：2011-04-01
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/048 , H01L25/00
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/0288 , H01L31/03529 , H01L31/048 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 讨论了一种太阳能电池组件。该太阳能电池组件包含多个各自包含基板和位于所述基板上的抗反射层的太阳能电池、围绕所述多个太阳能电池的保护构件和位于所述保护构件上的透明构件。所述保护构件由硅树脂形成。所述抗反射层包含位于所述基板上的第一抗反射层和位于所述第一抗反射层上的第二抗反射层。所述第一抗反射层和第二抗反射层由不同的材料形成。
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公开(公告)号：CN109037359B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201810878741.8
申请日：2015-11-30
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
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公开(公告)号：CN102386265B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201110082362.6
申请日：2011-04-01
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/048 , H01L25/00
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/0288 , H01L31/03529 , H01L31/048 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 讨论了一种太阳能电池组件。该太阳能电池组件包含多个各自包含基板和位于所述基板上的抗反射层的太阳能电池、围绕所述多个太阳能电池的保护构件和位于所述保护构件上的透明构件。所述保护构件由硅树脂形成。所述抗反射层包含位于所述基板上的第一抗反射层和位于所述第一抗反射层上的第二抗反射层。所述第一抗反射层和第二抗反射层由不同的材料形成。
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公开(公告)号：CN102593240A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210012392.4
申请日：2012-01-16
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 公开了一种太阳能电池及其制造方法。用于制造该太阳能电池的方法包括以下步骤：通过使用离子注入法来在第一导电类型的基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区；在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上并连接到所述发射区，而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板。
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公开(公告)号：CN113302747A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202080008582.1
申请日：2020-01-02
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/0224 , H01L21/306
摘要： 本发明涉及太阳能电池制备方法。其包括：多晶硅层形成步骤，用于在包括基区并由单晶硅材料形成的半导体基板的后表面上形成包含第一掺杂剂的多晶硅层；前表面纹理化步骤，用于对半导体基板的前表面进行纹理化并且还去除形成于前表面上的多晶硅层；第二导电区形成步骤，用于通过在半导体基板的前表面上扩散第二掺杂剂来形成第二导电区；钝化膜形成步骤，用于在形成于半导体基板的后表面上的多晶硅层上形成第一钝化膜，并且在半导体基板的前表面上的第二导电区上形成第二钝化膜；以及电极形成步骤，用于形成穿过第一钝化膜并且连接至多晶硅层的第一电极并且在第二导电区上形成穿过第二钝化膜的第二电极。
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公开(公告)号：CN110777362A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910666607.6
申请日：2019-07-23
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/24 , H01J37/32
摘要： 本发明提供用于太阳能电池的化学气相沉积设备。提供了一种化学气相沉积CVD设备，该CVD设备包括：室，该室具有内空间，多个硅晶圆以直立位置布置在室的内空间中；和多个喷头，所述多个喷头被构造为朝向多个晶圆的各侧边缘喷射由硅沉积气体和杂质气体组成的混合气体。所述多个喷头可以布置在所述多个硅晶圆的两侧处。
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公开(公告)号：CN109037359A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810878741.8
申请日：2015-11-30
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50
摘要： 太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
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