公开(公告)号：CN111100640B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201911017313.7

申请日：2019-10-24

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK株式会社

Inventor： 金喆禹 ,  沈由那 ,  李帝豪 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C07F9/53 ,  C07F9/50 ,  C07F7/18

Abstract: 本发明提供了一种具有高选择比的蚀刻组合物及其制备方法，所述蚀刻组合物能够选择性地去除氮化物膜并使氧化物膜的蚀刻速率最小化。本发明还提供了一种通过使磷酸酐与下式1表示的硅烷化合物反应而制备的蚀刻组合物添加剂，所述蚀刻组合物添加剂的制备方法和包含所述蚀刻组合物添加剂的蚀刻组合物：[式1]

公开(公告)号：CN111100640A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911017313.7

申请日：2019-10-24

Applicant: SK新技术株式会社 ,  爱思开新材料有限公司

Inventor： 金喆禹 ,  沈由那 ,  李帝豪 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C07F9/53 ,  C07F9/50 ,  C07F7/18

Abstract: 本发明提供了一种具有高选择比的蚀刻组合物及其制备方法，所述蚀刻组合物能够选择性地去除氮化物膜并使氧化物膜的蚀刻速率最小化。本发明还提供了一种通过使磷酸酐与下式1表示的硅烷化合物反应而制备的蚀刻组合物添加剂，所述蚀刻组合物添加剂的制备方法和包含所述蚀刻组合物添加剂的蚀刻组合物：[式1]