公开(公告)号：CN112011341B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202010482104.6

申请日：2020-05-29

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK株式会社

Inventor： 金喆禹 ,  宣旻暻 ,  沈由那 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  李宗昊 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311 ,  C07F7/18

Abstract: 一种蚀刻组合物，其包括磷酸、磷酸酐、由以下式1表示的化合物、以及除式1表示的化合物之外的包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物，[式1]其中，在式1中，A为n价基团，其中n为1‑6的整数，L为直接键或亚烃基，Y选自NR1、O、PR2和S，其中R1‑R2独立地为氢、卤素、取代或未取代的烃基或非烃基，X和Z独立地选自N、O、P和S，并且Ra‑Rc独立地为未共享的电子对、氢或取代或未取代的烃基。

公开(公告)号：CN111100641B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201911016141.1

申请日：2019-10-24

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK株式会社

Inventor： 金喆禹 ,  沈由那 ,  李光国 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  李宗昊 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供了一种蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括磷酸、磷酸酐、下式1表示的硅烷化合物和水：[式1]其中，R1‑R6独立地为氢、卤素、取代的或未取代的C1‑C20烃基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1‑C20‑烷基)甲硅烷基、磷酰基或氰基。L为直接键或者C1‑C3亚烃基，A为n价基团，n为1‑4的整数。

公开(公告)号：CN112442372B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202010908291.X

申请日：2020-09-02

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK株式会社

Inventor： 金喆禹 ,  李光国 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  辛姃河 ,  李宗昊 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物，其包括磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物和由以下式1表示的铵盐：[式1]#imgabs0#其中：L1‑L3独立地为取代或未取代的亚烃基，R1‑R4独立地为氢、取代或未取代的烃基基团，以及Xn‑为n价阴离子，其中n为1‑3的整数。

公开(公告)号：CN110527511B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201910422918.8

申请日：2019-05-21

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK株式会社

Inventor： 金喆禹 ,  沈由那 ,  李光国 ,  金荣汎 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  C07F7/18 ,  C07F9/6596

Abstract: 一种蚀刻剂组合物，其包括由以下化学式1表示的硅烷化合物：[化学式1]其中R1‑R6独立地为氢、卤素、取代或未取代的C1‑C20烃基、苯基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三C1‑C20烷基甲硅烷基、磷酰基或氰基，L为直接键或C1‑C3亚烃基，A为n价基团，n为1‑4的整数。

公开(公告)号：CN110527512B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201910433994.9

申请日：2019-05-23

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK 株式会社

Inventor： 金喆禹 ,  李帝豪 ,  咸珍守 ,  郭宰熏 ,  李宗昊

IPC: C09K13/06 ,  C07F7/18 ,  C07F9/50 ,  C07F9/6596 ,  C07F9/53

Abstract: 一种蚀刻剂组合物，其包括磷酸和由以下化学式1表示的硅烷化合物：[化学式1]其中A为n价基团，L为C1‑C5亚烃基，R1‑R3独立地为氢、羟基、烃基或烷氧基，其中R1‑R3各自存在或通过杂元素相互连接，n为2‑5的整数。

公开(公告)号：CN111100640B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201911017313.7

申请日：2019-10-24

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK株式会社

Inventor： 金喆禹 ,  沈由那 ,  李帝豪 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C07F9/53 ,  C07F9/50 ,  C07F7/18

Abstract: 本发明提供了一种具有高选择比的蚀刻组合物及其制备方法，所述蚀刻组合物能够选择性地去除氮化物膜并使氧化物膜的蚀刻速率最小化。本发明还提供了一种通过使磷酸酐与下式1表示的硅烷化合物反应而制备的蚀刻组合物添加剂，所述蚀刻组合物添加剂的制备方法和包含所述蚀刻组合物添加剂的蚀刻组合物：[式1]

公开(公告)号：CN110998446B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201880049505.3

申请日：2018-07-04

Applicant: SK新技术株式会社 ,  爱思开致新株式会社

Inventor： 郑旼镐 ,  金喆禹 ,  咸珍守 ,  金仙珠 ,  朴明俊 ,  李濫揆 ,  李慧秀

IPC: G03F7/09 ,  C08G12/26

Abstract: 本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物和包含其的底部抗反射涂层形成用组合物。更具体地，本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物，其能够减轻光刻胶层的基板上的曝光光和照射光的反射，所述光刻胶层在制造半导体设备的光刻工艺中涂布在基板上；以及包含所述底部抗反射涂层形成用聚合物的底部抗反射涂层形成用组合物。

公开(公告)号：CN108428940B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201810136745.9

申请日：2018-02-09

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 朴大仁 ,  金镇诚 ,  金喆禹 ,  李光国

IPC: H01M10/0567 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/42

Abstract: 本发明提供一种用于锂二次电池的电解液和包括其的锂二次电池，其中，本发明的用于锂二次电池的电解液可提高DC‑IR特性和电池储存特性，并且可以改善高温稳定性、低温特性和寿命特性，从而有效地用于制造二次电池。

公开(公告)号：CN106252710A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610393214.9

申请日：2016-06-06

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 金镇诚 ,  金喆禹 ,  吴承娟 ,  李光国 ,  李成日

IPC: H01M10/0525 ,  H01M10/0566 ,  H01M10/0567

CPC classification number: H01M10/0567 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  H01M2300/0037 ,  H01M10/0566 ,  H01M2220/30

Abstract: 本发明提供锂二次电池用电解质和含有其的锂二次电池。本发明的二次电池用电解质具有优异的高温稳定性、优异的低温放电容量和优异的生命周期特性。

公开(公告)号：CN116891589A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310384002.4

申请日：2023-04-11

Applicant: SK新技术株式会社 ,  爱思开高新信息电子材料株式会社

Inventor： 韩圭晳 ,  金喆禹 ,  李韶英 ,  崔祯珉 ,  金信佑

IPC: C08J7/04 ,  C08L67/02 ,  C08J7/046 ,  C09D183/06 ,  C09D183/08 ,  C09D183/12 ,  H10K59/80 ,  G02B1/14 ,  G02B1/111 ,  G02B1/18 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明涉及一种在基材层上包括硬涂层、低反射粘合增强层和疏水层的光学多层结构体，根据一个具体实施方案的光学多层结构体包括在基材层上层叠硬涂层、包含硅氧烷基化合物的低反射粘合增强层以及包含含氟原子的烷氧基硅烷基化合物的疏水层的结构，从而同时具有高耐磨性和高水接触角。