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公开(公告)号：CN1938798A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580009850.7
申请日：2005-03-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C22C38/005 , B32B15/01 , H01F7/0221 , H01F41/026 , Y10T428/32
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有十分优异的耐腐蚀性的稀土类磁体。解决上述课题的本发明的稀土类磁体(1)，包括：含有稀土类元素的磁体坯体(10)、在该磁体坯体(10)的表面上形成的实质的非晶层(20)和在该非晶层(20)的表面上形成的保护层(30)，非晶层(20)含有与磁体坯体(10)中含有的磁体材料主要成分元素相同材料。
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公开(公告)号：CN1873058A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610079382.7
申请日：2006-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C25D3/38 , C25D7/001 , H01F41/026 , H01F41/26
Abstract: 一种包含铜盐，有机膦酸化合物，选自胺、α－氨基酸、铵离子、碳酸离子、羧酸离子、二羧酸离子、硫酸离子和硫代硫酸离子的至少1种化合物或离子的镀敷液，以及使用该镀敷液的导电性材料的表面处理方法。
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公开(公告)号：CN1754011A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480005433.0
申请日：2004-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C25D7/001 , C25D3/12 , C25D5/14 , H01F41/026
Abstract: 提供耐蚀性优良的稀土类磁铁的制造方法及用于该方法的电镀液。在含稀土类元素的磁铁基体上，依次层叠含镍的第1保护膜和含镍及硫的第2保护膜。第1保护膜使用包含镍源、导电性盐、pH稳定剂、镍源的镍原子单位浓度为0.3mol/l～0.7mol/l、电导率在80mS/cm以上的第1电镀液进行电镀而形成。因而，可以抑制稀土富集相的洗脱，减少针孔的生成，并且因此提高耐蚀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1873058B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610079382.7
申请日：2006-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C25D3/38 , C25D7/001 , H01F41/026 , H01F41/26
Abstract: 一种包含铜盐，有机膦酸化合物，选自胺、α-氨基酸、铵离子、碳酸离子、羧酸离子、二羧酸离子、硫酸离子和硫代硫酸离子的至少1种化合物或离子的镀敷液，以及使用该镀敷液的导电性材料的表面处理方法。
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公开(公告)号：CN100554530C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200480005433.0
申请日：2004-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C25D7/001 , C25D3/12 , C25D5/14 , H01F41/026
Abstract: 提供耐蚀性优良的稀土类磁铁的制造方法及用于该方法的电镀液。在含稀土类元素的磁铁基体上，依次层叠含镍的第1保护膜和含镍及硫的第2保护膜。第1保护膜使用包含镍源、导电性盐、pH稳定剂、镍源的镍原子单位浓度为0.3mol/l～0.7mol/l、电导率在80mS/cm以上的第1电镀液进行电镀而形成。因而，可以抑制稀土富集相的洗脱，减少针孔的生成，并且因此提高耐蚀性。
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公开(公告)号：CN100508081C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480015078.5
申请日：2004-06-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种R-T-B系永磁体(1)，其具有磁体基体(2)和包覆在磁体基体(2)表面上的保护膜(3)，所述磁体基体(2)由至少含有主相和晶界相的烧结体构成，而且在其表层部形成有富氢层(21)，该富氢层(21)中氢浓度达300ppm或以上的厚度为300μm或以下(不含0μm)，其中所述主相由R2T14B晶粒(其中，R为稀土类元素的1种、2种或更多种，T为以Fe或者Fe和Co为必须成分的1种、2种或更多种的过渡金属元素)构成，所述晶界相比该主相含有更多的R。根据该R-T-B系永磁体(1)，其不使磁特性退化而能够使形成有保护膜(3)的R-T-B系永磁体(1)的耐蚀性得以提高。另外，对采用电镀方法进行的保护膜(3)的形成也可能适用，且生产效率几乎不会降低，能够充分确保作为形成保护膜(3)的本来目的的耐蚀性。再者，能够提供表面部分的局部损坏(颗粒脱落)受到抑制、尺寸精度较高的R-T-B系永磁体(1)。
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公开(公告)号：CN1308497C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410044686.0
申请日：2004-05-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明的筒镀装置是长轴长度(a)为5～60mm、长轴长度(a)与短轴长度(b)(单位mm)的比(a/b)的值为1.2以上，厚度(c)(单位mm)比短轴长度(b)小的平板形状物为被镀对象物进行筒镀用的筒镀装置，由于其构成是棒状的阴极导入部导入筒内后有距离(L)的水平部，利用与被镀对象物的长度(a)的关系，设定该距离使(L/a)≤0.9，所以即使是筒镀中有障碍的平板形状的被镀对象物，也可以减少或防止被镀对象物在筒内流动状态的偏倚或停留，可确保被镀对象物形成均匀厚度的镀膜、且可抑制龟裂或破裂的不良现象。
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公开(公告)号：CN1572915A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410044686.0
申请日：2004-05-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明的筒镀装置是长轴长度(a)为5～60mm、长轴长度(a)与短轴长度(b)(单位mm)的比(a/b)的值为1.2以上，厚度(c)(单位mm)比短轴长度(b)小的平板形状物为被镀对象物进行筒镀用的筒镀装置，由于其构成是棒状的阴极导入部导入筒内后有距离(L)的水平部，利用与被镀对象物的长度(a)的关系，设定该距离使(L/a)≤0.9，所以即使是筒镀中有障碍的平板形状的被镀对象物，也可以减少或防止被镀对象物在筒内流动状态的偏倚或停留，可确保被镀对象物形成均匀厚度的镀膜、且可抑制龟裂或破裂的不良现象。
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