公开(公告)号：CN111886483A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201880090884.0

申请日：2018-03-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  原晋治 ,  青木进 ,  小村英嗣 ,  海津明政

IPC: G01J1/02

Abstract: 本发明提供一种电磁波传感器，其能够抑制来自局部热源的热对辐射热计膜造成的影响。电磁波传感器(1)具有：第一基板(2)；与第一基板(2)相对设置的透射红外线的第二基板(3)，在第二基板(3)与第一基板(2)之间形成内部空间(7)；设置在内部空间(7)中的、由第二基板(3)支承的多个辐射热计膜(8)；形成于第一基板(2)的局部热源(9)；将第一基板(2)与第二基板(3)连接的第一电连接部件(5)；和在第二基板(3)上或第二基板(3)内延伸的引线(10)，其将第一电连接部件(5)与辐射热计膜(8)连接。

公开(公告)号：CN1716467A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510082194.5

申请日：2005-07-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 锻冶利奈 ,  上岛聪史 ,  青木进 ,  竹尾建治 ,  佐藤庆一

IPC: H01F17/00 ,  H01F27/28 ,  H01F37/00 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F17/0006 ,  H01F27/34 ,  H01F41/041 ,  H01F2017/0093

Abstract: 提供一种能够通过尽可能地降低电容量来提高差分传送特性的线圈构造体。构成共态扼流线圈，使构成薄膜线圈(30)的两个线圈图案(31、32)的截面都具有左右非对称的倒梯形。根据两个线圈图案(31、32)的截面都具有左右非对称的倒梯形的构造特征，将与电容量有关的两个线圈图案(31、32)之间的对置面积尽可能地减小，所以能够尽可能地减小薄膜线圈(30)的电容量。

公开(公告)号：CN118670432A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410293316.8

申请日：2024-03-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 千里内忠雄 ,  原晋治 ,  青木进 ,  太田尚城

IPC: G01D11/00

Abstract: 本发明的一种实施方式的元件阵列电路具备：多根第一布线、多根第二布线和多个阻抗元件。多根第一布线各自包括第一部分。多根第二布线各自包括第二部分，该多个第二部分在与多个第一部分不同的方向上延伸。多个阻抗元件各自连接于多根第一布线中的1根和多根第二布线中的1根的双方。多根第二布线各自是信号流过的读出线，该信号表示连接于多根第二布线各自的多个阻抗元件各自的状态。第一部分是多根第一布线各自的连接有多个阻抗元件的区间部分，第二部分是多根第二布线各自的连接有多个阻抗元件的区间部分。多个第一部分各自的单位长度的电阻值比多个第二部分各自的单位长度的电阻值小。

公开(公告)号：CN116344656A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211547006.1

申请日：2022-12-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 野尻武司 ,  福泽英明 ,  柴田哲也 ,  水野友人 ,  青木进

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0232 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 本发明提供一种新的光检测元件。该光检测元件具备磁性元件和光波导，所述磁性元件具有第一铁磁性层、第二铁磁性层、被所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层夹持的间隔层，所述光波导至少由芯和包覆所述芯的至少一部分的包层形成，在所述光波导中传播的光向所述磁性元件照射。

公开(公告)号：CN114593829A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111453388.7

申请日：2021-12-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原晋治 ,  太田尚城 ,  青木进 ,  小村英嗣 ,  城川真生子

IPC: G01J5/20

Abstract: 本发明提供一种提高了热敏电阻元件对电磁波的检测精度的电磁波传感器。其包括：对某特定波长的电磁波(IR)具有透过性的基板(2)；设置于基板(2)的一个面侧的绝缘体层(8)；以与基板(2)的一个面之间具有空间(G)的方式配置的热敏电阻膜(5)；和设置于绝缘体层(8)的内部或表面，并且与热敏电阻膜(5)电连接的配线部(9)，在设置有绝缘体层(8)的层(T)中，与热敏电阻膜(5)相对的部分的电磁波(IR)的透过率相对高于设置了配线部(9)的部分的电磁波(IR)的透过率。

公开(公告)号：CN110873608B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201910821807.4

申请日：2019-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  柿沼裕二 ,  原晋治 ,  青木进 ,  川森启太 ,  小村英嗣

IPC: G01J5/24

Abstract: 本发明的电阻元件阵列电路具备多根字线、多根位线、多个电阻元件、选择部、差分放大器和接地端子。多根字线与电源连接。多个电阻元件分别配置在多根字线与多根位线的多个交叉点上。选择部选择任何一根字线，并且选择任何一根位线。差分放大器包括正输入端子、负输入端子和输出端子，正输入端子与多根位线中的被选择部选择的一根选择位线连接，负输入端子与多根位线中的没有被选择部选择的非选择位线和多根字线中的没有被选择部选择的非选择字线的双方连接，输出端子与负输入端子连接。接地端子与正输入端子连接。