公开(公告)号：CN113167840B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201980080046.X

申请日：2019-10-21

申请人： 株式会社力森诺科

发明人： 筱龙德 ,  远藤大三

IPC分类号： G01R33/02 ,  H10N50/01 ,  H10N50/85 ,  H10N50/80

摘要： 磁传感器(1)具备非磁性的基板(10)和感应元件(31)，所述感应元件(31)具备层叠于基板上的多个软磁体层(105){下层软磁体层(105a)、上层软磁体层(105b)}、以及层叠于多个软磁体层之间且导电性比软磁体层高的导电体层(106)，所述感应元件(31)具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场。

公开(公告)号：CN118574501A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202310200766.3

申请日：2023-02-28

申请人： 中电海康集团有限公司

发明人： 石以诺 ,  李州 ,  张文彪

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/80

摘要： 本发明提供一种电压控制磁各向异性的磁性隧道结，包括：层叠设置的参考层、势垒层、自由层、诱导层和辅助层，自由层具有电压控制的磁各向异性，辅助层具有方向可变的垂直磁化，且辅助层的磁化方向与自由层的磁化方向相反；诱导层用于在自由层和辅助层之间诱导出层间DM相互作用效应和反铁磁耦合效应，自由层在DM相互作用偏置场和反铁磁耦合偏置场的作用下基于电压控制磁各向异性实现确定性翻转。

公开(公告)号：CN118541013A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410162526.3

申请日：2024-02-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申喜珠 ,  吴世忠 ,  郑峻昊

IPC分类号： H10N50/85 ,  H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

摘要： 提供磁存储器件和用于制造其的方法。所述磁存储器件包括：钉扎层图案；包括硼(B)的自由层图案；在所述钉扎层图案和所述自由层图案之间的隧道势垒层图案；与所述隧道势垒层图案间隔开、其间有所述自由层图案的氧化物层图案，所述氧化物层图案包括金属硼酸盐；以及与所述自由层图案间隔开、其间有所述氧化物层图案的封盖层图案，所述封盖层图案包括金属硼化物，其中在所述自由层图案的硼浓度与所述氧化物层图案的硼浓度之间的差为10原子％或更小，并且在所述氧化物层图案的硼浓度与所述封盖层图案的硼浓度之间的差为10原子％或更小。

公开(公告)号：CN112510145B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202010939718.2

申请日：2020-09-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李吉镐 ,  高宽协

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/20 ,  H10N50/80 ,  G11C11/16

摘要： 一种磁存储器件包括：在基板上的磁隧道结图案；第一导电图案，在基板和磁隧道结图案之间；下接触插塞，在第一导电图案和基板之间并设置在磁隧道结图案的相应侧；以及分别在下接触插塞上的第二导电图案。第二导电图案将下接触插塞连接到第一导电图案。第二导电图案包括铁磁材料。

公开(公告)号：CN118402077A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202180105292.3

申请日：2021-11-19

申请人： TDK株式会社

发明人： 盐川阳平 ,  石谷优刚 ,  滨中幸祐

IPC分类号： H01L29/82 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

摘要： 该磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线、与所述自旋轨道转矩配线连接的第一铁磁性层、以及在与所述第一铁磁性层不同的位置与所述自旋轨道转矩配线连接的配线，所述自旋轨道转矩配线和所述配线分别含有氮，所述自旋轨道转矩配线和所述配线的氮含量不同。

公开(公告)号：CN118338762A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410441522.9

申请日：2024-04-12

申请人： 洛玛瑞科技有限公司 ,  洛玛瑞芯片技术常州有限公司

发明人： 简·泽曼 ,  卡皮尔德布·多鲁伊 ,  邹斌 ,  安德烈·保罗·米哈伊

IPC分类号： H10N50/20 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

摘要： 本发明提供了一种磁性器件和存储单元，涉及包括钙钛矿基电极材料的用于存储器的磁性器件领域包括：间隔层；位于间隔层一侧的第一磁性电极层；以及位于间隔层另一侧的第二磁性电极层；所述间隔层包括钙钛矿基氮化物材料或钙钛矿基氮氧化物材料；所述第一磁性电极层和所述第二磁性电极层分别包括金属反钙钛矿基氮化物材料；所述第一磁性电极层和所述第二磁性电极层的相对净磁化方向可在平行净磁化状态和反平行净磁化状态之间切换，以控制通过其中的自旋极化电流，所述存储单元应用于存储器或存储设备，包括所述的磁性器件，其中，数据被记录为所述磁性器件的第一磁性电极层和第二磁性电极层平行净磁化状态或反平行净磁化状态，解决现有磁性器件功耗高、热稳定性差、可扩展性受限等问题。

公开(公告)号：CN112018231B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202010934862.7

申请日：2020-09-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王素梅 ,  罗军 ,  赵超 ,  王文武 ,  叶甜春

IPC分类号： H10N50/80 ,  H10N50/01

摘要： 本发明提供一种振荡器及其制造方法，在重金属层的第一表面上形成有第一磁性层，在重金属层第二表面上依次层叠有隔离层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层的磁化方向均位于面内。这样，第一磁性层在重金属层中的自旋轨道转矩作用下可以发生振荡，第二磁性层与重金属层由隔离层隔开，第二磁性层在第一磁性层产生杂散场，通过该杂散场可以实现振荡频率的调节。

公开(公告)号：CN118265439A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410400870.1

申请日：2024-04-03

申请人： 南京邮电大学

发明人： 罗中中 ,  于志浩 ,  徐勇 ,  赵强

IPC分类号： H10N50/80 ,  H10N50/20 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

摘要： 本发明公开一种二维材料辅助的多层磁性电极制备方法，多层磁性电极包括金膜层、磁性金属层和二维材料层，其中二维材料层可以是大面积连续的石墨烯薄膜或氮化硼薄膜，制备方法包括如下步骤：利用化学气相沉积方法，生长连续的二维材料薄膜，并将其转移到干净平整的衬底表面；利用掩膜版，依次沉积磁性金属层和金膜层，得到目标尺寸的多层磁性电极；利用探针或者粘性聚合物将含二维材料在内的多层磁性电极转移到目标半导体样品，形成有效的磁性电极/半导体接触，本发明可有效避免直接在半导体样品表面沉积磁性金属带来的界面缺陷与破坏，该转移方法对于实现具有高质量自旋界面的高性能自旋电子器件具有重要价值和意义。

公开(公告)号：CN118251016A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202211659427.3

申请日：2022-12-22

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 方语萱 ,  黎姗 ,  赵冬雪 ,  刘磊 ,  夏志良

IPC分类号： H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  G11C11/16

摘要： 一种存储器件，包括半导体层和在所述半导体层之上的堆叠结构。所述堆叠结构包括单元阵列区域和阶梯结构区域。所述单元阵列区域包括堆叠晶体管‑磁隧道结(TMTJ)元件的多个垂直层级和垂直延伸穿过所述堆叠结构的多个沟道结构。至少一个沟道结构包括垂直芯、垂直磁参考层和垂直隧道势垒层，所述垂直芯、所述垂直磁参考层和所述垂直隧道势垒层由与所述至少一个沟道结构相关联的一组磁隧道结(MTJ)元件共享。所述一组MTJ元件位于所述堆叠结构的不同垂直层级。

公开(公告)号：CN118234367A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410328582.X

申请日：2024-03-21

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 王虎 ,  袁敏 ,  李威 ,  王荣新 ,  刘通 ,  沈阳 ,  胡楠 ,  荣毅 ,  郭天泓 ,  李坊森

IPC分类号： H10N50/20 ,  H10N50/80 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01

摘要： 本发明公开了一种铁磁异质结构及其制备方法，该铁磁异质结构包括依次层叠设置的衬底层、拓扑绝缘体层、铁磁层、隧穿层和重金属层，所述拓扑绝缘体层采用分子束外延法制得。本发明提供的铁磁异质结构及其制备方法，通过引入拓扑绝缘体层作为自旋源，利用其强自旋‑轨道耦合作用和独特的表面态，实现比传统重金属自旋源更高效的SOT效应。