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公开(公告)号：CN116093231A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211542293.7
申请日：2022-12-02
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种垂直型发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极、第二电极和凸起保护电极，半导体叠层具有相对的上表面和下表面，半导体叠层沿下表面到上表面的方向起包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一电极位于半导体叠层的下表面并连接第一半导体层，第二电极位于半导体叠层的上表面并连接第二半导体层，凸起保护电极连接第二电极，其中，凸起保护电极的上表面高于第二电极的上表面。借由凸起保护电极的设置，可以在蓝膜与打线的第二电极间形成高度差，降低第二电极因与蓝膜接触而产生脏污的概率，保证垂直型发光二极管的光电品质。
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公开(公告)号：CN115763663A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211445114.8
申请日：2022-11-18
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/10 , H01L25/075
摘要： 本申请提供一种倒装发光元件及发光装置，形成有电连接第一导电类型的半导体层的第一接触电极和电连接第二导电类型的半导体层的第二接触电极，其中，第二接触电极呈阵列式分布，优选地，分布在以第一接触电极为圆心的至少一个同心圆上。电流可以通过第一接触电极(P接触电极)电连接P型外延层，并被P型外延层均匀分散开，有效改善电流扩展不均的问题，使得电流均匀扩展至P型外延层。另外，点阵式的P/N接触电极设计，一方面可以减少由于设置第一接触电极造成的有效发光区浪费；另一方面减少了接触电极与外延层的欧姆接触界面面积，有效提升了电流扩展能力，提高了芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN111164767B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201980004732.9
申请日：2019-05-17
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 一种半导体发光元件，包括：半导体发光序列，半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；电绝缘层覆盖第二导电类型半导体层一侧部分区域形成电绝缘区域，第二导电类型半导体层一侧未被覆盖的部分区域为电接触区域，第二导电类型半导体层中包括含氟区域。其中电绝缘层为氟化物，氟化物的氟离子通过高温扩散进入第二导电类型半导体层中形成含氟区域，含氟区域至少形成在第一电极的主焊盘电极下方的第二导电类型半导体层中，能够提高局部方块电阻，改善在第一电极的主焊盘电极下方的第二导电类型半导体层中的电流分散情况，促进电流向远离第一电极的主焊盘电极的周围区域横向扩散，从而提高光均匀分散性。
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公开(公告)号：CN112823427B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202080005592.X
申请日：2020-07-03
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L25/075
摘要： 本发明提供一种半导体发光元件，包含半导体外延叠层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；第一电极和第二电极，位于半导体外延叠层的第一表面之上，分别与第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层进行电连接；绝缘层：位于第一电极和半导体外延叠层之间及第二电极和半导体外延叠层之间；其特征在于：还包括防顶针缓冲层，其位于绝缘层和第二导电类型半导体层之间。本发明通过防顶针缓冲层的设计，可避免封装过程中顶针顶伤半导体发光元件，有效地保护半导体发光元件，提升半导体发光元件的产品良率。
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公开(公告)号：CN115588722A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211295239.7
申请日：2022-10-21
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，发光二极管包括外延结构，外延结构沿第一表面到第二表面的方向依次包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第二类型半导体层至少包括第二覆盖层；第二覆盖层包括至少N1层子层，其中N1≥2，第二覆盖层的材料为Aly1Ga1‑y1InP，其中，Al组分的含量自第一表面至第二表面方向为先增大后保持不变。本发明通过第二覆盖层采用Aly1Ga1‑y1InP，Al组分的含量自第一表面至第二表面方向为先增大后保持不变，能够提升外延结构的晶体质量，提升发光二极管的电流扩展的均匀性且有效减少载流子的溢流情况，进而提升发光二极管的亮度与发光效率。
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公开(公告)号：CN115425134A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211156812.6
申请日：2022-09-22
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管及显示装置，其中发光二极管包括外延结构，该外延结构具有出光面及与所述出光面相对的背面，所述出光面包括边缘区域以及被所述边缘区域环绕的中间区域，所述边缘区域覆盖有绝缘层，其中，所述中间区域的面积占所述出光面面积的60％～99％。绝缘层在出光面上的宽度介于5μm～20μm，由此能够保证发光二极管足够的出光率，同时还可以适当增加绝缘层的厚度，以增强对发光二极管的侧壁保护，防止出现IR漏电，影响器件的性能。
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公开(公告)号：CN115295700A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210963007.8
申请日：2022-08-11
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延结构、第一电极、第二电极和绝缘结构，外延结构具有相对的上表面和下表面，外延结构沿上表面到下表面的方向起依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一电极电连接第一半导体层，第二电极电连接第二半导体层，绝缘结构覆盖部分外延结构，其中，外延结构在第一温度和第二温度下分别发出具有第一波长和第二波长的光线，第二温度大于第一温度，第二波长大于第一波长，绝缘结构对于具有第二波长的光线具有至少90％的透光率。借此，可以使得发光二极管在热态下具有充足的出光量和发光亮度，满足使用需求。
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公开(公告)号：CN115224173A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210901412.7
申请日：2022-07-28
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管、发光装置及其制作方法。发光二极管至少可包括衬底、外延叠层、第一金属电极及第二金属电极，外延叠层包括依次层叠在衬底上的第二半导体层、有源发光层和第一半导体层；外延叠层还具有贯穿第一半导体层至有源发光层的沟槽，沟槽将第一半导体层和有源发光层划分为相互独立的发光区结构和岛状结构；岛状结构台面及侧壁覆盖有阻挡层；第一金属电极形成于发光区结构上且电连接第一半导体层；第二金属电极形成于阻挡层上且电连接第二半导体层。本发明提供的发光二极管通过岛状结构及阻挡层的设计，使得两金属电极的高度差降到较低，保证发光二极管易于固晶，能够有效提高良品率。
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公开(公告)号：CN115132890A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210900522.1
申请日：2020-12-18
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/30 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/62
摘要： 本发明公开半导体发光元件，包含半导体外延叠层，具有第一表面和与其相对的第二表面，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于两者之间的活性层；通孔，至少贯穿所述第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和活性层；电性连接结构，设于所述通孔内，延伸至所述第一导电型半导体层的第一表面上，与所述第一导电型半导体层形成电连接；第一电极金属层，设于所述半导体外延叠层的第二表面之上，与所述电性连接结构相连接；其特征在于：至少一段通孔露出所述第一导电型半导体层，所述第一段通孔侧壁与所述第一表面的夹角为θ1，0°＜θ1≤90°。本发明可改善电流扩展的均匀性，提升半导体发光元件的发光亮度的均匀性和发光效率。
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公开(公告)号：CN115132889A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210893622.6
申请日：2022-07-27
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/02
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延结构，外延结构具有相对的第一表面和第二表面，外延结构沿第二表面到第一表面的方向起依次包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中，P型半导体层包括复合欧姆接触层和电流扩展层，电流扩展层位于复合欧姆接触层与发光层之间，复合欧姆接触层中参杂In和C。借此，可以提升尾端接触层的晶体质量，减少位错的吸光以提升光效，提升打线的品质，进而提升发光二极管的质量。
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