公开(公告)号：CN1649084A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410104615.5

申请日：2004-12-22

Applicant: 索尼株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 嵯峨幸一郎 ,  渡边广也 ,  东友之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81C1/00849 ,  B81C2201/117

Abstract: 通过包括下述步骤的方法：在基底上按序形成由氧化硅膜制造的牺牲层和结构层的膜沉积步骤；通过用处理流体蚀刻除去牺牲层，在基底与结构层之间形成空隙的空隙形成步骤，和清洗步骤，从而生产包括基底和经空隙在基底上形成的结构层的结构体，所述结构层充当微型可移动元件。通过使用含氟化合物、水溶性有机溶剂和水的超临界二氧化碳流体作为处理流体，采用小量处理流体，在短时间内除去牺牲层，且对结构体没有任何破坏。

公开(公告)号：CN1616341A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410088661.0

申请日：2004-11-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 逢坂勉

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/117

Abstract: 本发明提供了一种刻蚀方法，该刻蚀方法能够通过非常精细的刻蚀开口以较好的构造精度，形成具有大的空间部分或复杂结构的空腔部分。如下进行对被处理物体的刻蚀处理：首先，将被处理物体暴露于包含刻蚀反应种的处理流体(第三步骤S3和第四步骤S4)；然后，降低处理腔中的压强以使被处理物体附近的处理流体的密度低于在第四步骤S4中的密度(第一步骤S1)。在重复第一步骤S1到第四步骤S4的同时，在第一步骤S1之后进行的第三步骤S3和第四步骤S4中，包含刻蚀反应种的处理流体被重新输入到其中放置有被处理物体的处理气氛中，以使被处理物体附近的处理流体的密度高于第一步骤S1中的密度。