公开(公告)号：CN1130595C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN01111657.9

申请日：2001-03-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟烈 ,  沈钟寅

IPC分类号： G02F1/39 ,  H01S5/30

CPC分类号： H01S5/5018 ,  H01S5/06236 ,  H01S5/0625

摘要： 公开一种光放大部件中的不受偏振影响的半导体光放大器，其具有衬底和包括形成于衬底上的有源层的多层结构的晶体生长层。在该光放大器中，有源层被分成具有不同偏振模的第一区和第二区。各电极装置独立地将电流加至第一区和第二区。因此，不受偏振影响的半导体光放大器能够分开控制TE和TM偏振增益以便基本平衡TE偏振增益与TM偏振增益。

公开(公告)号：CN1313523A

公开(公告)日：2001-09-19

申请号：CN01111657.9

申请日：2001-03-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟烈 ,  沈钟寅

IPC分类号： G02F1/39

CPC分类号： H01S5/5018 ,  H01S5/06236 ,  H01S5/0625

摘要： 公开一种光放大部件中的不受偏振影响的半导体光放大器,其具有衬底和包括形成于衬底上的有源层的多层结构的晶体生长层。在该光放大器中,有源层被分成具有不同偏振模的第一区和第二区。各电极装置独立地将电流加至第一区和第二区。因此,不受偏振影响的半导体光放大器能够分开控制TE和TM偏振增益以便基本平衡TE偏振增益与TM偏振增益。