-
公开(公告)号：CN109565153A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780050435.9
申请日：2017-07-12
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0625
CPC分类号： H01S5/0615 , H01S5/0206 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/0428 , H01S5/0625 , H01S5/22 , H01S5/2202 , H01S5/3086 , H01S5/32316 , H01S2304/04
摘要： 在根据本公开的实施方式的半导体激光器中，脊部具有以下结构，其中，多个增益区域和多个Q开关区域各自交替地布置，分离区域中的每个分离区域在脊部的延伸方向上介于其间。分离区域各自具有分离凹槽，分离凹槽通过空间将彼此相邻的增益区域和Q开关区域彼此分离。分离凹槽的底表面所在的位置在第二半导体层中高于与脊部的两侧中的每一侧的脚部对应的部分。
-
公开(公告)号：CN101847826A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010138524.9
申请日：2010-03-19
申请人： 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/042
CPC分类号： H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
-
公开(公告)号：CN101666953A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910151766.9
申请日：2009-07-13
申请人： 阿尔卡特朗讯
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0617 , H01S5/06236 , H01S5/0625
摘要： 本发明提供了一种光子器件，包括一个部分和另一部分，所述一个部分的材料与所述另一部分的材料不同，以使两个部分呈现不同的光学双折射率值。这使第一组偏振模式以不同于第二组偏振模式的速度在光谱空间中移动。使用偏置电流或电压来控制器件中的总双折射效应。执行用于控制双折射效应的偏置，以使器件的TE模式和TM模式的相应光谱位置一致。因此使器件对任何输入光信息的偏振不敏感或实质上呈现降低的敏感性。
-
公开(公告)号：CN1174577C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN97199566.4
申请日：1997-09-02
申请人： 艾利森电话股份有限公司
发明人： O·扎尔恩
CPC分类号： H01S5/4031 , G02B2006/12121 , G02B2006/12142 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/0625 , H01S5/06258 , H01S5/12 , H01S5/4087
摘要： 在一个可调谐的激光器件中有多个基本上相同的激光器(3，3’)被彼此相邻地成行或成列布置在一个共用的基片(1)上。激光器(3，3’)可以是DFB型，并且具有通过不同的光栅(5)间隔所获得的不同的发射波长，用光栅来确定各个激光器的波长。通过向装在激光器顶面上的触点(11)提供电流就可以激励激光器彼此独立地发光。当一个激光器受到激励时，其他激光器受到偏置，让位于有效激光器一侧的那些激光器对发射的光透明，光从这些激光器和一个电光调制器(17)中通过，而位于该激光器另一侧的那些激光器则会吸收光。通过控制温度就可以精密地调节发射光的波长。这种激光器件具有紧凑的结构，对使用的驱动电流的变化并不是很敏感，并且能够用简单的方式调节到不同的工作状态，以及对老化的影响进行补偿。
-
公开(公告)号：CN101666953B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910151766.9
申请日：2009-07-13
申请人： 阿尔卡特朗讯
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0617 , H01S5/06236 , H01S5/0625
摘要： 本发明提供了一种光子器件，包括一个部分和另一部分，所述一个部分的材料与所述另一部分的材料不同，以使两个部分呈现不同的光学双折射率值。这使第一组偏振模式以不同于第二组偏振模式的速度在光谱空间中移动。使用偏置电流或电压来控制器件中的总双折射效应。执行用于控制双折射效应的偏置，以使器件的TE模式和TM模式的相应光谱位置一致。因此使器件对任何输入光信息的偏振不敏感或实质上呈现降低的敏感性。
-
公开(公告)号：CN101431216B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810184662.3
申请日：2004-12-21
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/0625 , H01S5/10 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/0624 , H01S5/1064 , H01S5/22
摘要： 提供一种半导体激光装置和激光投影装置，在端面反射率不同的半导体激光装置(10)中，将配置在条状脊部(107a)上的电极，分割为由4个电极部(1)、(2)、(3)、(4)构成的四分割结构，使越是接近光出射端面侧的电极部，其注入电流越大。利用这种半导体激光装置，可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布，因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。
-
公开(公告)号：CN1875528B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200480031810.8
申请日：2004-08-31
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·A·贝法 , K·姆罗 , C·B·史塔加尔斯库 , A·T·谢里默尔
CPC分类号： H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0264 , H01S5/06256 , H01S5/0655 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/343 , H01S5/34313
摘要： 一种单模、蚀刻面为分布式布拉格反射激光器包括AlGaInAs/InP激光谐振腔，具有多个法布里-佩罗特元件前端镜组合，以及后端检测器。该前端镜组合元件和后端反射元件包括输入和输出蚀刻面，并且激光谐振腔是蚀刻脊形谐振腔，它们都通过两个步骤的光刻和CAIBE工艺从外延晶片形成的。
-
公开(公告)号：CN1278961A
公开(公告)日：2001-01-03
申请号：CN98811176.4
申请日：1998-11-06
申请人： 美国3M公司
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/347
摘要： 一种具有半导体块体的Ⅱ－Ⅵ族半导体激光二极管,包括形成pn结的多个半导体层、位于半导体块体一端的一个小面和参考电极。激光二极管进一步包括位于与小面相邻处的减小小面退化的电极。减小小面退化的电极与正向偏置电极电隔离。采用减小小面退化的电极来建立足以减小小面退化的电场。在一个实施例中,这一电场是通过在小面电极与参考电极之间施加一反偏电压建立的。在另一个实施例中,这一电场是通过将小面电极电连接至参考电极而建立的。
-
公开(公告)号：CN102893466B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180024049.5
申请日：2011-05-09
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/0625 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/30 , H01L33/005 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出一种边缘发射的半导体激光器（1001），其具有：半导体本体（1），所述半导体本体包括适合于产生电磁辐射的有源区（5）；在所述有源区（5）上的至少两个小面（7），所述小面形成谐振器（55）；至少两个在侧向方向（100）上通过至少一个中间区域（22）彼此隔开的接触部位（2），所述接触部位安装在半导体本体（1）的外面（11）上。
-
公开(公告)号：CN102684067A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210062338.0
申请日：2012-03-09
申请人： 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC分类号： H01S5/0602 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/1064 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2301/166
摘要： 本发明涉及激光二极管元件组件及其驱动方法。一种激光二极管元件组件包括：激光二极管元件；以及光反射器，其中，激光二极管元件包括(a)层压结构体，所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层，以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成，第二导电型与第一导电型不同，(b)第二电极，形成在第二化合物半导体层上，(c)第一电极，电连接至第一化合物半导体层，层压结构体包括脊条形结构，脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1＜Wmax/Wmin＜3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
32 条记录 (耗时 0.012 秒)
