公开(公告)号：CN104091884A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410334719.9

申请日：2014-07-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 尤立星 ,  李浩 ,  郭琦 ,  张伟君 ,  张露 ,  王镇

IPC: H01L39/08 ,  H01L39/10 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明提供一种基于超导纳米线的高偏振比单光子探测器，包括：衬底；抗反射层，结合于所述衬底表面；超导纳米线，呈周期性蜿蜒结构结合于所述抗反射层表面，所述超导纳米线的宽度为不大于75纳米，厚度为不小于7纳米，占空比为不大于40%。本发明通过调整单光子探测器的超导纳米线的宽度、厚度以及占空比，实现了单光子探测器较大的偏振比，相比于传统的偏振探测器件具有体积小、结构简单、灵敏度高、暗计数低等优点，无需要外部集成偏振器件等优势。

公开(公告)号：CN104091883A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410334718.4

申请日：2014-07-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李浩 ,  尤立星 ,  王镇

IPC: H01L39/02 ,  H01L39/10 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明提供一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；全介质多层薄膜反射镜，结合于所述衬底表面；超导纳米线，结合于所述全介质多层薄膜反射镜表面。所述衬底包括硅衬底、MgO衬底或蓝宝石衬底，所述全介质多层薄膜反射镜包括交替层叠的SiO2层与SiO层、交替层叠的SiO2层与Si层、交替层叠的SiO2层与TiO2层、或者交替层叠的SiO2层与Ta2O5层，所述超导纳米线的材料包括NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi。本发明的基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器具有高吸收效率、在较高吸收效率区对纳米线尺寸具有较大容忍度、且能避免了衬底Fabry-Perot腔对吸收效率的影响。

公开(公告)号：CN208078023U

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201820593243.4

申请日：2018-04-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张雪 ,  张国峰 ,  王永良 ,  荣亮亮 ,  王镇 ,  谢晓明

IPC: H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: 本实用新型提供一种亚微米约瑟夫森隧道结，包括：衬底；约瑟夫森结，位于衬底的上表面，约瑟夫森结包括由下至上依次叠置的底电极、势垒层以及顶电极，顶电极包括第一亚微米线条及第二亚微米线条，第二亚微米线条位于第一亚微米线条上方，且与第一亚微米线条呈十字交叉连接；第一绝缘层，覆盖势垒层及约瑟夫森结周围的衬底；第二绝缘层，覆盖于第一绝缘层的表面，第二绝缘层内形成有暴露出第一亚微米线条的第一开口，第二亚微米线条与第一开口内的第一亚微米线条相接触，并延伸至第二绝缘层的上表面。本实用新型不仅改善了边缘效应、降低了台阶过渡处漏电流的产生，还有利于提高约瑟夫森结的质量及可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210719422U

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201921922748.1

申请日：2019-11-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李浩 ,  周后荣 ,  尤立星 ,  王镇

IPC: G01J11/00

Abstract: 本实用新型提供一种背面光耦合超导纳米线单光子探测器件及测试装置，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件包括器件光敏区域及定位环。测试装置包括封装件及套管，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件固定于封装件中，并通过套管与封装件及光纤插头的连接，使得光纤插头的中心与背面光耦合超导纳米线单光子探测器件的中心位于同一垂线上。本实用新型制备具有特殊形貌的背面光耦合超导纳米线单光子探测器件并与测试装置配合应用，实现高稳定性的自对准光耦合；且利用μm级的标记刻度尺，结合光学显微镜可以直接量化对光误差，使得对光误差控制在μm量级。

公开(公告)号：CN207624699U

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201721811773.3

申请日：2017-12-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张国峰 ,  王永良 ,  张雪 ,  荣亮亮 ,  王镇 ,  谢晓明

IPC: H01L27/18 ,  H01L39/04 ,  H01L39/24 ,  G01R33/035

Abstract: 本实用新型提供一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构，所述封装结构包括：SQUID平面梯度计芯片；设置于所述SQUID平面梯度计芯片下方的至少一层缓冲层；设置于所述缓冲层下方的基板；形成于所述基板上、且与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极；以及设置于所述基板上的封装盖板，其中，所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。通过本实用新型提供的SQUID平面梯度计芯片的封装结构，解决了现有SQUID平面梯度计芯片封装结构的不平衡度指标较差的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利