去除高压二极管引脚树脂毛刺工艺

    公开(公告)号:CN109352882A

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201811252014.7

    申请日:2018-10-25

    发明人: 陈许平

    IPC分类号: B29C37/02

    摘要: 本发明涉及一种去除高压二极管引脚树脂毛刺工艺,去除压塑后高压二极管半成品的引脚树脂毛刺,它包括如下步骤;(1)工艺准备;(2)去除树脂毛刺;(3)清洗;(4)烘干。构思巧妙,设计合理,利用SYD712去毛刺液浸泡高压二极管,软化剥离高压二极管引脚的毛刺,去毛刺效果好,工效快,省时省工,每人每班可处理50个生产批。人工刮毛刺每人每班次生产量为1.2批。大大提高了劳动生产率。

    高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法

    公开(公告)号:CN106098537B

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201610686750.8

    申请日:2016-08-19

    发明人: 陈许平

    IPC分类号: H01L21/02

    摘要: 本发明公开了电子器件的加工领域的一种高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法。其特征在于:所述的处理清洗方法包括以下步骤:1)碱性溶液配制、2)二甲基乙酰胺超声清洗、3)乙醇浸洗、4)乙醇超声波清洗、5)纯水超声波清洗、6)三级水洗、7)热碱处理和9)纯水清洗。本发明具有脱脂脱砂效果好、环保和降低成本等优点。

    一种金刚线切割硅叠工艺

    公开(公告)号:CN107775828A

    公开(公告)日:2018-03-09

    申请号:CN201711047306.2

    申请日:2017-10-31

    发明人: 陈许平

    摘要: 本发明涉及一种金刚线切割硅叠工艺,它包括如下步骤:手动旋转主轴,在三滑车间卷绕金刚线;把纯水倒进切断机水箱内;(3)铝台接着;(4)固定切割;(5)确认切断结束后,将纯水泵转换为旁路,按顺序关闭切断机各电源开关,松开铝台锁紧装置,取下铝台;(6)将铝台置于接着热板,待接着剂熔化后将表面硅块卸至烧杯中,交下道工序清洗。优点是设计合理,切割速度可以快2—3倍,提升了机器生产率;不使用昂贵且难以处理的切削油砂浆,环保安全无后顾之忧;金刚线切割槽距小,每叠硅块出率达6500只,高于砂浆切割约12%,单叠耗材远远降低,解决现有砂浆切割硅叠切割效率低、废油排放环境负荷大等主要问题。

    高压二极管过温恢复能力检测方法及其系统装置

    公开(公告)号:CN105093089B

    公开(公告)日:2018-02-27

    申请号:CN201510576664.7

    申请日:2015-09-11

    发明人: 孙建兵

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种高压二极管过温恢复能力检测方法及其系统装置。高压二极管过温恢复能力检测方法,通过逐步地对高压二极管进行加温,通过调整施加在二极管上的反向电压VR以保持二极管上施加恒定的反向直流电流IRM,同时逐步地调整高压二极管的加温温度,直至反向电压VR小于额定设定值,同时自动记录反向电压VR,温度值,形成一个反向电压与温度的变化曲线,从而分析此曲线以取得高压二极管过温恢复能力。优点是设计简单,方法合理,通过本方法及本装置可以方便快捷的检测出高压二极管过温恢复能力,得出一些数据,弥补此方面技术空白。

    一种高压二极管硅叠表面电镀金工艺

    公开(公告)号:CN105040049B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201510576409.2

    申请日:2015-09-11

    发明人: 陈许平

    IPC分类号: C25D3/48 C25D7/04 C25D7/12

    摘要: 本发明涉及一种高压二极管硅叠表面电镀金工艺。首先闭合清洗剂液槽;闭合本镀金槽加热器电源;闭合电镀用电源;将待镀金硅叠装上专用夹具;脱脂水洗;酸洗;水洗;预镀:将夹具置于预镀液槽中,电镀30s;控制电镀电源电压为3.35±0.01V;水洗;本镀:确认本镀液槽液温为60~65℃,将夹具置于本镀槽中,本镀2.0±0.5min,调整电镀电源电流为0.6±0.1A,电镀电压不定;后处理;脱水干燥。优点是工艺简单完善,一次合金后的硅叠采用电镀的方法镀上一层薄薄的金层,金与铅锡焊片之间合金浸润性好,可有效提高二次焊接后焊接强度;电镀金硅叠二次合金后表面平整均一;镀金后的组装烧结合格率则达到99.2%。

    高压二极管硅块台面腐蚀工艺

    公开(公告)号:CN103943496B

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201410208247.2

    申请日:2014-05-16

    发明人: 陈许平

    IPC分类号: H01L21/329 H01L21/306

    摘要: 本发明涉及高压二极管硅块台面腐蚀工艺。工艺步骤依次是混合酸配制;将待处理硅块装入BE塑料模,再将装有硅块的BE模安装在塑料托架上;混酸处理;腐蚀量测定;第一次水洗;硝酸腐蚀清洗;第二次水洗;第三次水洗;脱水干燥;干燥空气的干燥;硅块与电极引线进行组装烧结。优点是开发一种新型混合酸,使硅块切断面的腐蚀速度比较一致,使腐蚀量差别小,充分去除切断产生的损伤层;混合酸处理后再进行氢氟酸清洗处理,去除芯片焊料表面少许氧化层,便于与电极引线更好的烧结焊接;本工艺腐蚀处理速率均一,形成了良好的硅块台面形状,腐蚀量差异小;器件的反向漏电小,击穿特性硬,浪涌耐量大,成品率大幅度提高。

    大功率高压硅堆全动态老化试验仪

    公开(公告)号:CN103245900B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201310138136.4

    申请日:2013-04-19

    发明人: 许铁华

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开了电子元件生产领域的一种大功率高压硅堆全动态老化试验仪。包括整流变换电路、试验电源控制电路、大功率正向电流源发生电路、大功率反向电压源发生电路、取样电路和显示报警电路,其特征在于:试验电源控制电路包含试验电流源控制电路、试验电压控制电路、电流/电压切换控制电路和试验总时长计时器电路,试验样品在加热油槽内,大功率电流和电压源在正负半周自动切换,交流正半周施加正向工作电流,负半周施加反向工作电压,整流变换电路对介质绝缘油进行加热和恒温。本发明与现有技术相比具有工作可靠、效率高、和操作安全等优点。

    一种硅片PN扩散用碳化硅舟

    公开(公告)号:CN105070677A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510576289.6

    申请日:2015-09-11

    发明人: 陈许平

    IPC分类号: H01L21/673

    CPC分类号: H01L21/67306 H01L21/67323

    摘要: 本发明涉及硅片PN扩散积层用存放工装,具体涉及一种硅片PN扩散用碳化硅舟。它包括舟体、圆形隔板、圆形隔块,舟体是长方体状,舟体中间开有一个长方形孔,长方形孔内两侧对应开有若干卡槽,长方形孔两侧卡槽之间的舟体设计成坡面,圆形隔板装在卡槽内,最两端圆形隔板之间装有圆形隔块。优点是设计简单,使用方便,结构合理,适合于待扩散硅片积层放置用工装,其特点是:纯度高,硬度大,耐碱腐蚀;因为经过硅片PN扩散后有残留的杂质源沾在工装表面上,必须以强碱液去除,所以新型工装必须耐碱腐蚀。

    一种高压二极管硅叠表面电镀金工艺

    公开(公告)号:CN105040049A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510576409.2

    申请日:2015-09-11

    发明人: 陈许平

    IPC分类号: C25D3/48 C25D7/04 C25D7/12

    摘要: 本发明涉及一种高压二极管硅叠表面电镀金工艺。首先闭合清洗剂液槽;闭合本镀金槽加热器电源;闭合电镀用电源;将待镀金硅叠装上专用夹具;脱脂水洗;酸洗;水洗;预镀:将夹具置于预镀液槽中,电镀30S;控制电镀电源电压为3.35±0.01V;水洗;本镀:确认本镀液槽液温为60~65,将夹具置于本镀槽中,本镀2.0±0.5min,调整电镀电源电流为0.6±0.1A,电镀电压不定;后处理;脱水干燥。优点是工艺简单完善,一次合金后的硅叠采用电镀的方法镀上一层薄薄的金层,金与铅锡焊片之间合金浸润性好,可有效提高二次焊接后焊接强度;电镀金硅叠二次合金后表面平整均一;镀金后的组装烧结合格率则达到99.2%。

    高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法

    公开(公告)号:CN103567130A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310563935.6

    申请日:2013-11-14

    发明人: 陈许平

    IPC分类号: B05D5/12 G01B11/06 H01L33/52

    摘要: 本发明公开了电子元器件生产领域的一种高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法。对经化学清洗干燥后的已烧结高压二极管芯片按照工艺要求进行管芯表面涂敷聚酰胺胶(上胶),再放于阶梯式程控烘箱内进行干燥(聚酰胺胶钝化)。从干燥后的生产批中抽取一根部件,置于金相显微镜的测试台上,调整显微镜焦距粗调、微调旋钮,分别对钝化层表面、芯片表面进行定位,可以测量出钝化层的膜厚。本发明具有测量精度高和提高成品的合格率等优点。