平面铌靶材的制备方法
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109706427A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201811618660.0

    申请日:2018-12-28

    IPC分类号: C23C14/34 C22F1/18

    摘要: 本发明涉及一种平面铌靶材的制备方法。其特点是,包括如下步骤:(1)取铌锭进行锻造,锻造的具体方式为径向型砧打圆轴向拔长,将锻造后的铌锭进行酸洗,将酸洗后的铌锭进行热处理;(2)将步骤(1)得到的铌锭进行再次锻造,锻造的具体方式为90度换向压扁锻造,将锻造后的铌锭进行酸洗,将酸洗后的铌锭进行热处理;(3)将步骤(2)得到的铌锭进行轧制得到铌板,对铌板进行热处理,得到平面铌靶材。本发明在轧制阶段使铌锭变形更均匀,并且在加工后配合中间的热处理工艺,使铌靶材的组织越来越均匀化,细化,最终得到组织均匀、晶粒度小于50μm的等轴晶组织平面铌靶材。

    一种钽靶材及其制备方法
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104451567B

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201410833093.6

    申请日:2014-12-29

    IPC分类号: C23C14/34 C22F1/18

    摘要: 本发明提供了一种钽靶材及其制备方法,包括以下步骤,首先将钽锭经过第一次锻造后,得到一次锻造坯料;然后将上述步骤得到的一次锻造坯料经过第二次锻造和第一次热处理后,得到二次锻造坯料;再将上述步骤得到的二次锻造坯料经过第三次锻造和第二次热处理后,得到三次锻造坯料;再将上述步骤得到的三次锻造坯料经过第四次锻造和第三次热处理后,得到四次锻造坯料;最后将上述步骤得到的四次锻造坯料经过轧制和第四次热处理后,得到钽靶材;所述第一次锻造为旋转锻造;所述第一次锻造的温度为800~1400℃。本发明制备的钽靶材织构分布均匀、晶粒尺寸小,能够符合高端半导体镀膜行业的使用要求。