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公开(公告)号：CN110352498B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201880013976.9
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社田村制作所 , 诺维晶科股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/47
Abstract: 作为一个实施方式，提供一种沟槽MOS型肖特基二极管(1)，其具有：第1半导体层(10)，其包括Ga2O3系单晶；第2半导体层(11)，其是层叠于第1半导体层(10)的层，包括Ga2O3系单晶，具有在面(17)上开口的沟槽(12)；阳极电极(13)，其形成在面(17)上；阴极电极(14)，其形成在第1半导体层(10)的与第2半导体层(11)相反的一侧的面上；绝缘膜(15)，其覆盖第2半导体层(11)的沟槽(12)的内表面；以及沟槽MOS栅极(16)，其以被绝缘膜(15)覆盖的方式埋入第2半导体层(11)的沟槽(12)内，与阳极电极(13)接触，第2半导体层(11)包括：第1半导体层侧的下层(11b)；以及阳极电极(13)侧的上层(11a)，其具有比下层(11b)高的施主浓度。
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公开(公告)号：CN115085516A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210119383.9
申请日：2022-02-08
Applicant: 株式会社田村制作所
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可提高屏蔽时间的精度的驱动电路。驱动电路包括：第一二极管；第一晶体管以及第二晶体管，在第一二极管为关断状态时成为关断状态，且在第一二极管为导通状态时成为导通状态；第一电容器；以及控制部，控制是否向开关元件输出脉冲信号，在开关元件为接通状态的情况且开关元件的集电极‑发射极间电压为第一规定电压值以上的情况下，第一二极管成为导通状态，第一晶体管以及第二晶体管成为导通状态，在开始对第一电容器进行来自电流源的电流的充电且两端的电压值成为大于第一规定电压值的第二规定电压值以上的屏蔽时间后，将异常检测信号输出至控制部，控制部根据异常检测信号停止向开关元件输出脉冲信号。
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公开(公告)号：CN115083752A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111350282.4
申请日：2021-11-15
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 本发明提供一种电抗器，其抑制磁通碰触磁传感器的端面，从而可实现涡电流损失及发热量的降低。电抗器(10)包括：空芯线圈(1)，卷绕导电性构件而成；磁性体(2)，与空芯线圈(1)的和卷轴方向正交的端面相向地配置；以及磁传感器(3)，卷绕导电性构件而成，对电抗器(10)的磁状态进行探测。磁传感器(3)配置于空芯线圈(1)的与卷轴方向正交的内径面的延长区域以外的磁性体(2)的外周。
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公开(公告)号：CN115026459A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210197801.6
申请日：2022-03-02
Applicant: 株式会社田村制作所
IPC: B23K35/36
Abstract: 本发明的助焊剂组合物为含有(A)松香类树脂、(B)胺化合物、(C)触变剂和(D)活化剂的助焊剂组合物，其中，所述(B)成分为选自(B1)三唑化合物、(B2)环状胺化合物、以及(B3)咪唑啉化合物中的至少一种，所述环状胺化合物在1分子中具有苯环或吡啶环并具有一个羧基，所述苯环中一个氢被氨基取代，所述(C)成分含有(C1)在1分子中具有一个以上的长链烃基和一个以上的羰基的化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114864209A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111358377.0
申请日：2021-11-16
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 本发明提供一种减小粒径且抑制了磁滞损耗的压粉磁心用粉末及压粉磁心。压粉磁心用粉末在包含Fe‑Si系合金粉末时，所述Fe‑Si系合金粉末的中值粒径D50为13.8μm以上、39.2μm以下，粒度分布中的D10为6.9μm以上，进而，粒度分布的D90为50.9μm以下，在包含FeSiAl系合金粉末时，所述FeSiAl系合金粉末的中值粒径D50为16.4μm以上、23.6μm以下，粒度分布中的D10为5.5μm以上。
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公开(公告)号：CN114846593A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080090359.6
申请日：2020-12-21
Applicant: 株式会社田村制作所 , 诺维晶科股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L29/872 , H01L23/50
Abstract: 提供一种半导体装置，其在引线框架安装有将Ga2O3系半导体用作基板和外延层的材料的纵型的半导体元件，能够使热从半导体装置向引线框架高效地散逸。作为一实施方式，提供一种半导体装置(1)，其具备：引线框架(20)，其在表面具有凸部(200)；以及SBD(10)，其以面朝下的方式安装在引线框架(20)上，具有：基板(11)，其包括Ga2O3系半导体；外延层(12)，其层叠于基板(11)，包括Ga2O3系半导体；阴极电极(13)，其连接到基板(11)；以及阳极电极(14)，其连接到外延层(12)并在外周部具有场板部(140)，SBD(10)固定在凸部(200)上，外延层(12)的外周部(120)位于引线框架(20)的平坦部(201)的正上方。
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公开(公告)号：CN114616750A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080075701.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社田村制作所
Inventor： 小川纮生
Abstract: 本发明提供一种栅极驱动电路，使用更简单的电路且抑制成本的上升，并且包括更高速的开关电路。栅极驱动电路基于控制信号来驱动半导体开关，且包括：输入端子；高侧开关，连接于正侧电源；低侧开关，连接于负侧电源；第一微分电路，连接于正侧电源，将控制信号微分并供给于高侧开关；第二微分电路，连接于负侧电源，将控制信号微分并供给于低侧开关；输出端子，输出进行驱动的信号；第一阻抗电路，连接于高侧开关与输出端子之间；以及第二阻抗电路，连接于高侧开关与所述输出端子之间。
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公开(公告)号：CN114503378A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080069996.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
IPC: H01S5/0225 , C09K11/02 , C09K11/64 , C09K11/80
Abstract: 提供一种波长转换构件(1)，具备：基板(10)；以及波长转换层(11)，其包含荧光体粒子群(12)和密封荧光体粒子群(12)的密封构件(13)，直接或隔着其它层设置在基板(10)上，在波长转换层(11)的与厚度方向平行的任意的截面中，包含荧光体粒子群(12)的截面的面积比率为50％以上的规定的区域，在波长转换层(11)的厚度为50μm以上的情况下，上述规定的区域是从波长转换层(11)的底面起的厚度为50μm且宽度为700μm的长方形的区域，在波长转换层(11)的厚度小于50μm的情况下，上述规定的区域是厚度为波长转换层(11)的厚度且宽度为700μm的长方形的区域。
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公开(公告)号：CN108620768B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201710872626.5
申请日：2017-09-25
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 本发明的热固化性焊剂组合物用于通过回流焊接而使电子部件接合于电子基板，所述电子部件具有由熔点为200℃以上且240℃以下的焊料合金形成的焊料凸块，所述热固化性焊剂组合物含有(A)氧杂环丁烷化合物和(B)活化剂，所述(A)成分含有(A1)1分子中具有2个氧杂环丁烷环的二官能氧杂环丁烷化合物，所述(B)成分含有(B1)有机酸，在从温度25℃以5℃/分的升温速度升温时，温度200℃时的粘度为5Pa·s以下，且温度250℃时的粘度为50Pa·s以上。
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