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公开(公告)号：CN107785385A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710741357.9
申请日：2017-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14636 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和一种图像传感器。半导体器件可以包括：衬底；衬底中的器件隔离图案，以将第一像素和第二像素彼此电隔离；器件隔离图案中的导电图案；以及器件隔离图案的侧表面上的掺杂层。掺杂层的导电类型可以与衬底的导电类型不同。
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公开(公告)号：CN109728025B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201811286478.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32
Abstract: 一种图像传感器包括衬底上的滤色器、滤色器上的第一有机光电二极管和第二有机光电二极管以及分别连接至第一有机光电二极管和第二有机光电二极管的第一电容器和第二电容器。滤色器与衬底的第一表面间隔开。第一有机光电二极管和第二有机光电二极管中的每一个面对滤色器的上表面。第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件。第一导电图案延伸穿过衬底，第一绝缘间隔件包围第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度。第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件。第二导电图案延伸穿过衬底，第二绝缘间隔件包围第二导电图案的侧壁并且具有小于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN108269813B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201711430935.3
申请日：2017-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可包括衬底，其包括多个单元像素区并且具有彼此面对的第一表面和第二表面。单元像素区中的每一个可包括：在衬底中彼此间隔开的多个浮置扩散部件；存储节点，它们设置在衬底中并且与浮置扩散部件间隔开，并且面对浮置扩散部件；转移栅极，其邻近于浮置扩散部件与存储节点之间的区；以及光电转换部件，它们按次序堆叠在第一表面和第二表面之一上。光电转换部件中的每一个可包括分别设置在其顶表面和底表面上的公共电极和像素电极，并且各个像素电极可电连接至对应的一个存储节点。
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公开(公告)号：CN115706123A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210557886.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器像素和图像传感器，图像传感器像素包括衬底和光电转换层，衬底在其光接收表面上具有像素电极，光电转换层包括钙钛矿材料并位于像素电极上。透明电极设置在光电转换层上，并提供了电连接到像素电极并至少部分地延伸穿过衬底的垂直电极。光电转换层包括钙钛矿层、在像素电极和钙钛矿层之间延伸的第一阻挡层以及在透明电极和钙钛矿层之间延伸的第二阻挡层。钙钛矿材料可以具有ABX3、A2BX4、A3BX5、A4BX6、ABX4或An‑1BnX3n+1的材料结构，其中：n是2至6的范围内的正整数；A包括从由Na、K、Rb、Cs和Fr组成的组选择的至少一种；B包括从二价过渡金属、稀土金属、碱土金属、Ga、In、Al、Sb、Bi和Po中选择的至少一种；X包括从Cl、Br和I中选择的至少一种。
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公开(公告)号：CN108696701B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810092712.9
申请日：2018-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一光电元件；第一光电元件下方的第二光电元件；以及第二光电元件下方包括第一半导体器件和第二半导体器件的像素电路。第一半导体器件连接到第一光电元件中的至少一个。第二半导体器件连接到第二光电元件中的至少一个。第一半导体器件连接到不同的第一光电元件并且在多个像素区域中的一个像素区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111029365A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910959825.9
申请日：2019-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。
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公开(公告)号：CN109728025A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811286478.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30
Abstract: 一种图像传感器包括衬底上的滤色器、滤色器上的第一有机光电二极管和第二有机光电二极管以及分别连接至第一有机光电二极管和第二有机光电二极管的第一电容器和第二电容器。滤色器与衬底的第一表面间隔开。第一有机光电二极管和第二有机光电二极管中的每一个面对滤色器的上表面。第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件。第一导电图案延伸穿过衬底，第一绝缘间隔件包围第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度。第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件。第二导电图案延伸穿过衬底，第二绝缘间隔件包围第二导电图案的侧壁并且具有小于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN108288623A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201711344138.3
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：光敏元件，响应于入射光来生成电荷；存储二极管，形成在衬底中，其中存储二极管存储由光敏元件生成的电荷；浮置扩散区域，形成在衬底的顶面中并且与存储二极管间隔开；以及转移栅极，至少部分地埋置在衬底的顶面的下方，其中转移栅极控制电荷从存储二极管向浮置扩散区域转移。
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公开(公告)号：CN108122936A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710781134.5
申请日：2017-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H04N5/341 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器。该图像传感器包括：多条沿第一方向延伸的行线；包括多条第一列线和多条第二列线的多条列线，所述多条列线与所述多条行线相交；以及沿所述多条行线和所述多条列线排列的多个像素，所述多个像素包括多个像素组，所述多个像素组中的每个像素组都包括两个或更多像素。每个像素都包括第一光电元件、第二光电元件、连接到第一光电元件的第一像素电路以及连接到第二光电元件的第二像素电路。在每一像素组中，第一像素电路共享所述多条第一列线之一，第二像素电路共享所述多条第二列线之一。
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