公开(公告)号：CN103000810A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210103761.0

申请日：2012-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  金奎植 ,  陈勇完 ,  李光熙 ,  林东晳 ,  林宣晶

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4253 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供了光电二极管。根据示例实施例的光电二极管包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。本征层包括P型半导体和N型半导体，在本征层内，P型半导体的重量组成比和N型半导体的重量组成比根据本征层到阳极和阴极之一的距离而改变。

公开(公告)号：CN101190903B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200710126352.1

申请日：2007-06-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 金奎植 ,  金镇伯 ,  河龙雄 ,  朴炳夏 ,  朴志英 ,  金秀玟

IPC: C07D305/06 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC classification number: C07D305/06 ,  C08L61/06 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/115

Abstract: 本发明披露了含氧杂环丁烷的化合物，包括该化合物的光致抗蚀剂组合物，使用该光致抗蚀剂组合物制备图案的方法，以及喷墨打印头，该喷墨打印头包括所述含氧杂环丁烷的化合物的聚合产物。

公开(公告)号：CN101190903A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710126352.1

申请日：2007-06-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 金奎植 ,  金镇伯 ,  河龙雄 ,  朴炳夏 ,  朴志英 ,  金秀玟

IPC: C07D305/06 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC classification number: C07D305/06 ,  C08L61/06 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/115

Abstract: 本发明披露了含氧杂环丁烷的化合物，包括该化合物的光致抗蚀剂组合物，使用该光致抗蚀剂组合物制备图案的方法，以及喷墨打印头，该喷墨打印头包括所述含氧杂环丁烷的化合物的聚合产物。