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公开(公告)号：CN106301226B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201610681667.1
申请日：2016-08-18
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H03B19/14
摘要： 本发明公开了一种微带线与悬置微带线相结合的太赫兹倍频器，包括倍频器金属腔体、电路基片、二极管芯片，二极管芯片安装位置的正下方的电路基片为微带线形式，即这部分电路基片的下方紧贴倍频器金属腔体，有利于二极管工作时通过基片向腔体散热；直流偏置低通滤波器所在电路基片也为微带线形式，即这部分基片下方也紧贴金属腔体；电路基片上的其余部分电路均为悬置微带线的形式，这些部分对应的电路基片上下均为空气，有利于减小太赫兹信号的传输损耗，提高倍频效率；本发明中二极管的电路基片在金属腔体中的安放形式从单一的微带线或者悬置微带线变成微带线与悬置微带线相结合的方式，有较高的倍频效率，更加容易安装，且抗震动性能更好。
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公开(公告)号：CN106791811A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611154991.4
申请日：2016-12-14
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H04N17/00
CPC分类号： H04N17/00
摘要： 本发明公开了一种新型的太赫兹宽带波导检波器结构，包括波导输入阻抗匹配段、波导的腔体内基片电路、接地二极管以及输出的低通滤波器，极大地简化了整个检波器电路，使得基片的长度有了很大的减小；本发明采用二极管在波导腔中完成检波，极大地简化了检波器电路，减小了电路基片的长度，提高了检波器的宽带性能并且减小仿真难度；本发明的电场模式的变化将会增大输入输出端对射频信号的隔离度，也可以通过减小输入波导的宽度来实现对TM11模式的抑制以减少反射的信号；另外，后端低通滤波器所处的屏蔽微带线腔也对射频信号有较高的抑制作用。这种高的抑制作用将会使得滤波器等结构对前端的波导匹配结构影响降到很小。
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公开(公告)号：CN106533645A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611102649.X
申请日：2016-12-05
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H04L5/00 , H04B7/0413 , H04B7/06
摘要： 本发明公开了一种基于微波电桥网络进行信道分离的方法及其微波电桥网络，该网络是将两个信号分别输入至发射天线，经过无线信道后，两接收天线同时接收功率相等的两信号，接收天线输出信号经过微波电桥后，到达一个功率合成器并输出；两个或更多个信号输入时，可依次类推；本发明利用成熟的微波电桥技术，在接收端避免了数字域的信号处理，在模数转换前进行信道分离。从而实现了2×2 THz-MIMO通信系统；本发明利用MIMO技术，可使得通信速率提高一倍；本发明在通信系统的接收端利用微波电桥搭建信道分离网络，使得MIMO技术在太赫兹通信中成为可能。
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公开(公告)号：CN106301226A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610681667.1
申请日：2016-08-18
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H03B19/14
CPC分类号： H03B19/14
摘要： 本发明公开了一种微带线与悬置微带线相结合的太赫兹倍频器，包括倍频器金属腔体、电路基片、二极管芯片，二极管芯片安装位置的正下方的电路基片为微带线形式，即这部分电路基片的下方紧贴倍频器金属腔体，有利于二极管工作时通过基片向腔体散热；直流偏置低通滤波器所在电路基片也为微带线形式，即这部分基片下方也紧贴金属腔体；电路基片上的其余部分电路均为悬置微带线的形式，这些部分对应的电路基片上下均为空气，有利于减小太赫兹信号的传输损耗，提高倍频效率；本发明中二极管的电路基片在金属腔体中的安放形式从单一的微带线或者悬置微带线变成微带线与悬置微带线相结合的方式，有较高的倍频效率，更加容易安装，且抗震动性能更好。
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公开(公告)号：CN116864949A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310871333.0
申请日：2023-07-17
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01P5/107
摘要： 本发明公开了一种新型的W波段波导密封结构，该结构采用三维堆叠式结构，该结构共分为四层，其中位于外侧两层为夹具，位于中间两层为密封模块；介质基片采用三层焊接结构焊接在密封模块中间的空腔内。本发明的新型的W波段波导密封结构无需其他转换、过渡结构即可直接用于实测或射频传输系统的连接；同时充分考虑工艺的可操作性，易于装配，装配误差小于5μm。采用本申请提供的新型的W波段波导密封结构，能够实现结构气密封装、宽带宽和低插损的性能。
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公开(公告)号：CN111384898B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202010265463.6
申请日：2020-04-07
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H03B19/16
摘要： 本发明公开了一种多模的肖特基倍频结构，包括输入波导匹配结构、两个肖特基二极管、T形悬置微带电路以及输出探针结构；波导匹配结构用于对电路输入阻抗进行匹配，所述两个肖特基二极管分别相对粘接至T型悬置微带电路分叉处的微带线上；悬置微带电路包含阻抗匹配电路和悬置微带T型结，通过悬置微带T型结将肖特基二极管的二次谐波和三次谐波分流，分成两路输出。本发明利用谐波抑制特性能够省略掉输出端繁琐的匹配滤波电路，进而降低消耗在匹配滤波电路中的功率；其次是电路的双频带输出的特性能够极大地简化链路复杂度和成本，为通信、成像应用领域提供同源的二次、三次谐波。
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公开(公告)号：CN110912515B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201911414093.1
申请日：2019-12-31
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H03B19/16
摘要： 本发明公开的一种多基片的宽带肖特基平衡式二倍频结构，包括双层对称的输入探针结构、两对相对称的肖特基二极管、双层对称的悬置微带电路以及双层对称的输出探针结构；具体是：两路输入探针经过两个传输线、两个低通滤波器、两个阻抗匹配通过两对肖特基二极管，再连接两个阻抗匹配、两个传输线，最后通过两路输出探针；其中输入探针结构为E面探针结构，双层的E面探针结构在波导同一侧实现传输线转换，实现两层基片端口上的信号相位差为0°。本发明能降低消耗在匹配滤波电路中的功率，通过电路的平衡性能极大提升倍频器的倍频效率，并能够获得接近相应波导全频段的工作带宽；最后，功率容量是现有倍频器的两倍，可输出功率范围也增加一倍。
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公开(公告)号：CN114398767B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111638307.0
申请日：2021-12-29
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明公开了一种半导体器件建模方法、系统及电子设备，该方法包括如下步骤：(1)生成半导体器件结构模型；(2)交流非稳态条件下计算半导体器件电学参数；(3)计算半导体器件量子散射参数；(4)获取蒙特卡洛仿真环境；(5)单粒子蒙特卡洛仿真；(6)基于仿真结果进行半导体器件建模得到半导体器件仿真模型。该系统包括：获取模块，用于生成半导体器件实物模型；计算及存储模块，用于计算半导体器件交流非稳态电学参数以及量子散射参数，并生成蒙特卡洛仿真环境；仿真模块，进行单粒子蒙特卡洛仿真；模型演化模块，基于仿真结果获得半导体器件仿真模型。本发明实现了对半导体器件在小尺寸、非稳定态偏置条件下器件输运特性的精确建模。
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公开(公告)号：CN111682023B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202010523802.6
申请日：2020-06-10
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本申请公开了一种太赫兹异构集成芯片，包括：第一锗化硅基片，T型功率合成电路，两个对称设置的待合成电路；待合成电路包括通过微带线依次连接的电容、电感、第一滤波器、倍频二极管，且电感嵌于第一锗化硅基片中，倍频二极管的一个焊盘通过微带线与T型功率合成电路的输入端相连，倍频二极管的另一个焊盘接地。本申请芯片中的基片为第一锗化硅基片，是一种半导体工艺基片，具有多层层叠的结构，电感嵌于第一锗化硅基片内部，从而有效减小第一锗化硅基片占用面积，缩小太赫兹异构集成芯片的体积；另外，由于第一锗化硅基片为半导体工艺基片，配合使用的微带线可低至几微米，同样可以降低占用面积，提高太赫兹异构集成芯片的集成度。
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公开(公告)号：CN110658563B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201911013108.3
申请日：2019-10-23
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： G01V3/12
摘要： 本发明公开了一种应用于毫米波人体安检系统的收发天线阵列，包括发射天线阵列和接收天线阵列；任一接收天线仅接收发射天线阵列中沿发射天线阵列延伸方向预设距离处发射天线所发出的毫米波信号，预设距离大于系统中心频率波长。由于预设距离大于系统中心频率波长，可以有效增加相互组合的收发天线间的距离，同时不改变现有收发天线阵列的体积；而且依据平行四边形性质平行四边形对角线互相平分，除去收发天线阵列的边界处，本发明中等效相位中心与现有技术的等效相位中心相互重合，从而不会对最终的检测结果造成影响。
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