公开(公告)号：CN101029916A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200610024311.7

申请日：2006-03-02

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  刘丕均 ,  何佳 ,  朱辉

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/00 ,  G06G7/62 ,  G01R31/319 ,  G06F11/26 ,  G06F9/455

Abstract: 本发明的仿真方法在仿真系统中添加补偿电阻网络，拟合仿真曲线与实测曲线。补偿电阻的值与实测系统中外部寄生电阻值相当，使得外部寄生电阻的分压作用被加入仿真模型中，仿真过程中施加在栅极上的电压更接近实测时施加在MOS晶体管栅极上的电压，因此得到的栅极电压－漏极电流仿真曲线更接近于实测曲线。

公开(公告)号：CN2938404Y

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200620040258.5

申请日：2006-03-16

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  钱蔚宏 ,  朱辉 ,  赵芳芳

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 本实用新型公开了一种测量PN结电流的测试装置，P+端与电压源相连，N+端与电流测试仪器相连。有益效果是，由于检测电流端由现有技术的连接到P+变为连接到N+，使得从N+端测得的电流才是客户需要的准确的PN结电流，即i1，实质上解决了现有技术中二极管结漏电流大的缺陷。

公开(公告)号：CN200962421Y

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200620046824.3

申请日：2006-10-13

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  柯天麒 ,  郑敏祺 ,  耿静

IPC: H01L23/544

Abstract: 一种金属－绝缘体－金属射频测试结构，包括底层金属层、绝缘体层和顶层金属层，在金属－绝缘体－金属射频测试结构的顶层金属上的第一区域内设置多个测试触点，所述测试触点尽可能多地分布在顶层金属上的第一区域内。本实用新型通过在金属－绝缘体－金属射频测试结构顶层金属上增设多个测试触点，使其在测试时形成电阻并联的形式，从而大大降低了金属－绝缘体－金属(MIM)电容的电阻值，并提高了品质因素值。