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公开(公告)号：CN112745517A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911051729.0
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本申请提供一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：将重均分子量为1.0×105至3.0×105的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜，其中，定义所述初始膜的熔融曲线的α晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度A1，定义所述熔融曲线的熔融峰终止点对应的温度为终止温度A2；及对所述初始膜进行退火处理，得到γ晶含量超过40％的聚偏氟乙烯薄膜；其中，所述退火处理的退火温度的范围为A1‑3℃至A2+8℃，或A1‑3℃至A2+5℃。还提供一种电容器的制备方法。
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公开(公告)号：CN111205496A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010129673.2
申请日：2020-02-28
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚偏氟乙烯γ型晶体的制备方法，包括如下步骤：将聚偏氟乙烯薄膜在180～260℃的剪切温度下用纤维进行剪切，得到剪切后的聚偏氟乙烯薄膜；然后将剪切后的聚偏氟乙烯薄膜在150～165℃的结晶温度下进行结晶，得到聚偏氟乙烯γ型晶体。本发明的方法可以得到聚偏氟乙烯γ型晶体。
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公开(公告)号：CN109320743B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811414141.2
申请日：2018-11-26
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括：(1)将聚偏氟乙烯PVDF分散于溶剂中，形成浓度为1～100mg/mL的PVDF溶液；PVDF的重均分子量为3.5×105～8×105；(2)将所述PVDF溶液施加于基底上、并在40～130℃干燥成型，得到初始膜；(3)将所述初始膜进一步干燥，形成预处理膜；(4)以1～20℃/min的升温速率将所述预处理膜升温至150～170℃，并持续退火1～60min，然后以1～20℃/min的降温速率降温至23±2℃，形成γ晶型聚偏氟乙烯薄膜。采用本发明的方法可以获得γ晶型含量很高的聚偏氟乙烯薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109853025B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910014168.0
申请日：2019-01-08
Applicant: 北京化工大学
IPC: C25D15/00
Abstract: 本发明公开了一种复合薄膜及其制备方法和用途。采用熔融拉伸法制备取向的聚合物薄膜，然后采用该聚合物薄膜修饰电化学聚合的工作电极以形成修饰电极；将含碳纳米管与导电聚合物单体的电荷转移复合物在所述修饰电极上进行电化学聚合，采用循环伏安法形成含碳纳米管和导电聚合物的各向异性的复合薄膜；在所述电荷转移复合物中，以克计的碳纳米管的质量与以摩尔计的导电聚合物单体的摩尔量之比为2～8g:0.01～0.5mol。本发明可以获得各向异性的复合薄膜。
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公开(公告)号：CN110092934A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910489516.X
申请日：2019-06-06
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种促进聚偏氟乙烯晶型转变的方法，包括如下步骤：将聚偏氟乙烯PVDF和其他聚合物溶于溶剂中形成共混物溶液，其中，所述聚偏氟乙烯的平均分子量为2×104～8×105，所述其他聚合物为熔点低于150℃的极性聚合物；将所述共混物溶液施加于基底上，并在50～100℃干燥获得PVDF共混物薄膜；将PVDF共混物薄膜升温至150～170℃的结晶温度，并在上述结晶温度下结晶60～960min，然后降温至室温以形成γ晶型。本发明的方法可以大幅提高聚偏氟乙烯薄膜中的γ晶型含量。
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公开(公告)号：CN108864416B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201810621473.1
申请日：2018-06-15
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物发光材料及其制备方法和用途。本发明将合适的热激发延迟荧光单元烷基取代的吩噻嗪‑二苯并噻吩砜与主体单元共聚，从而合成光物理性质可调控的聚合物发光材料。该材料可以获得高的荧光量子效率及器件效率，适合作为溶液加工型有机电致发光器件中的发光层材料。
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公开(公告)号：CN108864416A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810621473.1
申请日：2018-06-15
Applicant: 北京化工大学
CPC classification number: C08G61/126 , C08G61/122 , C08G2261/122 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/145 , C08G2261/18 , C08G2261/3241 , C08G2261/3246 , C08G2261/411 , C08G2261/5222 , C08G2261/95 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1458 , C09K2211/1466 , C09K2211/1483
Abstract: 本发明公开了一种聚合物发光材料及其制备方法和用途。本发明将合适的热激发延迟荧光单元烷基取代的吩噻嗪‑二苯并噻吩砜与主体单元共聚，从而合成光物理性质可调控的聚合物发光材料。该材料可以获得高的荧光量子效率及器件效率，适合作为溶液加工型有机电致发光器件中的发光层材料。
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公开(公告)号：CN103451698A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310395460.4
申请日：2013-09-03
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明涉及一种高取向的导电高分子薄膜的制备方法。该方法是用熔融拉伸法制备高取向的聚合物薄膜，然后用该聚合物薄膜修饰电化学聚合用的电极，然后将导电聚合物单体在该修饰的电极上进行电化学聚合形成所述的高取向的导电高分子薄膜。该导电高分子薄膜的电导率具有各向异性，即在垂直和平行修饰电极的聚合物取向薄膜方向展示出明显差异的电导率。该导电高分子薄膜可以应用于发光二极管，太阳能电池和场效应晶体管等领域。
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