公开(公告)号：CN110204341B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201910458660.7

申请日：2019-05-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 褚衍辉 ,  刘达 ,  叶贝琳

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种(Hf,Ta,Nb,Ti)B2高熵陶瓷粉体及其制备方法，该制备方法包括：（1）称取HfO2粉、TiO2粉、Nb2O5粉、Ta2O5粉、B4C粉以及C粉混合作为原料，通过研磨得到混合粉末；（2）将步骤（1）得到的混合粉末进行烧结，烧结过程中通惰性气体，烧结完成后进行冷却，最终得到所述(Hf,Ta,Nb,Ti)B2高熵陶瓷粉体。本发明所述方法不仅工艺简单、生产成本低，而且合成的粉体晶粒细小、分布均匀、纯度高，且氧含量低于0.53wt%。这些优点使得该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。

公开(公告)号：CN111423236B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202010204943.1

申请日：2020-03-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杜斌 ,  褚衍辉 ,  刘红华

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种（Hf0.25Ti0.25Zr0.25W0.25）N高熵陶瓷粉体及其制备方法。本发明的目的是为解决现有制备高熵陶瓷设备要求高、产率低的难题。该方法包括：取KCl或NaCl一种或两种混合粉体；将ZrO2、TiO2、HfO2及WO3的粉体与KCl或NaCl粉体球磨，获得混合粉体；将混合粉体在在保护气氛下热处理；将所得的粉体用HCl溶液洗涤，烘干，得到高纯（Hf0.25Ti0.25Zr0.25W0.25）N高熵陶瓷粉体。本发明提供的（Hf0.25Ti0.25Zr0.25W0.25）N高熵陶瓷粉体的制备具有制备温度低、设备要求低及产率高等优点，在能源、航空及航天领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN109851367A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910180656.9

申请日：2019-03-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 褚衍辉 ,  刘达 ,  叶贝琳 ,  周曦亚

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种棒状(Hf,Zr,Nb,Ta)B2高熵纳米粉体及其制备方法，该制备方法是以HfO2粉体、ZrO2粉体、Ta2O5粉体、Nb2O5粉体和B粉作为原料，以NaCl和KCl作为熔盐，将它们混合后烧结，通过原料在熔盐中发生硼热还原反应，然后洗涤去除NaCl和KCl盐以及B2O3，最终得到高纯棒状(Hf,Zr,Nb,Ta)B2高熵纳米粉体。该方法不仅原料价格低廉、合成温度低、设备要求低，而且合成的棒状(Hf,Zr,Nb,Ta)B2高熵纳米粉体晶粒尺寸小、成分均匀。此外，通过调整合成温度以及熔盐的量可以有效控制合成(Hf,Zr,Nb,Ta)B2高熵纳米棒的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN108584972A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810362395.8

申请日：2018-04-20

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 褚衍辉 ,  刘达 ,  周曦亚 ,  敬思仪 ,  叶贝琳

IPC: C01B35/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B35/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明公开了一种TiB2粉体的制备方法，属于超高温陶瓷粉体制备技术领域。该方法是将TiO2粉体和硼粉与一定量的熔盐混合均匀后，在900~1100℃的条件下反应生成TiB2粉体，且反应副产物B2O3（氧化硼）以及熔盐通过热水和无水乙醇溶解并过滤去除。本发明方法合成温度低（900~1100℃）、工艺简单、制备周期短，合成的TiB2粉体粒径小（平均粒径为50~150 nm）、纯度高，此外，通过调整合成温度以及熔盐的量可以有效控制合成TiB2粉体的尺寸，这些优点使该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。

公开(公告)号：CN107602154A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710671398.5

申请日：2017-08-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 褚衍辉 ,  陈鹏程 ,  敬思仪 ,  饶平根

IPC: C04B41/87 ,  C04B35/573

Abstract: 本发明公开了一种珠串状SiC/SiO2异质结构及其合成方法。本发明珠串状SiC/SiO2异质结构由包括SiC纳米线内芯、包裹在SiC纳米线内芯上的SiO2包覆层，以及排列分布的、与SiO2包覆层及SiC纳米线内芯同轴心的SiO2球组成。本发明合成方法通过球磨、烧结得到SiC-Si陶瓷复合粉体，再通过进一步烧结，在SiC-Si陶瓷复合粉体表面原位合成得到所述珠串状SiC/SiO2异质结构。本发明的合成方法工艺简单、稳定，成本低，高效，可实现大规模工业化生产，而且可通过调整制备工艺对珠串状SiC/SiO2异质结构的形貌和尺寸进行控制。

公开(公告)号：CN117164361B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202311002492.3

申请日：2023-08-09

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 褚衍辉 ,  朱子杰 ,  覃业霞 ,  唐忠宇 ,  谢平波

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  F41H1/02 ,  F41H7/04

Abstract: 本发明公开了一种高熵碳化物陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的高熵碳化物陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和碳粉制成混合粉体；2)将混合粉体压制成生坯后进行碳热还原反应，再将得到的熟料取出进行研磨和过筛，得到熟料粉体；3)将熟料粉体压制成熟料坯体后进行电场烧结，即得高熵碳化物陶瓷材料。本发明的高熵碳化物陶瓷材料具有组分空间大、致密度高、无氧化物杂质相、力学性能优良等优点，且其制备方法具有操作简单、反应时间极短、设备要求低、工艺流程简单、合成成本低、能耗低等优点，适合进行组分筛选和大规模工业生产，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN116444276B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202310289615.X

申请日：2023-03-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 褚衍辉 ,  余仁旺 ,  朱子杰

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  B82Y40/00 ,  B01J23/10 ,  B01J23/26 ,  B01J37/08 ,  C02F1/72 ,  C02F101/34 ,  C02F101/38

Abstract: 本发明公开了一种高熵硼化物陶瓷纳米粉体及其制备方法和应用。本发明的高熵硼化物陶瓷纳米粉体的制备方法包括以下步骤：将金属氧化物粉体、氧化硼粉体、镁粉和NaF预压制成混合粉体压片，再利用引燃剂点燃混合粉体压片进行燃烧合成反应，再进行破碎、研磨、水洗和酸洗，即得高熵硼化物陶瓷纳米粉体。本发明的高熵硼化物陶瓷纳米粉体的粒径小、元素分布均匀、氧杂质含量低，且其制备方法具有操作简单、操作温度低、反应时间短、设备要求低等优点，适合进行大规模工业生产，将其作为催化剂活化PS降解四环素具有降解效率高、对水体污染小、可循环使用等优点。

公开(公告)号：CN117142854A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311061160.2

申请日：2023-08-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 褚衍辉 ,  魏鹏 ,  覃业霞 ,  刘洋 ,  谢平波

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C23C4/04

Abstract: 本发明公开了一种高熵稀土硅酸盐陶瓷粉体及其制备方法和应用。本发明的高熵稀土硅酸盐陶瓷粉体的制备方法包括以下步骤：1)将稀土氧化物粉体、SiO2粉体、LiCl和KCl混合进行研磨，得到混合粉体；2)将混合粉体置于温度为700℃～900℃的条件下进行煅烧，再进行水洗和干燥，即得高熵稀土硅酸盐陶瓷粉体。本发明的高熵稀土硅酸盐陶瓷粉体具有高纯、粒径细小、元素分布均匀、组分空间大等优异特性，且其制备方法具有制备周期短、合成温度低、能耗小、效率高等优点，适合用在航空航天发动机热端部件上，具有十分广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN117105687A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310953557.6

申请日：2023-07-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 褚衍辉 ,  唐忠宇 ,  唐海峰 ,  文子豪

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/653

Abstract: 本发明公开了一种多孔高熵硼化物陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的多孔高熵硼化物陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和硼粉制成混合粉体；2)将混合粉体压制成生坯后进行硼热还原反应，再将得到的熟料取出进行研磨和过筛，得到含多种硼化物固溶体的熟料粉体；3)将熟料粉体压制成熟料坯体后进行电场烧结，即得多孔高熵硼化物陶瓷材料。本发明的多孔高熵硼化物陶瓷材料具有组分空间大、压缩强度高、热导率低等优点，且其制备方法具有操作简单、反应时间极短、设备要求低、工艺流程简单、合成成本低等优点，适合进行大规模工业生产。

公开(公告)号：CN117105671A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310953560.8

申请日：2023-07-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 褚衍辉 ,  唐海峰 ,  唐忠宇 ,  覃业霞

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/66

Abstract: 本发明公开了一种高熵硼化物陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的高熵硼化物陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)将至少四种金属二硼化物粉体置于保护气氛中进行研磨，得到混合粉体；2)将混合粉体压制成生坯，再将生坯装入由表面涂覆六方氮化硼的石墨纸制成的盒子，再嵌入石墨毡，再置于保护气氛中将石墨毡通电对生坯进行电场烧结，即得高熵硼化物陶瓷材料。本发明的高熵硼化物陶瓷材料具有组分空间巨大、金属元素分布均匀、性能可调控等优点，且其合成工艺简单、反应时间极短、设备要求低、合成成本低，有利于进行大规模工业生产。