辐射成像系统和方法
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113281357A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110781545.0

    申请日:2021-07-12

    Abstract: 本公开提出一种辐射成像系统和方法,涉及辐射探测技术领域。本公开的一种辐射成像系统包括:光电二极管探测器,被配置为接收来自射线源的射线,并生成第一探测信号;第一成像设备,与光电二极管探测器连接,被配置为根据第一探测信号生成第一成像数据;计数探测器,位于光电二极管探测器的远离射线接收面的一侧,被配置为接收穿过光电二极管探测器的射线,生成第二探测信号;计数成像设备,与计数探测器连接,被配置为根据第二探测信号生成计数成像数据;和图像融合装置,被配置为根据第一成像数据和计数成像数据,获取第一融合图像,提高辐射探测质量。

    用于辐射检查的探测器及探测装置

    公开(公告)号:CN113031044A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201911363127.9

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本申请提供了一种用于辐射检查的探测器,包括:灵敏介质,被配置为与入射到探测器的入射光进行反应,从而产生高能辐射光和低能辐射光;高能光电转换器件,可以被配置为设置在所述灵敏介质的远离所述入射光的一端处,用于探测所述高能辐射光;以及,低能光电转换器件,可以被配置为设置在所述灵敏介质的靠近所述入射光的一端处,用于探测所述低能辐射光。

    一种背照式光电器件的背面处理工艺

    公开(公告)号:CN111384204A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201811631961.7

    申请日:2018-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种背照式光电器件的背面处理工艺,包括以下步骤:对背照式光电器件进行机械减薄,以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度;采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光,以使所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且使所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度;该工艺采用机械减薄以及化学减薄和化学抛光处理背照式光电器件的背面,可以减少背照式光电器件的背面加工对CMP设备的需求,降低光电器件背面处理的成本,提高光电器件的制造效率,因此较为适用于背照式光电器件的研发和小批量生产。

    暗室式安检设备以及方法
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105277577B

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201510796132.4

    申请日:2015-11-18

    Abstract: 本发明提供一种暗室式安检设备和使用该安检设备进行检查的方法。暗室式安检设备包括构成密闭的暗室的壳体和壳体内部的部件,壳体内部的部件包括:采样系统,采样系统包括传送装置、检测被检物体的位置的X射线检测装置以及用于采集样品的样品采集装置,其中X射线检测装置用于确定被检物体在到达采样系统内的相应位置,以便与传送装置一起将被检物体传送至期望的位置;样品处理系统;其中,采样系统、样品处理系统以及样品检测系统通过连接件连通。本发明的安检设备能够方便、快速、有效地取样和检测,不拆包,不破坏待检物品,适合于机场、海关等对违禁物品的快速筛查检测。

    离子迁移谱仪
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106783504A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611220290.6

    申请日:2016-12-26

    Abstract: 本公开提供了一种离子迁移谱仪。该离子迁移谱仪包括:电源电路,用于提供电源电压;电晕放电结构,其输入端连接到所述电源电路,用于通过电晕放电产生待测离子;离子迁移电路,连接到所述电源电路,用于控制离子迁移;迁移区结构,连接到所述离子迁移电路,用于在所述离子迁移电路的控制下实现对从所述迁移区结构中经过的待测离子的迁移谱的测量;多余电荷引出电极,布置在所述电晕放电结构与所述迁移区结构之间,使得所述电晕放电结构产生的待测离子能够从其中经过,从而到达所述迁移区结构;多余电荷引出电路,连接到所述电源电路、所述电晕放电结构的输入端、所述迁移区结构和所述多余电荷引出电极,其中,所述多余电荷引出电极通过所述多余电荷引出电路接地。

    双能探测器及辐射检查系统
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106483153A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201611205087.1

    申请日:2016-12-23

    CPC classification number: G01T1/2018 G01V5/0016 G01N23/06 G01V5/00

    Abstract: 本发明涉及一种双能探测器及辐射检查系统,双能探测器包括:探测器模块安装架(3)和多个探测器模块(4),所述探测器模块(4)包括高能探测器阵列(43)和低能探测器阵列(41),所述高能探测器阵列(43)与所述低能探测器阵列(41)相对于所述探测器模块安装架(3)上的同一安装平面并列设置。本发明可以简化高、低能探测器阵列所连接的光电二极管和印制电路板的布置,使得探测器模块安装架的必要厚度尺寸降低,从而使本发明双能探测器的安装和使用更加便利。另一方面,本发明中射线束可以独立地照射到互相并列的高、低能探测器阵列,这就一定程度上降低了高、低能探测器阵列在选型时的相互制约。

    离子迁移管信号提取电路、方法以及离子迁移探测器

    公开(公告)号:CN102592938B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201210003936.0

    申请日:2012-01-06

    CPC classification number: G01N27/622

    Abstract: 本发明实施例涉及一种离子迁移管信号提取电路、方法以及离子迁移探测器,涉及物质检测技术领域,解决了现有技术存在法拉第盘上脉动电压的引出电路的设计以及制造难度比较大的技术问题。该离子迁移管信号提取电路,包括隔直通交模块,隔直通交模块用于去除由信号引入端从法拉第盘上引出的电压中的直流电压,并将由信号引入端从法拉第盘上引出的电压中的脉动电压从信号引出端输出。该离子迁移探测器,包括本发明提供的离子迁移管信号提取电路。该离子迁移管信号提取方法,包括:引出离子迁移管内的法拉第盘上的电压;去除由从法拉第盘上引出的电压中的直流电压,将从法拉第盘上引出的电压中的脉动电压输出。本发明用于引出法拉第盘上的脉动电压。

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