-
公开(公告)号:CN1307757C
公开(公告)日:2007-03-28
申请号:CN200310104682.2
申请日:2003-10-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173
Abstract: 一种半导体激光器件具有至少一层第一导电型下覆盖层,一层量子势阱活性层和一层第二导电型上覆盖层,它们是堆积在第一导电型GaAs基底上的。该量子势阱活性层是由交替堆积的、由以InGaAs为基的材料制成的阻挡层和势阱层组成的。该量子势阱活性层是在用第二导电型杂质掺杂中生长的,为的是让该半导体激光器件除具有长的寿命之外,即使在大功率的驱动这时也能显示出高可靠性。
-
公开(公告)号:CN1290239C
公开(公告)日:2006-12-13
申请号:CN200410031581.1
申请日:2004-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2223 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373
Abstract: 本发明公开一种半导体激光装置和光盘装置,该激光装置具有大于760nm且小于800nm的振荡波长,在n型GaAs基板(101)上,顺次叠置n型第一和第二下包层(103,104)、下引导层(106)、应变InGaAsP多量子阱有源层(107)、上引导层(109)和p型上包层(110)。因为下引导层(106)由InGaP形成,所以减少了载流子从有源层中的泄漏。另外,因为上引导层(109)由AlGaAs形成,所以抑制了载流子(尤其是电子)的溢出。
-
-
-
-
-
-
公开(公告)号:CN104075217B
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201410314747.4
申请日:2010-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/10 , F21V17/00 , F21W101/02 , F21W101/10
CPC classification number: F21S41/00 , F21S41/14 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S41/322 , F21W2107/10 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明提供一种车辆用前照灯及照明装置。前照灯(1)具有:出射激光的半导体激光器(3)、接收从半导体激光器(3)出射的激光而发光的发光部(7)、反射由发光部(7)出射的光的反射镜(8)。在前照灯(1)中,发光部(7)的亮度比25cd/mm2大,反射镜(8)的在与出射到前照灯(1)的外部的非相干光的行进方向相垂直的开口面(8a)的面积比2000mm2小。
-
公开(公告)号:CN102466188A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201110320588.5
申请日:2011-10-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/12 , F21V9/10 , F21V13/00 , F21W101/10 , F21Y101/02
CPC classification number: F21S41/16 , F21S41/14 , F21V9/30 , F21Y2101/00 , F21Y2115/30
Abstract: 本发明的前灯(1)具备了射出具有相干性的激光的半导体激光元件(3)、以及接受从半导体激光元件(3)射出的激光的照射而发光的发光部(7),并且输出发光部(7)发出的光。前灯(1)还具备了防止自半导体激光元件(3)射出的激光以维持有相干性的状态从前灯(1)输出的激励光输出防止膜(12)。
-
公开(公告)号:CN102401280A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN201110260397.4
申请日:2011-09-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/00 , F21S8/10 , F21V19/00 , F21V8/00 , F21V29/00 , F21V17/00 , F21V9/10 , F21Y101/02 , F21W101/10 , F21W101/02
CPC classification number: F21V29/70 , F21K9/64 , F21K9/90 , F21S8/04 , F21S41/141 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S45/10 , F21S45/43 , F21S45/46 , F21S45/47 , F21S45/48 , F21S45/49 , F21S45/60 , F21V9/30 , F21V29/004 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , Y10T29/49002 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明提供发光装置、照明装置和车辆用前照灯以及发光装置的制造方法。其中,该前照灯具有:出射激光的半导体激光器;发光部,其含有经由从半导体激光器出射的激发光而发光的荧光体;透光性的热传导构件,其配置在发光部中的激光照射面一侧,接收发光部的热;粘接层,其将热传导构件和激光照射面之间的间隙填充。因此,能够提高对发光部的热进行吸收的热传导构件的热吸效率,且高效率地冷却发光部。
-
-
-
-
-
-
-
-
-