公开(公告)号：CN1497705A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03159896.X

申请日：2003-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜藤 ,  潘威 ,  庄维佛

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L27/24 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101

Abstract: 一种制造自对准交叉点存储阵列的方法包括：制备一衬底，包括形成任何支撑电极结构；在衬底上形成一p型阱区域；注入离子形成一深N+型区域；注入离子在N+型区域上形成一浅P+型区域从而形成P+/N结；在P+型区域沉积一阻挡金属层；在阻挡金属层沉积一底部电极层；在底部电极层沉积一牺牲层或氮化硅层；形成图形并对此结构进行刻蚀，从而移走牺牲层、底部电极层、阻挡金属层、P+型区域和N+型区域部分，形成一个沟槽；沉积氧化物填充沟槽；沉积一与剩余底部电极层自对准的PCMO层；沉积一顶部电极层；形成图形并对顶部电极层进行刻蚀；以及，完成存储阵列结构。