公开(公告)号：CN113903868B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202110674036.8

申请日：2021-06-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大卫·詹姆斯·蒙哥马利 ,  蒂姆·米迦勒·斯米顿

IPC: H10K50/856 ,  H10K50/11 ,  H10K59/122 ,  H10K59/35

Abstract: 一种发光结构，包括围绕基板上的子像素堆叠的堤部、子像素堆叠上方的内部空间中的第一填充材料以及第一填充材料上方的第二填充材料。子像素堆叠沿着基本上垂直于子像素堆叠的顶表面的轴上方向透过第一和第二填充材料之间的界面发射第一发射峰。子像素堆叠沿离轴方向发射第二发射峰，该第二发射峰在到达斜坡的倾斜侧壁之前被界面全内反射，然后沿离轴方向发射。子像素堆叠的发光区域被配置成使得第二发射峰在到达倾斜侧壁之前被界面反射不多于一次。

公开(公告)号：CN115458694A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210580973.1

申请日：2022-05-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 爱德华·安德鲁·伯尔德曼 ,  恩里科·安焦尼 ,  蒂姆·米迦勒·斯米顿

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/32

Abstract: 量子点LED显示设备包括基板，其上设置有多个堤。多个红色发光LED子像素、绿色发光LED子像素及蓝色发光LED子像素被单独地设置在所述堤之间。所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素及所述蓝色发光LED子像素的每一个均具有发光层，其中，所述发光层的每一个包括量子点、有机基质和光引发剂。蓝色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第一浓度低于红色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第二浓度，并低于绿色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第三浓度。

公开(公告)号：CN113497204A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110272512.3

申请日：2021-03-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大卫·詹姆斯·蒙哥马利 ,  蒂姆·米迦勒·斯米顿

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 一种光发射结构包括：基板、所述基板的表面上方的子像素堆栈以及所述基板上包围所述子像素堆栈的堤。所述光发射结构还包括：内部空间中的第一填充材料，和所述第一填充材料上方的第二填充材料。所述子像素堆栈沿着基本垂直于所述堆栈的顶面的在轴方向发射第一发射峰，并且沿着与所述在轴方向成一角度的离轴方向发射第二发射峰。所述第一发射峰是在基本上没有全内反射的情况下经过所述第一填充材料和所述第二填充材料之间的界面发射的。所述第二个发射峰被所述界面完全内部反射之后到达所述堤的倾斜侧壁，并且沿着所述在轴方向发射。

公开(公告)号：CN112289940A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010692210.7

申请日：2020-07-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大卫·詹姆斯·蒙哥马利 ,  爱德华·安德鲁·伯尔德曼 ,  蒂姆·米迦勒·斯米顿

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 一种发光层结构，通过改变由反射电极引入的相位偏移，最大限度地增加对光发射的相长干涉。发光层结构包括第一和第二光腔，所述第一和第二光腔包括第一和第二反射电极；第一和第二部分透明电极；以及设置在第一和第二反射电极与第一和第二部分透明电极之间的第一和第二发射层(EML)，其中，第一EML发射具有第一波长的光；其中，第一反射电极根据第一波长在第一EML发射的光的反射上引入第一相位偏移；其中，第二EML发射具有第二波长的光，并且第二反射电极根据第二波长在第二EML发射的光的反射上引入第二相位偏移，并且第一相位偏移与第二相位偏移不同。