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公开(公告)号:CN118984618A
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN202411035243.9
申请日:2024-07-30
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 云南创视界光电科技有限公司
IPC分类号: H10K59/122 , H10K59/12 , H10K71/16
摘要: 本申请提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,所述显示面板包括衬底基板,所述衬底基板的一侧间隔设有多个第一电极,所述第一电极远离所述衬底基板的一侧设有像素界定层,所述像素界定层内设有与所述第一电极对应的开口;所述开口的侧壁设有台阶结构和/或所述开口的侧壁向远离所述开口的中心方向倾斜,所述像素界定层远离所述衬底基板的一侧设有发光结构层,所述发光结构层覆盖所述第一电极。本申请提供的显示面板及其制作方法、显示装置,结构简单,制作方便,可以有效降低像素开口处材料畸变,提高显示效果。
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公开(公告)号:CN118984617A
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN202411045903.1
申请日:2024-07-31
申请人: 惠科股份有限公司
IPC分类号: H10K59/121 , H10K59/122 , H10K59/123 , H10K59/80
摘要: 本申请公开了一种显示面板、显示面板的制备方法以及显示装置,涉及显示技术领域,显示面板包括衬底、多个悬垂结构、多个发光单元和第一无机封装层,多个悬垂结构间隔设置在衬底上,相邻的悬垂结构环绕设置以形成像素开口,多个发光单元一一对应设置在像素开口内,第一无机封装层设置在悬垂结构远离衬底的一侧;有机封装层设置在第一无机封装层远离悬垂结构的一侧;悬垂结构包括依次堆叠的像素定义层、导电层和屋檐遮挡层,屋檐遮挡层远离导电层的一侧设置有至少一个凹槽结构,凹槽结构内依次填充有发光材料和第一无机封装材料;本申请通过以上设计,提高封装膜层之间附着力,保证封装效果。
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公开(公告)号:CN118973320A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202310546867.6
申请日:2023-05-14
申请人: 合肥维信诺科技有限公司 , 昆山国显光电有限公司
IPC分类号: H10K59/123 , H10K59/121 , H10K59/122 , H10K59/131 , H10K59/126
摘要: 本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,显示面板包括基板、发光层和隔离结构,发光层包括多个发光单元,所述发光单元设置于所述基板上,所述发光单元包括沿远离所述基板方向层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极;隔离结构设置于所述基板一侧且位于相邻所述发光单元之间,包括隔断功能层,所述隔断功能层包括沿远离所述基板方向层叠设置的第一层和第二层,所述第二层在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影错开。本申请提供的显示面板可降低封装失效的概率,从而提升显示面板的性能。
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公开(公告)号:CN118973316A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411017152.2
申请日:2024-07-26
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: H10K59/122 , H10K59/123 , H10K59/121 , H10K59/12 , H10K59/35
摘要: 一种显示基板及其制备方法、显示装置,该显示基板包括包括至少一个子像素(20),所述至少一个子像素(20)包括沿着远离基底(101)方向依次层叠设置的第一电极(11)、发光功能层(12)以及第二电极(13);所述发光功能层(12)包括至少一个发光单元,所述至少一个发光单元包括发光层,空穴传输层和电子传输层,所述空穴传输层位于所述发光层与所述第一电极(11)之间,所述空穴传输层的空穴迁移率大于或等于7*10‑6cm2/Vs小于或等于5*10‑4cm2/Vs,所述电子传输层位于所述发光层与所述第二电极(13)之间,所述电子传输层的电子迁移率大于或等于1*10‑6cm2/Vs小于或等于1*10‑4cm2/Vs。
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公开(公告)号:CN118946184A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202310539609.5
申请日:2023-05-11
申请人: 合肥维信诺科技有限公司 , 昆山国显光电有限公司
IPC分类号: H10K59/12 , H10K59/123 , H10K59/122 , H10K59/121 , H10K71/00
摘要: 本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,显示面板包括基板、发光功能层和隔离结构;隔离结构位于基板一侧,所述隔离结构围合形成开口结构,隔离结构包括沿远离基板方向排列的第一隔离部和第二隔离部,第二隔离部在基板上的正投影覆盖第一隔离部在基板上的正投影,第二隔离部包括第一分部和透光分部,第一分部位于第一隔离部背离基板一侧,透光分部从第一分部向第一隔离部的一侧伸出;发光功能层包括多个发光功能单元,发光功能单元设置于基板上并对应所述开口结构设置,发光功能单元包括沿远离基板方向层叠设置的第一电极、发光单元和第二电极;其中,第一隔离部包括电连接层,第二电极与电连接层搭接。本申请提供的显示面板的良率较佳,显示质量得到显著提升。
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公开(公告)号:CN118613091B
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202411087683.9
申请日:2024-08-09
申请人: TCL华星光电技术有限公司
发明人: 殷志远
IPC分类号: H10K59/121 , H10K59/122 , H10K59/38 , H10K59/80
摘要: 本申请实施例公开了一种显示面板,其包括垫高体,垫高体设置于彩色滤光层靠近衬底的一侧;在显示面板的平面视图中,黑矩矩阵层的第一开口的图案具有一中心点,第一开口的轮廓边到中心点具有不同长度的距离,轮廓边具有第一点,第一点到中心点的距离为最长距离,垫高体位于轮廓边的第一点之外的区域,垫高体与轮廓边的局部重叠,垫高体被配置为垫高黑色矩阵层的局部。本申请实施例的显示面板采用垫高体垫高第一开口的图案的第一点之外的区域,使得在厚度方向的视图中,子发光层的发光中心到第一点之外的区域的距离趋近于或等于子发光层的发光中心到第一点的距离,从而达到改善光线射出第一开口的衍射效应。
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公开(公告)号:CN113437131B
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202110859804.7
申请日:2017-02-17
申请人: 索尼公司
发明人: 铃木真树
IPC分类号: H10K59/122 , H10K59/38 , H10K59/80 , H10K50/856 , G09F9/33
摘要: 本申请提供了一种显示装置,以使能够在逐个像素的基础上在实现期望的视角特性的同时提高光提取效率。该显示装置设置有:多个发光元件,形成在基板上;反射器,设置在发光元件的光提取侧上;多个滤色器,设置在发光元件的光提取侧上;以及像素限定膜,具有布置在两个发光元件之间的侧壁,其中,沿着像素限定膜的侧壁形成光反射面,并且从两个发光元件中的一个发射的光通过光反射面朝向反射器反射。
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公开(公告)号:CN109904190B
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN201811486572.X
申请日:2018-12-06
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: H10K59/38 , H10K59/122 , H10K59/35
摘要: 本申请涉及一种显示装置,该显示装置包括显示面板和与显示面板重叠的颜色转换面板,其中,颜色转换面板包括红色转换层、绿色转换层、透射层、红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器和光阻挡构件,其中,红色转换层和绿色转换层包括半导体纳米晶,红色滤色器与红色转换层重叠,绿色滤色器与绿色转换层重叠,蓝色滤色器与透射层重叠,并且光阻挡构件包括蓝色染料和蓝色颜料中的至少一种。
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公开(公告)号:CN118923229A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202380027519.6
申请日:2023-12-21
申请人: 雅世电子科技有限公司 , 安炳喆
发明人: 安炳喆
IPC分类号: H10K59/123 , H10K59/35 , H10K59/80 , H10K59/124 , H10K59/38 , H10K59/122 , H10K50/17
摘要: 在一个实施例中,子像素可包含辅助电极、位于辅助电极上的具有三维结构的导光体、以及位于导光体上的有机发光元件。有机发光元件设置在导光体的表面上,使得有机发光元件的发光区域可被扩大。由于辅助电极以及有机发光元件各具有反射功能,从有机发光元件出射的光可被辅助电极和有机发光元件反射,并被导光体重复反射。因此,可大幅度地提升光提取效率并提高亮度。
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公开(公告)号:CN118923228A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202380029273.6
申请日:2023-03-24
申请人: 东丽株式会社
IPC分类号: H10K59/122 , G02B5/20 , G03F7/004 , G09F9/30 , H10K50/816 , H10K50/818 , H10K50/842 , H10K59/173 , H10K59/38 , H10K71/60 , H10K85/10 , H10K102/10
摘要: 本发明的课题在于提供一种有机EL显示器,在获得所期望的电流密度时,具有能够进行低电压驱动的优异的发光特性,并且兼具发光元件的高可靠性。一种显示装置,具有基板、第一电极、第二电极、像素分割层、包含发光层的有机层,所述显示装置中,像素分割层包含(D‑DL)着色剂,像素分割层的每1μm膜厚的可见光线的波长下的光学浓度为0.5~3.0,在俯视下具有多个像素部,在所述像素部中与所述包含发光层的有机层相接的一侧的所述第一电极的距表面而言深度3nm的位置处,通过飞行时间二次离子质谱法所测定的硫离子(S‑)的检测强度、氯离子(Cl‑)的检测强度、溴离子(Br‑)的检测强度、及氯离子(Cl‑)的检测强度与溴离子(Br‑)的检测强度的总和满足特定的通式所表示的关系。
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