一种基于光学检测的微流控芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN104251910A

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201410298743.1

    申请日:2014-06-26

    申请人: 黄辉 渠波 刘蓬勃

    发明人: 黄辉 渠波 刘蓬勃

    IPC分类号: G01N35/00 G01N21/01

    摘要: 本发明涉及一种基于光学检测的微流控芯片及其制备方法。一种基于光学检测的微流控芯片,包括上衬底层、下衬底层、夹层,所述夹层位于两个衬底层的中间,所述夹层设置有样品通道和进样孔,所述样品通道由夹层中穿透的凹槽结构和衬底表面构成;制备方法包括以下步骤:第一步:在夹层上制备凹槽结构和进样孔,所述凹槽结构穿透夹层;第二步:将具有凹槽结构的夹层与上下两个衬底键合在一起,凹槽侧壁和衬底表面构成了样品通道。其有益效果是,所述微流控芯片样品通道的表面平坦光滑,不存在热失配问题;进样孔的设置导致样品通道内产生紊流,提高了检测精度;因此,本发明具有制备工艺简单、高稳定性和高灵敏度检测的特点。

    高频高灵敏度的光纤声波传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118111548A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202310397010.2

    申请日:2023-04-14

    申请人: 黄辉 渠波

    IPC分类号: G01H9/00

    摘要: 本公开提供的高频高灵敏度的光纤声波传感器及其制备方法,涉及光纤传感器技术领域。该高频高灵敏度的光纤声波传感器包括第一光纤器件、第二光纤器件、弹性悬膜、反射板和套筒;弹性悬膜设置于套筒的端面,第一光纤器件和第二光纤器件均设置于套筒内,反射板设置于弹性悬膜下方并固定于套筒上;外界压强使弹性悬膜产生弯曲形变时,第一光纤器件发射的出射光束入射至发生弯曲形变的弹性悬膜的表面,并在弹性悬膜与反射板之间来回多次反射,最终被第二光纤器件接收。本公开实施例提供的光纤声波传感器,能够在不牺牲弹性悬膜的响应频率的前提下提高声波传感器的检测灵敏度,因此本公开中的声波传感器可同时获得高频和高灵敏的特性。

    一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111624236B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202010485681.0

    申请日:2020-06-01

    申请人: 黄辉 渠波 尚瑞晨

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明涉及一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法。该半导体薄膜气体传感器包括衬底、以及设置于所述衬底第一表面的半导体薄膜;所述半导体薄膜表面设置有电极;所述半导体薄膜的上方设置有用于照射所述半导体薄膜的光源;或,所述半导体薄膜底部设置有用于照射所述半导体薄膜的光源;或,所述衬底的第二表面设置有用于照射所述半导体薄膜的光源,所述衬底第一表面和所述衬底第二表面相对设置。本发明通过设置光源照射半导体薄膜,可以提高灵敏度,从而避免了高温加热,功耗更低、更为稳定,其可以检测氧气和甲烷,而现有SnO2纳米颗粒传感器对空气氛围中的氧气灵敏度很差。

    一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111624236A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN202010485681.0

    申请日:2020-06-01

    申请人: 黄辉 渠波 尚瑞晨

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明涉及一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法。该半导体薄膜气体传感器包括衬底、以及设置于所述衬底第一表面的半导体薄膜;所述半导体薄膜表面设置有电极;所述半导体薄膜的上方设置有用于照射所述半导体薄膜的光源;或,所述半导体薄膜底部设置有用于照射所述半导体薄膜的光源;或,所述衬底的第二表面设置有用于照射所述半导体薄膜的光源,所述衬底第一表面和所述衬底第二表面相对设置。本发明通过设置光源照射半导体薄膜,可以提高灵敏度,从而避免了高温加热,功耗更低、更为稳定,其可以检测氧气和甲烷,而现有SnO2纳米颗粒传感器对空气氛围中的氧气灵敏度很差。

    基于单光束差分检测的光学微流控芯片传感器及测试方法

    公开(公告)号:CN104977274B

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201410145709.0

    申请日:2014-04-11

    IPC分类号: G01N21/45 G01N21/31

    摘要: 本发明涉及光学检测装置及其测试方法,应用于生化分析领域,特别是一种基于单光束差分检测的光学微流控芯片传感器及测试方法;光学微流控芯片传感器中包括叠层结构,其中包括盖层、衬底、薄层、微流槽;其中,微流槽设置在薄层上,存在两个微流槽或两个以上的微流槽位于不同的薄层上,且在衬底的投影仅相接,或者投影完全重合;因此,不同的微流槽可以置于同一束探测光波内,实现单光束的光学差分检测;本发明的传感器及其测试系统,具备结构简单、紧凑、以及测试精度高的特点。

    基于纳米阵列电离放电效应的元素检测装置及检测方法

    公开(公告)号:CN106066321A

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201510445809.X

    申请日:2015-07-27

    申请人: 黄辉 渠波 赵丹娜

    IPC分类号: G01N21/67

    摘要: 本发明涉及一种基于纳米阵列电离放电效应的元素检测装置及检测方法。本发明的一种基于纳米阵列电离放电效应的元素检测装置,包括与电源组件连接的电离组件、光谱信号采集模块和/或电流-电压信号采集模块;电离组件包括第一电极和第二电极,第一电极与第二电极之间具有空间间隙;第一电极包括至少一组与导电衬底电连接的纳米阵列,第二电极是金属针、带有导电外壳的光纤或者与导电衬底电连接的纳米阵列。其有益效果是:利用纳米线阵列的尖端放电,电离激发气态物质,并通过检测放电辐射的光谱或放电的电流-电压关系,从而获知气态物质中的微量元素。具有结构简单、易于制备、安全、体积小和易于集成的优势。

    一种基于衍射效应的光学微流控传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN105921186A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201610247263.1

    申请日:2016-04-20

    申请人: 黄辉 渠波 张骥

    IPC分类号: B01L3/00 G01N21/47

    摘要: 本发明涉及一种基于衍射效应的光学微流控传感器及其制备方法。本发明的一种基于衍射效应的光学微流控传感器,包括样品通道、光源和光电探测器,样品通道的表面包括惰性区和吸附区,惰性区的光学特性与吸附区的光学特性不相同;吸附区能够吸附待测物,惰性区不能够吸附待测物;由于样品通道表面的吸附区与其周围惰性区的吸附特性不同,使得待测物在样品通道表面的附着不均匀,从而导致样品通道表面附近区域的光学特性分布不均匀,提高了检测精度。

    一种光学微流控生物传感器的封装方法

    公开(公告)号:CN104122226B

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201310169091.7

    申请日:2013-04-25

    申请人: 黄辉 渠波 刘蓬勃

    发明人: 黄辉 渠波 刘蓬勃

    IPC分类号: G01N21/41

    摘要: 本发明提供一种光学微流控生物传感器的封装方法,其特征是:通过在微流槽周围制备环形的填充槽,用于注入胶体从而实现衬底粘合;由于两衬底预先对准贴紧,后续注入的胶体仅留在填充槽内,而不会扩散到两个衬底之间的平面内或微流槽内。因此,本发明的封装方法不会增加衬底间的距离或降低衬底间的平行度,从而解决传感器封装过程中胶体粘合所导致的两衬底间距离和平行度难以控制的问题。

    一种基于脊形电极结构的纳米线排列与定位方法

    公开(公告)号:CN103708411B

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201210391210.9

    申请日:2012-10-01

    申请人: 黄辉 渠波 刘蓬勃

    发明人: 黄辉 渠波 刘蓬勃

    IPC分类号: B81C1/00 B81B7/00

    摘要: 本发明提供一种基于脊形电极结构的纳米线排列与定位方法,具体步骤包括:第一步:在衬底表面制备出细长的脊形结构;第二步:通过镀膜和光刻工艺,在所述脊形结构的两端分别制备电极;第三步:在通过涂胶工艺,在所述衬底表面覆盖一层胶体;由于胶体具有流动性,会使衬底平坦化,因此所述脊形结构顶部的胶体比其他部位的胶体薄;第四步:将含有纳米线的溶液,滴在所述衬底表面;在所述脊形结构两端的电极上施加电场,则所述纳米线会被吸附并定位在所述脊形结构的顶部,实现纳米线的精确定位;本发明通过脊形电极结构来精确控制纳米线的排列位置,具有工艺简单、适合规模化制备的特点。

    一种基于纳米线交叉互联的纳米线器件制备方法

    公开(公告)号:CN102259833B

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201110144804.5

    申请日:2011-05-24

    申请人: 黄辉 渠波

    发明人: 黄辉 渠波

    IPC分类号: H01L21/20

    摘要: 本发明提供一种基于纳米线交叉互联的纳米线器件制备方法。本发明的特征是:在半导体衬底的顶层薄层上通过刻蚀形成台面结构,以衬底表面作为基底生长具有“芯-包层”器件结构的纳米线,纳米线的包层与台面侧壁的电连接通过后续生长的纳米线实现;其中后续生长的纳米线,是以台面的侧壁或以“芯-包层”纳米线的侧壁作为生长的基底,侧向生长从而实现纳米线器件的包层与台面侧壁之间的电连接。该方法无需采用精细昂贵的电子束光刻工艺、也无需移动和操控纳米线,具有工艺简单、适合规模化制备的特点。