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公开(公告)号：CN107331705B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710532974.8
申请日：2017-07-03
IPC分类号： H01L29/775 , H01L21/335 , B82Y10/00
摘要： 本发明涉及一种基于桥接生长的纳米线器件的制备方法包括以下步骤：在具有导电层的衬底上制备凹槽结构，并在凹槽侧壁生长纳米线，使纳米线桥接凹槽两侧的导电层，同时该生长过程也会在凹槽内产生沉积物；通过在凹槽结构内设置牺牲层或牺牲条，或，通过在凹槽结构的背部开设凹槽，以使凹槽结构两侧的沉积物相互隔绝，以消除纳米线生长过程中带来的沉积物问题，从而使得凹槽结构两侧的电互联仅取决于桥接纳米线。其有益效果是：本发明解决了桥接纳米线生长过程中凹槽内的沉积物问题，从而确保了凹槽两侧的电互联仅由桥接纳米线决定，消除了导电沉积物对纳米线器件的影响，提高了桥接纳米线器件的性能。
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公开(公告)号：CN110412082B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910687309.5
申请日：2019-07-29
IPC分类号： G01N27/06 , G01N27/407
摘要： 本发明涉及一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法，包括衬底和设置在衬底上的致密多孔晶体薄膜，所述致密多孔晶体薄膜是由尖锥状凸起交联组成的多孔网格结构，所述尖锥状凸起的侧壁之间构成倒尖锥形状的倒尖锥孔。本申请的致密多孔晶体薄膜是一次性生长而成，具有制备工艺简单、比表面积大、且表面活性高等优势；致密多孔晶体薄膜，是由倒尖锥状的孔构成，有利于待测样品进出小孔、并具有大的比表面积；其孔壁为尖锥状结构，更为结实稳定；选用的氮化物半导体材料属于第三代半导体材料，具有优异的化学稳定性，如耐酸碱腐蚀，更适用于高可靠性的半导体传感器。
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公开(公告)号：CN107331705A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710532974.8
申请日：2017-07-03
IPC分类号： H01L29/775 , H01L21/335 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/775 , B82Y10/00 , H01L29/66439
摘要： 本发明涉及一种基于桥接生长的纳米线器件的制备方法包括以下步骤：在具有导电层的衬底上制备凹槽结构，并在凹槽侧壁生长纳米线，使纳米线桥接凹槽两侧的导电层，同时该生长过程也会在凹槽内产生沉积物；通过在凹槽结构内设置牺牲层或牺牲条，或，通过在凹槽结构的背部开设凹槽，以使凹槽结构两侧的沉积物相互隔绝，以消除纳米线生长过程中带来的沉积物问题，从而使得凹槽结构两侧的电互联仅取决于桥接纳米线。其有益效果是：本发明解决了桥接纳米线生长过程中凹槽内的沉积物问题，从而确保了凹槽两侧的电互联仅由桥接纳米线决定，消除了导电沉积物对纳米线器件的影响，提高了桥接纳米线器件的性能。
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公开(公告)号：CN104143498A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310185179.8
申请日：2013-05-11
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02491 , H01L21/02667
摘要： 本发明提供一种用于半导体纳米线生长的缓冲层制备方法，其特征是：通过在衬底上镀金属薄膜，接着利用退火工艺并通入反应气体，使得金属薄膜转变为半导体晶体薄膜，该晶体薄膜可作为缓冲层用于生长高质量的半导体纳米线。本发明具有工艺简单以及低成本的特点。
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公开(公告)号：CN110412082A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910687309.5
申请日：2019-07-29
IPC分类号： G01N27/06 , G01N27/407
摘要： 本发明涉及一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法，包括衬底和设置在衬底上的致密多孔晶体薄膜，所述致密多孔晶体薄膜是由尖锥状凸起交联组成的多孔网格结构，所述尖锥状凸起的侧壁之间构成倒尖锥形状的倒尖锥孔。本申请的致密多孔晶体薄膜是一次性生长而成，具有制备工艺简单、比表面积大、且表面活性高等优势；致密多孔晶体薄膜，是由倒尖锥状的孔构成，有利于待测样品进出小孔、并具有大的比表面积；其孔壁为尖锥状结构，更为结实稳定；选用的氮化物半导体材料属于第三代半导体材料，具有优异的化学稳定性，如耐酸碱腐蚀，更适用于高可靠性的半导体传感器。
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公开(公告)号：CN106148913A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510169557.2
申请日：2015-04-10
摘要： 本发明涉及一种半导体材料的化学气相沉积装置及其半导体材料的生长方法。一种半导体材料的化学气相沉积装置，包括反应室、设置在反应室中的衬底和加热器、传输管路，所述加热器用于加热所述衬底，所述传输管路连接反应室，其特征在于：所述传输管路中设置有离化装置。其有益效果是：通过在气体传输管路中加入离化装置，使得气态源在传输管路中被离化，从而降低生长温度、提高气态源的裂解效率，并具有装置简单、安全、低成本的优势。
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公开(公告)号：CN106148913B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510169557.2
申请日：2015-04-10
摘要： 本发明涉及一种半导体材料的化学气相沉积装置及其半导体材料的生长方法。一种半导体材料的化学气相沉积装置，包括反应室、设置在反应室中的衬底和加热器、传输管路，所述加热器用于加热所述衬底，所述传输管路连接反应室，其特征在于：所述传输管路中设置有离化装置。其有益效果是：通过在气体传输管路中加入离化装置，使得气态源在传输管路中被离化，从而降低生长温度、提高气态源的裂解效率，并具有装置简单、安全、低成本的优势。
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公开(公告)号：CN106066321A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510445809.X
申请日：2015-07-27
IPC分类号： G01N21/67
摘要： 本发明涉及一种基于纳米阵列电离放电效应的元素检测装置及检测方法。本发明的一种基于纳米阵列电离放电效应的元素检测装置，包括与电源组件连接的电离组件、光谱信号采集模块和/或电流-电压信号采集模块；电离组件包括第一电极和第二电极，第一电极与第二电极之间具有空间间隙；第一电极包括至少一组与导电衬底电连接的纳米阵列，第二电极是金属针、带有导电外壳的光纤或者与导电衬底电连接的纳米阵列。其有益效果是：利用纳米线阵列的尖端放电，电离激发气态物质，并通过检测放电辐射的光谱或放电的电流-电压关系，从而获知气态物质中的微量元素。具有结构简单、易于制备、安全、体积小和易于集成的优势。
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公开(公告)号：CN208876791U
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201820285719.8
申请日：2018-02-28
摘要： 本实用新型公开了一种医院消毒供应中心用手术器械清洗装置，包括清洗液箱、高压水泵、箱体、支撑架、行走轮、喷洒板、板刷、转动夹具、驱动电机、传动轴、中心齿轮、防护罩、集液罩、出液管道、集液箱、进液管道、活动门、合页、扶手架、雾化喷头；箱体上方设有清洗液箱与高压水泵，高压水泵位于清洗液箱的一侧并与清洗液箱连接，高压水泵下端设有进液管道，箱体内部上方设有喷洒板，喷洒板的下端安装有雾化喷头，进液管道与喷洒板连接。本实用新型在对医疗手术器械喷洒清洗液的同时与板刷接触，将附着在医疗手术器械表面的微小污染物处理掉，对医疗手术器械进行完全固定，清洗效果理想，提高了工作效率，适用范围广。
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公开(公告)号：CN208365280U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201820658891.3
申请日：2018-05-04
发明人： 陈仕光
摘要： 本实用新型公开了一种手术室用无影灯，包括手术无影灯、LED灯、握动把、底端旋转轴、支撑杆、灯光调控器、固定座、固定座连接柱和固定座固定连接器，手术无影灯前端表面嵌入设置LED灯，且LED灯呈环形分布，手术无影灯前端中部固定连接有握动把，手术无影灯底端中部活动连接有底端旋转轴，底端旋转轴右侧中部活动连接有支撑杆，支撑杆顶端活动连接有灯光调控器，且灯光调控器上下两端均活动连接有支撑杆，支撑杆顶部前端活动连接有固定座连接柱，固定座连接柱底端中部活动连接有固定座。本实用新型整个装置结构稳定，投入成本低，各关节活动性强，延展性能好，具有极佳的收容性，节约了大量的手术室空间，有很高的推广价值。
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